【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及霍尔元件、霍尔传感器和霍尔元件的制造方法。
技术介绍
1、作为磁传感器之一的霍尔元件，考虑以下的二维电子气膜-up型的霍尔元件：通过采用形成二维电子气膜的活性层来提高相对于驱动电压生成的输出电压的比例即灵敏度，通过在包括活性层的层叠体之上隔着绝缘膜设置电极(up)来进行低噪声化，由此实现了sn比的提高。该up型的霍尔元件例如在专利文献1中被公开。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2018-160631号公报
技术实现思路
1、用于解决问题的方案
2、在本专利技术的第1方案中，提供一种霍尔元件，该霍尔元件具备：基板；层叠体，其包括在所述基板上形成二维电子气膜的活性层、以及相对于该活性层分别在下侧和上侧层叠的第1缓冲层和第2缓冲层；绝缘膜，其形成于所述层叠体上；以及4个电极，其通过设于所述绝缘膜的开口而分别连接于所述活性层，包括在二维面内的第1方向上相对的两个第1电极和在与所述第1方向交叉的第2方向上相对的两个第2电极，由设于所述绝缘膜的开口中的、将所述两个第1电极连接于所述活性层的两个第1开口的分离距离(lin)、所述两个第1开口相对的宽度(win)、以及所述两个第1开口之间的区域的向所述第2方向的扩展确定的第1形状因子(gin)与由将所述两个第2电极连接于所述活性层的两个第2开口的分离距离(lout)、所述两个第2开口相对的宽度(wout)、以及所述两个第2开口之间的区域的向所述第1方向的扩展确定
3、在本专利技术的第2方案中，提供一种霍尔传感器，该霍尔传感器具备第1方案的霍尔元件，对进入所述霍尔元件的所述活性层的磁场的强度进行检测。
4、在本专利技术的第3方案中，提供一种霍尔元件的制造方法，该霍尔元件的制造方法具备如下阶段：在基板上形成层叠体的阶段，该层叠体包括形成二维电子气膜的活性层、以及相对于该活性层分别在下侧和上侧层叠的第1缓冲层和第2缓冲层；在所述层叠体上形成绝缘膜的阶段；在所述绝缘膜形成开口的阶段；以及形成4个电极的阶段，该4个电极分别通过设于所述绝缘膜的开口而连接于所述活性层，包括在二维面内的第1方向上相对的两个第1电极、以及在与所述第1方向交叉的第2方向上相对的两个第2电极，由设于所述绝缘膜的开口中的、将所述两个第1电极连接于所述活性层的两个第1开口的分离距离(lin)、所述两个第1开口相对的宽度(win)、以及所述两个第1开口之间的区域的向所述第2方向的扩展确定的第1形状因子(gin)与由将所述两个第2电极连接于所述活性层的两个第2开口的分离距离(lout)、所述两个第2开口相对的宽度(wout)、以及所述两个第2开口之间的区域的向所述第1方向的扩展确定的第2形状因子(gout)之比(gin/gout)根据所述活性层在所述第1方向和所述第2方向上的迁移率之差来确定。
5、此外，上述的
技术实现思路
并非列举了本专利技术的所有特征。另外，上述的特征组的子组合也能成为专利技术。
【技术保护点】
1.一种霍尔元件，其中，
2.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，
3.根据权利要求2所述的霍尔元件，其中，
4.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，
5.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，
6.根据权利要求5所述的霍尔元件，其中，
7.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，
8.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，
9.一种霍尔传感器，其中，
10.一种霍尔元件的制造方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种霍尔元件，其中，
2.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，
3.根据权利要求2所述的霍尔元件，其中，
4.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，
5.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，
【专利技术属性】
技术研发人员：服部兼吾，
申请(专利权)人：旭化成微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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