【技术实现步骤摘要】
用于制作光分路器的二氧化硅光波导的生产工艺
本专利技术涉及光分路器制作领域，具体涉及用于制作光分路器的二氧化硅光波导的生产工艺。
技术介绍
与同轴电缆传输系统一样，光网络系统也需要将光信号进行耦合、分支、分配，这就需要光分路器来实现。光分路器又称分光器，是光纤链路中重要的无源器件之一，是具有多个输入端和多个输出端的光纤汇接器件，常用MXN来表不一个分路器有M个输入端和N个输出端。在光纤CATV系统中使用的光分路器一般都是I X 2、I X 3以及由它们组成的I X N光分路器。光分路器一般在六种材料上制作，包括铌酸锂、半导体化合物、二氧化硅、绝缘体上硅、聚合物和玻璃，如今二氧化硅波导制作的光分路器，材料内部残留应力过大，双折射效应明显，达到波导结构参数差，影响制作的光分路器的机械性能和热稳定性。
技术实现思路
本专利技术克服了现有技术的不足，提供用于制作光分路器的二氧化硅光波导的生产工艺，该工艺生产的二氧化硅光波导制成的光分路器内部残留应力小，双折射效应不明显，制成的光分路器机械性能和热稳定性好。 为解决上述的技术问题，本专利技术采用以下技术方案:用于制作光分路器的二氧化硅光波导的生产工艺，包括如下步骤:A、波导下包层制作，采用火焰水解法或者化学气相淀积工艺，在硅片上生长一层Si02，并且掺杂磷、硼离子作为波导下包层；B、波导芯层制作，采用火焰水解法或者化学气相淀积工艺，在下包层上再生长一层Si02，作为波导芯层；C、波导下包层和波导芯层退火硬化处理，通过退火硬化工艺，使前面生长的两层Si02变得致密均匀；D、光刻处理，将...
【技术保护点】
用于制作光分路器的二氧化硅光波导的生产工艺，其特征在于，包括如下步骤：波导下包层制作，采用火焰水解法或者化学气相淀积工艺，在硅片上生长一层SiO2，并且掺杂磷、硼离子作为波导下包层；波导芯层制作，采用火焰水解法或者化学气相淀积工艺，在下包层上再生长一层SiO2，作为波导芯层；波导下包层和波导芯层退火硬化处理，通过退火硬化工艺，使前面生长的两层SiO2变得致密均匀；光刻处理，将需要的波导图形用光刻胶保护；非波导区域处理，采用反应离子刻蚀工艺，将非波导区域刻蚀掉；波导上包层制作，去光刻胶，采用火焰水解法或者化学气相淀积工艺，在波导芯层上再覆盖一层SiO2，并惨杂硼、磷离子，作为波导上包层；波导上包层退火硬化处理，使上包层SiO2细致紧密。
【技术特征摘要】
1.用于制作光分路器的二氧化硅光波导的生产工艺，其特征在于，包括如下步骤: 波导下包层制作，采用火焰水解法或者化学气相淀积工艺，在硅片上生长一层3102，并且掺杂磷、硼离子作为波导下包层； 波导芯层制作，采用火焰水解法或者化学气相淀积工艺，在下包层上再生长一层3102，作为波导芯层； 波导下包层和波导芯层退火硬化处理，通过退火硬化工艺，使前面生长的两层3102变得致密均匀； 光刻处理，将需要的波导图形用光刻胶保护； 非波导区域处理，采用反应离子刻蚀工艺，将非波导区域刻蚀掉； 波导上包层制作，去光刻胶，采用火焰水解法或者化学气相淀积工艺，在波导芯层上再覆盖一层3102，并惨杂硼、磷离子，作为波导上包层； ...
【专利技术属性】
技术研发人员：余波，宗瑞朝，黎林，青晓英，杜泽永，
申请(专利权)人：成都康特电子高新科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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