【技术实现步骤摘要】
蓝光偏振薄膜、其制备方法及蓝光背光源和液晶显示装置
本专利技术涉及有机电致发光技术，尤其涉及一种蓝光偏振薄膜、其制备方法及蓝光 背光源和液晶显示装置。
技术介绍
在有机电致发光器件研制过程中，由于蓝光材料比较稀缺，如何实现蓝光发射一 直是一个核心的问题。如果能够实现蓝光发射，可以进一步与绿光和红光发射材料构成三 基色发射，从而得到白光发射。 在现有技术中，为达到一定的均匀的荧光强度需要将发光物质引入到无机基质或 聚合物中。采用这种方法，发光材料的合成难度增加，发光薄膜的均一性调控有难度，并且 从成本上说达到相同荧光强度耗费的发光物质较多。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种蓝光偏振薄膜、其制备方法及蓝光背光源。 本专利技术所提供的蓝光偏振薄膜，其为通过镁铝水滑石和三（8-羟基喹啉-5-磺酸） 铝交替沉积形成的多层薄膜。 其中，所述多层薄膜为4-10层。 其中，镁铝水滑石层的厚度为10_20nm;三（8-羟基喹啉-5-磺酸）铝层的厚度为 10_20nm。 其中，所述荧光光谱的最大发射值为470_490n...
【技术保护点】
一种蓝光偏振薄膜，其为通过镁铝水滑石和三(8‑羟基喹啉‑5‑磺酸)铝交替沉积形成的多层薄膜。
【技术特征摘要】
1. 一种蓝光偏振薄膜，其为通过镁铝水滑石和三（8-羟基喹啉-5-磺酸）铝交替沉积 形成的多层薄膜。2. 根据权利要求1所述的蓝光偏振薄膜，其特征在于，所述多层薄膜为4-10层的多层 薄膜。3. 根据权利要求1或2所述的蓝光偏振薄膜，其特征在于，所述镁铝水滑石层的厚度为 10-20nm，所述三（8-羟基喹啉-5-磺酸）铝层的厚度为10-20nm。4. 根据权利要求1或2所述的蓝光偏振薄膜，其特征在于，所述蓝光偏振薄膜的突光光 谱的最大发射值为470-490nm。5. 根据权利要求1或2所述的蓝光偏振薄膜，其特征在于，所述蓝光偏振薄膜为通过将 基底浸入10_20g/L镁铝水滑石溶液中10-15min，取出吹干，然后再浸入3-10g/L三（8-羟 基喹啉-5-磺酸）铝溶液中10-15min，取出吹干，如此完成一个循环，重复上述循环而获得 的多层薄膜。6. -种蓝光偏振薄膜的制备方法，包括将基底浸入10_20g/L镁铝水滑石溶液中 10-15min，取出吹干，然后再浸入3-10g/L三（8-羟基喹啉-5-磺酸）铝溶液中10-15min， 取出吹干，如此完成一个循环，重复上述循环而获得的多层薄膜。7. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，重复上述循环2-5次。8. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述镁铝水滑石按照如下方法制 备：按照摩尔比为2 :1的比例称取Mg(N03)2 ? 6H20和A1(N03)3 ? 6H20,然后将它们溶解...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖昂，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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