一种晶体硅太阳能电池组件制造技术

技术编号:11025295 阅读:70 留言:0更新日期:2015-02-11 13:30
本实用新型专利技术提供了一种晶体硅太阳能电池组件,所述太阳能电池组件包括一晶体硅太阳能电池串,该晶体硅太阳能电池串为通过焊带将晶体硅太阳能电池焊连在一起;晶体硅太阳能电池串设置于一基板上,所述基板为PCB玻纤板,在PCB玻纤板下表面设有与晶体硅太阳能电池串正负极连接的电源输出印制电路;所述晶体硅太阳能电池包括晶体硅片衬底,在晶体硅片衬底的相对两端面分别设有垂直于硅片端面的多个横向PN结,各PN结分别由P型层和N型层构成,在晶体硅片衬底的背表面设有P区金属电极和N区金属电极。本实用新型专利技术的晶体硅太阳能电池组件能降低电极电阻和接触电阻,能有效提高太阳能电池的短路电流和开路电压,提高了太阳能电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供了一种晶体硅太阳能电池组件,所述太阳能电池组件包括一晶体硅太阳能电池串,该晶体硅太阳能电池串为通过焊带将晶体硅太阳能电池焊连在一起;晶体硅太阳能电池串设置于一基板上,所述基板为PCB玻纤板,在PCB玻纤板下表面设有与晶体硅太阳能电池串正负极连接的电源输出印制电路;所述晶体硅太阳能电池包括晶体硅片衬底,在晶体硅片衬底的相对两端面分别设有垂直于硅片端面的多个横向PN结,各PN结分别由P型层和N型层构成,在晶体硅片衬底的背表面设有P区金属电极和N区金属电极。本技术的晶体硅太阳能电池组件能降低电极电阻和接触电阻,能有效提高太阳能电池的短路电流和开路电压,提高了太阳能电池的转换效率。【专利说明】一种晶体硅太阳能电池组件
本技术涉及二极管制作
,特别涉及一种晶体硅太阳能电池组件。
技术介绍
目前常规工业化晶体硅太阳能电池是由平行于硅片表面的一个平面PN结构成,电极分别位于硅片的前表面和背表面。这样的晶体硅太阳能电池再进行太阳能转换时,入射光损失大,电池的转换效率低,且现有的晶体硅太阳能电池组件的使用寿命也短。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题,在于提供一种晶体硅太阳能电池组件,提高了太阳能电池的转换效率,且提高了电池组件的寿命。 本技术是这样实现的:一种晶体硅太阳能电池组件,所述太阳能电池组件包括一晶体硅太阳能电池串,该晶体硅太阳能电池串为通过焊带将多个晶体硅太阳能电池焊连在一起;所述晶体硅太阳能电池串设置于一基板上,所述基板为PCB玻纤板,在所述PCB玻纤板下表面设有与晶体硅太阳能电池串正负极连接的电源输出印制电路;所述晶体硅太阳能电池包括晶体硅片衬底,在晶体硅片衬底的相对两端面分别设有垂直于硅片端面的多个横向PN结,各PN结分别由P型层和N型层构成,在晶体硅片衬底的背表面设有P区金属电极和N区金属电极。 进一步地,所述晶体硅太阳能电池的截面为长方形,该长方形长边与短边的边长之比在1.3?3之间。 本技术的优点在于:本技术的晶体硅太阳能电池组件能降低电极电阻和接触电阻,能有效提尚太阳能电池的短路电流和开路电压,提尚了太阳能电池的转换效率。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术的结构示意图。 图2是本技术中晶体硅太阳能电池结构示意图。 【具体实施方式】 请参阅图1和图2所示,本技术的一种晶体硅太阳能电池组件,所述太阳能电池组件包括一晶体硅太阳能电池串1,该晶体硅太阳能电池串I为通过焊带2将多个晶体硅太阳能电池3焊连在一起;所述晶体硅太阳能电池串I设置于一基板4上,所述基板4为PCB玻纤板,在所述PCB玻纤板下表面设有与晶体硅太阳能电池串正负极连接的电源输出印制电路(未图示);这种设置方式提高了晶体硅太阳能电池组件的使用寿命。 所述晶体娃太阳能电池3包括晶体娃片衬底(未图不),在晶体娃片衬底的相对两端面分别设有垂直于硅片端面的多个横向PN结,各PN结分别由P型层31和N型层32构成,在晶体硅片衬底的背表面设有P区金属电极33和N区金属电极34。这样能降低电极电阻和接触电阻,能有效提高太阳能电池的短路电流和开路电压,提高了太阳能电池的转换效率。 其中,所述晶体硅太阳能电池3的截面为长方形,该长方形长边与短边的边长之比在1.3?3之间。这种比例有利于太阳能的吸收。 总之,本技术的晶体硅太阳能电池组件能降低电极电阻和接触电阻,能有效提尚太阳能电池的短路电流和开路电压,提尚了太阳能电池的转换效率。 以上所述仅为本技术的较佳实施例,凡依本技术申请专利范围所做的均等变化与修饰,皆应属本技术的涵盖范围。【权利要求】1.一种晶体硅太阳能电池组件,其特征在于:所述太阳能电池组件包括一晶体硅太阳能电池串,该晶体硅太阳能电池串为通过焊带将多个晶体硅太阳能电池焊连在一起;所述晶体硅太阳能电池串设置于一基板上,所述基板为PCB玻纤板,在所述PCB玻纤板下表面设有与晶体硅太阳能电池串正负极连接的电源输出印制电路;所述晶体硅太阳能电池包括晶体硅片衬底,在晶体硅片衬底的相对两端面分别设有垂直于硅片端面的多个横向PN结,各PN结分别由P型层和N型层构成,在晶体硅片衬底的背表面设有P区金属电极和N区金属电极。2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池组件,其特征在于:所述晶体硅太阳能电池的截面为长方形,该长方形长边与短边的边长之比在1.3?3之间。【文档编号】H01L31/048GK204155946SQ201420657009【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年11月5日 优先权日:2014年11月5日 【专利技术者】黄福仁, 黄赛琴, 戴 峰 申请人:福建安特微电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池组件,其特征在于:所述太阳能电池组件包括一晶体硅太阳能电池串,该晶体硅太阳能电池串为通过焊带将多个晶体硅太阳能电池焊连在一起;所述晶体硅太阳能电池串设置于一基板上,所述基板为PCB玻纤板,在所述PCB玻纤板下表面设有与晶体硅太阳能电池串正负极连接的电源输出印制电路;所述晶体硅太阳能电池包括晶体硅片衬底,在晶体硅片衬底的相对两端面分别设有垂直于硅片端面的多个横向PN结,各PN结分别由P型层和N型层构成,在晶体硅片衬底的背表面设有P区金属电极和N区金属电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄福仁黄赛琴戴峰
申请(专利权)人:福建安特微电子有限公司
类型:新型
国别省市:福建;35

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