【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁传感器及其磁检测方法
本专利技术涉及一种磁传感器及其磁检测方法,更详细地说,涉及一种至少将与基板垂直的磁场和与基板平行的磁场混合并能够以可将各磁场分量分离的状态检测各磁场分量的磁传感器及其磁检测方法。
技术介绍
通常,众所周知一种检测是否存在磁的巨磁阻(GiantMagnetResistance;GMR)元件。将施加磁场时电阻率增加的现象称为磁阻效应,但是在通常的物质中变化率为百分之几,但是在该GMR元件中达到百分之几十,因此广泛使用于硬盘磁头。图1是用于说明以往的GMR元件的动作原理的立体图,图2是图1的局部截面图。在图中,附图标记1表示反铁磁性层,附图标记2表示钉扎层(固定层),附图标记3表示Cu层(分隔层),附图标记4表示自由层(自由旋转层)。在磁性材料的磁化方向上电子的自旋散射发生变化而电阻发生变化。也就是说,用ΔR=(RAP-RP)RP(RAP:为上下磁化方向反平行时,RP:为上下磁化方向平行时)来表示。通过与反铁磁性层1之间的磁耦合,固定层2的磁矩的方向被固定。当磁化自由旋转层4的磁矩的方向由于漏磁场而发生变化时,流过Cu层3的电流发生变化而能够读取漏磁场的变化。图3是用于说明以往的GMR元件的层叠结构的结构图,在图中,附图标记11表示绝缘膜,12表示自由层(自由旋转层),13表示导电层,14表示钉扎层(固定层),15表示反铁磁性层,16表示绝缘膜。自由层(自由旋转层)12为磁化方向自由旋转的层,由NiFe或者CoFe/NiFe构成,导电层13为流过电流而产生自旋散射的层,由Cu构成,钉扎层(固定层)14为磁化方向被固定为固定方向的层,由Co ...
【技术保护点】
一种磁传感器,具备:多个聚磁部,其与基板大致平行且相互大致平行,配置成邻接的两个聚磁部中的一方的聚磁部相对于另一方的聚磁部在长边方向上错开;以及多个磁检测部,其与上述多个聚磁部大致平行,俯视观察时配置在上述多个聚磁部的邻接的两个聚磁部之间,其中,上述多个磁检测部包含第一磁检测部和第二磁检测部,俯视观察时该第一磁检测部和第二磁检测部配置成分别靠近上述多个聚磁部中的邻接的两个聚磁部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.03.26 JP 2013-064646;2013.07.09 JP 2013-143431.一种磁传感器,具备:多个聚磁部,其与基板平行且相互平行,配置成邻接的两个聚磁部中的一方的聚磁部相对于另一方的聚磁部在长边方向上错开;以及多个磁检测部,其与上述多个聚磁部平行,俯视观察时配置在上述多个聚磁部的邻接的两个聚磁部之间,其中,上述多个磁检测部包含第一磁检测部和第二磁检测部,俯视观察时该第一磁检测部和第二磁检测部配置成分别靠近上述多个聚磁部中的邻接的两个聚磁部,俯视观察时上述第一磁检测部配置成与上述多个聚磁部中的邻接的两个聚磁部中的一方的聚磁部相比更靠近另一方的聚磁部,俯视观察时上述第二磁检测部配置成与上述另一方的聚磁部相比更靠近上述一方的聚磁部,上述多个聚磁部由三个以上的聚磁部构成,配置成一个聚磁部相对于两个聚磁部在长边方向上错开,俯视观察时上述两个聚磁部隔着上述一个聚磁部相对置。2.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,上述多个聚磁部的各边缘间距离分别相等。3.根据权利要求1或者2所述的磁传感器,其特征在于,俯视观察时上述多个聚磁部配置成上述多个聚磁部各自的重心形成锯齿状。4.根据权利要求1或者2所述的磁传感器,其特征在于,俯视观察时上述多个聚磁部以隔一个聚磁部的方式相对置配置。5.根据权利要求1或者2所述的磁传感器,其特征在于,在上述多个聚磁部的端部设置有聚磁部件。6.根据权利要求5所述的磁传感器,其特征在于,上述多个聚磁部与上述聚磁部件一起构成T字型、Y字型或者L字型的聚磁部。7.根据权利要求1或者2所述的磁传感器,其特征在于,还具备第三磁检测部,俯视观察时该第三磁检测部配置成被上述多个聚磁部中的一个聚磁部覆盖。8.根据权利要求5所述的磁传感器,其特征在于,上述多个聚磁部以隔一个聚磁部的方式通过上述聚磁部件进行连接。9.根据权利要求8所述的磁传感器,其特征在于,还具备第三磁检测部和第四磁检测部,俯视观察时该第三磁检测部和第四磁检测部配置在上述多个聚磁部中的配置于端的聚磁部的外侧。10.根据权利要求5所述的磁传感器,其特征在于,俯视观察时上述多个聚磁部中的配置于端的聚磁部与上述聚磁部件一起构成T字型、Y字型或者L字型的聚磁部,上述多个聚磁部中的除了配置于上述端的聚磁部以外的聚磁部以隔一个聚磁部的方式通过上述聚磁部件进行连接。11.根据权利要求1或者2所述的磁传感器,其特征在于,上述多个磁检测部的感磁轴为同一第一轴方向。12.根据权利要求11所述的磁传感器,其特征在于,还具备运算部,该运算部根据上述多个磁检测部各自的输出来运算并求出第二轴方向的磁场和第三轴方向的磁场。13.根据权利要求12所述的磁传感器,其特征在于,上述运算部根据上述多个磁检测部各自的电阻值来求出上述第二轴方向的磁场和上述第三轴方向的磁场。14.根据权利要求7所述的磁传感器,其特征在于,上述多个磁检测部和上述第三磁检测部的感磁轴为同一第一轴方向。15.根据权利要求14所述的磁传感器,其特征在于,还具备运算部,该运算部根据上述多个磁检测部和上述第三磁检测部各自的输出来运算并求出第二轴方向的磁场和第三轴方向的磁场。16.根据权利要求15所述的磁传感器,其特征在于,上述运算部根据上述多个磁检测部和上述第三磁检测部各自的电阻值来求出上述第二轴方向的磁场和上述第三轴方向的磁场。17.根据权利要求9所述的磁传感器,其特征在于,上述多个磁检测部以及上述第三磁检测部和上述第四磁检测部的感磁轴为同一第一轴方向。18.根据权利要求17所述的磁传感器,其特征在于,还具备运算部,该运算部根据上述多个磁检测部以及上述第三磁检测部和上述第四磁检测部各自的输出来运算并求出第二轴方向的磁场和第三轴方向的磁场。19.根据权利要求18所述的磁传感器,其特征在于,上述运算部根据上述多个磁检测部以及上述第三磁检测部和上述第四磁检测部各自的电阻值来求出上述第二轴方向的磁场和上述第三轴方向的磁场。20.根据权利要求13、16或者19所述的磁传感器,其特征在于,上述运算部通过求解与上述各自的电阻值有关的联立方程式来求出上述第二轴方向的磁场和上述第三轴方向的磁场。21.根据权利要求12~13、15~16、18~19中的任一项所述的磁传感器,其特征在于,上述第一轴方向是与上述基板平行的方向,上述第二轴方向是与上述基板平行且与上述第一轴方向正交的方向,上述第三轴方向是与上述基板正交的方向。22.一种磁传感器,具备:磁检测部,其具有检测第一方向的磁场分量的磁感应构件;以及磁场方向变换部,其将与上述第一方向正交的第二方向的磁场分量以及与上述第一方向和上述第二方向均正交的第三方向的磁场分量变换为上述第一方向的磁...
【专利技术属性】
技术研发人员:山下昌哉,山县曜,田中健,御子柴宪彦,
申请(专利权)人:旭化成微电子株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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