一种全桥副边整流控制电路制造技术

本发明专利技术提供一种全桥副边整流控制电路，利用ISL6752　PWM控制器，由ISL6752　PWM的驱动上管的输出脚OUTUL和OUTUR分别作为同步整流的驱动，包括上左输出控制电路和上右输出控制电路；这两个电路是一样的，由空载判断信号SDROFF控制是否将ISL6752　PWM的驱动上管的输出脚OUTUL和OUTUR输出放大。本发明专利技术的电路简单，由空载判断信号SDROFF控制ISL6752　PWM的驱动上管的输出脚OUTUL和OUTUR信号是否输出，并具有死区控制电路。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种全桥副边整流控制电路，利用ISL6752　PWM控制器，由ISL6752　PWM的驱动上管的输出脚OUTUL和OUTUR分别作为同步整流的驱动，包括上左输出控制电路和上右输出控制电路；这两个电路是一样的，由空载判断信号SDROFF控制是否将ISL6752　PWM的驱动上管的输出脚OUTUL和OUTUR输出放大。本专利技术的电路简单，由空载判断信号SDROFF控制ISL6752　PWM的驱动上管的输出脚OUTUL和OUTUR信号是否输出，并具有死区控制电路。【专利说明】一种全桥副边整流控制电路
本专利技术涉及开关电源领域，特别涉及一种PWM电源中，采用ISL6752作为PWM控制器的全桥副边整流控制电路。
技术介绍
ISL6752是一个高性能的可供选择的少引脚数ZVS全桥PWM控制器。它获得的ZVS (零电压开关)工作是通过驱动上边桥MOSFET在一个固定的50%的占空比下边桥MOSFET在跟随沿被谐振开关延迟调制与较为熟悉的移相控制方法相比，这个方法提供了同等的效率，并且用简单的少引脚封装改进了过流和轻载的性能。ISL6752的特点是为了实现同步整流控制，PWM互补输出用一个外部控制电压，这个互补输出与相关的PWM输出可以在相位上动态地超前或者滞后。 ISL6752采用BICMOS工艺，振荡频率可以调节到2MHz，有可调节的软启动，精确的死区时间和谐振延迟控制。除此以外，多脉冲抑制确保了交替输出脉冲在低占空比可能发生的脉冲跳跃问题。其内部等效方框电路如图1所示: VDD IC的供电端子，为了免除噪声干扰加一个陶瓷旁路电容遥。 RTD 这是振荡器定时电容放电电流控制端，接一个电阻到GND遥流过该电阻的电流决定了放电电流的大小，放电电流通常为20倍该电流。PWM的死区时间取决于定时电容的放电脉宽。在RTD端的电压通常是2V。 CT振荡器定时电容端子，并连接到GND。它通过内部电流源充电，并通过可以调节的TRD控制端放电。 VADJ用一个(Γ5 V的电压加到此输入端来实现相位的延迟和超前。(0UTLL与OUTLLN 之间，OUTLR 与 OUTLRN 之间)。而 OUTUL 与 OUTUR 之间 OUTUR 与 OUTLR 之间的相位关系仍然保持，而不管OUTLL与OUTLR，OUTLLN与OUTLRN之间的相位关系。 0UTUL/0UTUR这两个输出驱动桥的两臂，其脉宽各50%占空比，其死区时间由RTD调节。 0UTLL/0UTLR 是两个输出控制信号，其脉宽可以调制，工作在交替状态，输出是不可互变的，OUTLL控制左下边MOS，OUTLR控制右下边M0S，其控制范围为最高可以与上部MOS —样宽。 0UTLLN/0UTLRN是两个输出信号，与PWM低边MOS信号互补，它适用于二次侧的同步整流，其间的相位关系由加在ADJ的电压控制。 上面OUT表示输出，UL、UR、LL、LR分别表示上左、上右、下左、下右。 目前使用ISL6752组成的全桥谐振的拓扑结构的时候，由于副边使用的是全波整流，所以并没有使用到副边的同步整流电路，后来为了提升整机的效率所以使用了副边的同步整流电路。但是使用时发现使用ISL6752的副边自带的同步整流驱动脚(0UTLLN、OUTLRN为驱动脚，输出为方波脉冲信号)并机时会出现反灌现象而损坏原边全桥的MOS管，因而此电路只能用于副边不用并机的同步整流电路，使得电路的应用受到限制，针对此缺陷我们就增加了一些新的电路加以完善。
技术实现思路
本专利技术的为了解决系统电源中模块并机时的反灌现象，从而使得同步整流电源可以应用在有系统冗余要求的系统电源中，提供一种全桥副边整流控制电路。 本专利技术为实现其技术目的所采用的技术方案是:一种全桥副边整流控制电路，利用ISL6752 PWM控制器，由ISL6752 PWM的驱动上管的输出脚OUTUL和OUTUR分别作为同步整流的驱动，包括上左输出控制电路和上右输出控制电路； 所述的上左输出控制电路包括开关三极管Q7和放大器U5、电容C31 ；ISL6752PWM的驱动上管的输出脚OUTUL接所述的开关三极管Q7的集电极、空载判断信号SDROFF接所述的开关三极管Q7的基极、所述的开关三极管Q7的发射极接地，所述的电容C31连接到所述的开关三极管Q7的集电极与地之间，所述的开关三极管Q7的集电极接所述的放大器，所述的放大器U5的放大信号输出端SDRL即为所述的上左输出控制信号； 所述的上右输出控制电路包括开关三极管Q8和放大器U6、电容C32 ；ISL6752PWM的驱动上管的输出脚OUTUR接所述的开关三极管Q8的集电极、空载判断信号SDROFF接所述的开关三极管Q8的基极、所述的开关三极管Q8的发射极接地，所述的电容C32连接到所述的开关三极管Q8的集电极与地之间，所述的开关三极管Q8的集电极接所述的放大器，所述的放大器的放大信号输出端SDRN即为所述的上右输出控制信号。 进一步的，上述的全桥副边整流控制电路中:在所述的ISL6752 PWM的驱动上管的输出脚OUTUL与所述的开关三极管Q7的集电极之间设置有限流电阻R123 ;在所述的ISL6752 PWM的驱动上管的输出脚OUTUR与所述的开关三极管Q8的集电极之间设置有限流电阻R124。 进一步的，上述的全桥副边整流控制电路中:在空载判断信号SDROFF与所述的开关三极管Q7的基极之间设置有限流电阻R35和第一低通滤波电路；在空载判断信号SDROFF与所述的开关三极管Q8的基极之间设置有限流电阻R38和第二低通滤波电路。 进一步的，上述的全桥副边整流控制电路中:所述的第一低通滤波电路包括滤波电阻R36和滤波电容C13，所述的滤波电阻R36和滤波电容C13并联连接在所述的开关三极管Q7的基极与地之间；所述的第二低通滤波电路包括滤波电阻R39和滤波电容C14，所述的滤波电阻R39和滤波电容C14并联连接在所述的开关三极管Q8的基极与地之间。 本专利技术的电路简单，由空载判断信号SDROFF控制ISL6752 PWM的驱动上管的输出脚OUTUL和OUTUR信号是否输出，并具有死区控制电路。 以下将结合附图和实施例，对本专利技术进行较为详细的说明。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术所采用的ISL6752内部等效方框电路图。 图2为本专利技术实施例1电路原理图。 【具体实施方式】 实施例1，图2所示，本实施例是一种全桥副边整流控制电路，利用ISL6752 PWM控制器，由ISL6752 PWM的驱动上管的输出脚OUTUL和OUTUR分别作为同步整流的驱动，包括上左输出控制电路和上右输出控制电路；这里上左输出控制电路和上右输出控制电路是两个完全相同的电路，分别利用空载判断信号SDROFF控制ISL6752 PWM的驱动上管的输出脚OUTUL和OUTUR是否输出和放大。 上左输出控制电路包括开关三极管Q7和放大器U5、电容C31 ;ISL6752 PWM的驱动上管的输出脚OUTUL接开关三极管Q7的集电极、空载判断信号SDROFF开关三极管Q7的基极、开关三极管Q7的发射极接地，电容C31连接到所述的开关三极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全桥副边整流控制电路，利用ISL6752　PWM控制器，其特征在于：由ISL6752　PWM的驱动上管的输出脚OUTUL和OUTUR分别作为同步整流的驱动，包括上左输出控制电路和上右输出控制电路；所述的上左输出控制电路包括开关三极管Q7和放大器U5、电容C31；ISL6752　PWM的驱动上管的输出脚OUTUL接所述的开关三极管Q7的集电极、空载判断信号SDROFF接所述的开关三极管Q7的基极、所述的开关三极管Q7的发射极接地，所述的电容C31连接到所述的开关三极管Q7的集电极与地之间，所述的开关三极管Q7的集电极接所述的放大器，所述的放大器U5的放大信号输出端SDRL即为所述的上左输出控制信号；所述的上右输出控制电路包括开关三极管Q8和放大器U6、电容C32；ISL6752　PWM的驱动上管的输出脚OUTUR接所述的开关三极管Q8的集电极、空载判断信号SDROFF接所述的开关三极管Q8的基极、所述的开关三极管Q8的发射极接地，所述的电容C32连接到所述的开关三极管Q8的集电极与地之间，所述的开关三极管Q8的集电极接所述的放大器，所述的放大器的放大信号输出端SDRN即为所述的上左输出控制信号。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈学文，蒋中为，
申请(专利权)人：深圳市金威源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44