一种液晶显示面板及其调校方法技术

技术编号:10953886 阅读:72 留言:0更新日期:2015-01-23 15:32
本发明专利技术实施例提供一种液晶显示面板及其调校方法,涉及显示技术领域,可实时监控像素单元中电容比值的变化,以及根据环境变化的情况实时调整公共电极的基准电压值,以使液晶显示面板上画面闪烁的现象维持为最低的程度。该液晶显示面板包括,阵列基板,阵列基板包括呈矩阵排列的多个像素单元;像素单元包括,第一晶体管、第二晶体管、第一数据线、第二数据线、第一数据线连接线、第一栅极线、第二栅极线、第二栅极线连接线、像素电极;该液晶显示面板还包括公共电极。用于能够使画面闪烁显示维持为最小程度的液晶显示面板的制备。

【技术实现步骤摘要】
一种液晶显示面板及其调校方法
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种液晶显示面板及其调校方法。
技术介绍
目前,如图1所示,薄膜晶体管液晶显示装置(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay,简称TFT-LCD)中的像素单元100通常是由一个薄膜晶体管(TFT)、存储电容(Cst)、以及用于向液晶分子施加电压的像素电极构成。图2为上述像素单元的信号波形图。其中,采用现有技术的像素单元结构进行显示时,像素电极的电压节点P中的电压(Vp),即与存储电容相关的电压在栅极线的电压由高电平电压跃迁至低电平电压的瞬间,只下降了ΔVp(跳变电压),即像素电极的电压发生了ΔV的波动从而导致了TFT-LCD显示画面中出现闪烁现象(Flicker),不仅降低了显示质量,而且导致观看者长时间观看后出现眼睛疲劳甚至头晕等问题。通常,ΔVp由下式表示:其中,Vgh、Vgl分别为驱动TFT的栅极的高电平电压和低电平电压,Cgs、Clc、以及Cst分别为寄生电容、液晶电容、以及存储电容。由于TFT-LCD不可避免地存在上述的像素电极的反冲电压ΔVp,因此,在TFT-LCD出厂前,通常将公共电极的基准电压调试到使画面闪烁的程度最小的某一固定值(Vcom)。而随着TFT-LCD使用时间的延长,以及使用环境的改变(如温度、湿度等条件的改变),电容Cgs、电容Clc、以及电容Cst中的一个或多个电容的电容值相比于出厂时的理论数值会发生变化,使得上述ΔVp的表达式中,电容比值发生变化,导致出厂时的ΔVp变化为ΔVp'。由于此时原出厂设定的ΔVp发生了变化,导致公共电极的原基准电压Vcom的数值不再能维持画面闪烁的程度为最小,导致TFT-LCD显示画面的闪烁程度将大幅度提高,严重影响显示品质。因此,此时需要根据ΔVp到ΔVp'的变化量,来实时调整出厂时设定的公共电极的基准电压Vcom为Vcom',以使调整后的公共电极的基准电压Vcom'维持画面闪烁的程度为最小。然而,在TFT-LCD发生画面闪烁现象需要对公共电极的原出厂预设的基准电压进行调准的过程中,专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题:由于在像素单元结构中,电容Cgs、电容Clc、以及电容Cst的电容值的变化情况难以直接测量,即像素单元中的电容比值Cgs/(Cgs+Clc+Cst)难以确定,使得TFT-LCD出厂时设定的ΔVp的变化量无法确定,难以实现根据环境情况的变化对公共电极的原基准电压Vcom进行实时调整,导致公共电极的基准电压Vcom无法使得TFT-LCD的画面闪烁程度维持在最小的程度,严重影响观看效果。
技术实现思路
鉴于此,为克服现有技术的缺陷,本专利技术的实施例提供一种液晶显示面板及其调校方法,一方面可实现实时监控像素单元中的电容比值的变化情况;另一方面可实现根据液晶显示面板环境变化的情况实时调整公共电极的基准电压值,以使液晶显示面板上画面闪烁的现象维持为最低的程度。为达到上述目的,本专利技术的实施例采用如下技术方案:一方面、本专利技术实施例提供了一种液晶显示面板,所述液晶显示面板包括,阵列基板,包括呈矩阵排列的多个像素单元;其中,所述像素单元包括,第一晶体管和第二晶体管;第一数据线,连接所述第一晶体管的第一极与测试输入信号源;第二数据线,连接所述第二晶体管的第一极与数据信号源;第一数据线连接线,连接所述第一晶体管的第二极与所述第二数据线;第一栅极线,连接所述第一晶体管的栅极与开启信号源;第二栅极线,连接所述第二晶体管的栅极与扫描信号源;第二栅极线连接线,连接所述第二栅极线与测试输出信号源;像素电极,连接所述第二晶体管的第二极相连;且所述像素电极与所述第二栅极线有重叠;所述液晶显示面板还包括公共电极;所述公共电极连接公共电极信号源。其中,所述测试输入信号源用于提供测试输入电压V1,所述开启信号源用于提供使所述第一晶体管导通的开启电压VE,以使所述测试输出信号源输出的测试输出电压V2等于:其中,Cgs为由所述第二晶体管的栅极与所述第二晶体管的第一极所构成的寄生电容;Clc为由所述像素电极与所述公共电极所构成的液晶电容;Cst为由所述像素电极与所述第二栅极线所构成的存储电容。优选的,所述第二栅极线连接线,连接所述第二栅极线与测试输出信号源,包括,所述第二栅极线连接线通过栅绝缘层上的过孔与所述第二栅极线连接,且所述第二栅极线连接线连接测试输出信号源。优选的,所述第一数据线与所述第一晶体管的第一极为一体结构。优选的,所述第一数据线连接线与所述第一晶体管的第二极为一体结构。优选的,所述第一栅极线与所述第一晶体管的栅极为一体结构。在上述基础上优选的,所述第一晶体管的第一极、所述第二晶体管的第一极均为源极;所述第一晶体管的第二极、所述第二晶体管的第二极均为漏极。在上述基础上优选的,所述第一晶体管、所述第二晶体管均为N型晶体管;或,所述第一晶体管、所述第二晶体管均为P型晶体管。在上述基础上优选的,所述第一晶体管、所述第二晶体管均为耗尽型薄膜晶体管;或,所述第一晶体管、所述第二晶体管均为增强型薄膜晶体管。另一方面、本专利技术实施例还提供了一种上述的所述的液晶显示面板的画面闪烁的调校方法;其中,所述液晶显示面板的公共电极连接于公共电极信号源,所述公共电极信号源用于提供预设的第一基准电压;所述液晶显示面板的像素电极具有预设的第一跳变电压ΔVp1;其中,ΔVp1=(Vgh-Vgl)·β1;β1为发生画面闪烁现象前,所述液晶显示面板的像素单元的电容比值:Cgs为由第二晶体管的第一极与第二晶体管的栅极所构成的寄生电容;Clc为由所述像素电极与所述公共电极所构成的液晶电容;Cst为由所述像素电极与第二栅极线所构成的存储电容;Vgh为向所述第二晶体管的栅极施加的扫描信号源的高电平电压;Vgl为向所述第二晶体管的栅极施加的扫描信号源的低电平电压;其特征在于,所述调校方法包括,获取所述液晶显示面板的像素单元发生画面闪烁现象后的第二电容比值β2。其中,所述第二电容比值为:Cgs'为对应于发生画面闪烁现象后,由第二晶体管的第一极与第二晶体管的栅极所构成的寄生电容;Clc'为对应于发生画面闪烁现象后,由所述像素电极与所述公共电极所构成的液晶电容;Cst'为对应于发生画面闪烁现象后,由所述像素电极与第二栅极线所构成的存储电容;获取所述液晶显示面板的像素单元发生画面闪烁现象后的所述像素电极的第二跳变电压ΔVp2;其中,ΔVp2=(Vgh-Vgl)·β2;根据所述第二跳变电压与所述第一跳变电压之间的差值,调节所述公共电极的第一基准电压Vcom1为第二基准电压Vcom2;其中,Vcom2=Vcom1-|ΔVp2-ΔVp1|。优选的,所述获取所述液晶显示面板的像素单元发生画面闪烁现象后的第二电容本文档来自技高网
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一种液晶显示面板及其调校方法

【技术保护点】
一种液晶显示面板,其特征在于,包括,阵列基板,包括呈矩阵排列的多个像素单元;其中,所述像素单元包括,第一晶体管和第二晶体管;第一数据线,连接所述第一晶体管的第一极与测试输入信号源;第二数据线,连接所述第二晶体管的第一极与数据信号源;第一数据线连接线,连接所述第一晶体管的第二极与所述第二数据线;第一栅极线,连接所述第一晶体管的栅极与开启信号源;第二栅极线,连接所述第二晶体管的栅极与扫描信号源;第二栅极线连接线,连接所述第二栅极线与测试输出信号源;像素电极,连接所述第二晶体管的第二极相连;且所述像素电极与所述第二栅极线有重叠;还包括:公共电极;所述公共电极连接公共电极信号源;其中,所述测试输入信号源用于提供测试输入电压V1,所述开启信号源用于提供使所述第一晶体管导通的开启电压VE,以使所述测试输出信号源输出的测试输出电压V2等于:V2=V1·Cgs(Cgs+Clc+Cst);]]>其中,Cgs为由所述第二晶体管的栅极与所述第二晶体管的第一极所构成的寄生电容;Clc为由所述像素电极与所述公共电极所构成的液晶电容;Cst为由所述像素电极与所述第二栅极线所构成的存储电容。

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示面板,其特征在于,包括,阵列基板,包括呈矩阵排列的多个像素单元;其中,所述像素单元包括,第一晶体管和第二晶体管;第一数据线,连接所述第一晶体管的第一极与测试输入信号源;第二数据线,连接所述第二晶体管的第一极与数据信号源;第一数据线连接线,连接所述第一晶体管的第二极与所述第二数据线;第一栅极线,连接所述第一晶体管的栅极与开启信号源;第二栅极线,连接所述第二晶体管的栅极与扫描信号源;第二栅极线连接线,连接所述第二栅极线与测试输出信号源;像素电极,连接所述第二晶体管的第二极;且所述像素电极与所述第二栅极线有重叠;还包括:公共电极;所述公共电极连接公共电极信号源;其中,所述测试输入信号源用于提供测试输入电压V1,所述开启信号源用于提供使所述第一晶体管导通的开启电压VE,以使所述测试输出信号源输出的测试输出电压V2等于:其中,Cgs为由所述第二晶体管的栅极与所述第二晶体管的第一极所构成的寄生电容;Clc为由所述像素电极与所述公共电极所构成的液晶电容;Cst为由所述像素电极与所述第二栅极线所构成的存储电容。2.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第二栅极线连接线,连接所述第二栅极线与测试输出信号源,包括,所述第二栅极线连接线通过栅绝缘层上的过孔与所述第二栅极线连接,且所述第二栅极线连接线连接测试输出信号源。3.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第一数据线与所述第一晶体管的第一极为一体结构。4.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第一数据线连接线与所述第一晶体管的第二极为一体结构。5.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第一栅极线与所述第一晶体管的栅极为一体结构。6.根据权利要求1至5任一项所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第一晶体管的第一极、所述第二晶体管的第一极均为源极;所述第一晶体管的第二极、所述第二晶体管的第二极均为漏极。7.根据权利要求1至5任一项所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管均为N型晶体管;或,所述第一晶体管、所述第二晶体管均为P型晶体管。8.根据权利要求1至5任一项所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管均为耗尽型薄膜晶体管;或,所述第一晶体管、所述第二晶体管均为增强型薄膜晶体管。9.一种如权利要求1至8任一项所述的液晶显示面板的画面闪烁的调校方法;其中,所述液晶显示面板的公共电极连接于公共电极信号源,所述公共电极信号源用于提供预设的第一基准电压;所述液晶显示面板的像素电极具有预设的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴昊于洪俊朱红
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司北京京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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