一种适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路，包括光耦(OC)和输入端连接在DSP的IO口或PWM口上的非门电路(NOT1)；所述光耦(OC)内的发光二极管阳级连接至第一电源(VCC1)，光耦(OC)内的发光二极管阴级经过第一限流电阻(R3)连接至非门电路(NOT1)的输出端，所述非门电路(NOT1)的输出端还设有一个上拉电阻(R2)，上拉电阻(R2)与第二电源(VCC2)相连，所述光耦(OC)的信号输出端连接至受控的IGBT或MOS。本实用新型专利技术可以起到高效的抗EMI干扰的作用，从而可以达到防止MOS或IGBT误开通和关断的目的，而且电路结构简单、成本较低、需要的体积也较小。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路，其特征在于：包括光耦(OC)和输入端连接在DSP的IO口或PWM口上的非门电路(NOT1)；所述光耦(OC)内的发光二极管阳级连接至第一电源(VCC1)，光耦(OC)内的发光二极管阴级经过第一限流电阻(R3)连接至非门电路(NOT1)的输出端，所述非门电路(NOT1)的输出端还设有一个上拉电阻(R2)，上拉电阻(R2)与第二电源(VCC2)相连，所述光耦(OC)的信号输出端连接至受控的IGBT或MOS。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李新富，欧余斯，程亮亮，
申请(专利权)人：杭州桑尼能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33