一种新型射频同轴连接器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型射频同轴连接器，包括插座和转接器，所述转接器包括外导体和中心导体，所述转接器内设有第一绝缘体，所述第一绝缘体为T形状，小端朝外，第一绝缘体填充在转接器的外导体和中心导体之间，通过把第一绝缘体改为T字形，小端朝外，与外导体接触部分为大端处，小端与外导体无接触，之间存在弹性空间，加工方便，成本低，在转接器径向偏移较大时，T字形的第一绝缘体此处弹性空间，对插座的插针形变产生的阻力小，使插座的插针不易产生偏移，不会导致同轴度变差，性能更加优越、稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种新型射频同轴连接器
本技术涉及电气元器件接插
，尤其是一种新型射频同轴连接器。
技术介绍
射频同轴连接器通常被认为是装接在电缆上或安装在仪器上的一种元件，作为传输线电气连接或分离的元件。它属于机电一体化产品。简单的讲它主要起桥梁作用。在六十多年的时间里，经过各国专家的共同努力，使射频同轴连接器形成了独立完整的专业体系，成为连接器家族中的重要组成部分。是同轴传输系统不可缺少的关键元件。美、英、法等国家的射频同轴连接器研制技术处于领先地位，其设计、生产、测试、使用技术已成龙配套，趋于完善，不仅形成了完整的标准体系，而且原材料、辅助材料、测试系统、装配工具等也已标准化，并进行专业化规模生产。目前市场上存在多种板对板连接的射频同轴连接器，都可以达到板间盲差的目的，但是性能不尽相同。该类产品的主要功能是为了在板间连接存在较大容差的情况下同时满足良好的射频同轴性能，如申请号为200810040848.1， 申请日期:为2008.7.22《射频同轴连接器》，包括插座和转换器，所述插座包括外导体和中心导体，转接器上的插头可以插入插座内，转接器也包括外导体和中心导体并可以分别与插座上的外导体、中心导体形成接触配合，所述转换器的插头内设有一哑铃形第一绝缘体，第一绝缘体填充在外导体和中心导体之间，第一绝缘体的中间部位比两端部要细，从而第一绝缘体的中间部位与转换器的外导体之间形成一环形的空隙。这样在插头与插座的接合区域内形成不同的阻抗区域，高阻抗区域与低阻抗区域可以形成阻抗互补，从而降低高阻抗区域对连接器性能的不良影响，提高了产品的电气与射频性能，该产品在转接器径向偏移较大时，插座的插针会因受到反作用力而产生偏心现象，降低了产品的同轴度，因此对产品的驻波及三阶性能都产生不利影响。
技术实现思路
对上述现有技术的现状，本技术所要解决的技术问题在于提供一种偏移尺寸较大且产品性能更加优越，稳定的新型射频同轴连接器。 本技术解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种新型射频同轴连接器，包括插座和转接器，所述转接器包括外导体和中心导体，所述转接器内设有第一绝缘体，所述第一绝缘体为T形状，小端朝外，第一绝缘体填充在转接器的外导体和中心导体之间。 进一步地，所述中心导体外部设有阶梯，固定第一绝缘体，增加了整个转接器的稳定性。 进一步地，所述阶梯口部台阶直径为1.5-1.7_，在满足阻抗补偿的同时又起到了固定第一绝缘体的作用。 进一步地，所述第一绝缘体的材料为聚四氟乙烯，该材料弹性、韧性较好，受到力后会向作用力方向伸展。 进一步地，所述第一绝缘体直径小端厚度为0.2-0.43mm,小端宽度为3.9mm,在这个尺寸内既有弹性又有紧固力。 与现在的技术相比，本技术的优点在于:通过把第一绝缘体改为T字形，小端朝外，与外导体接触部分为大端处，小端与外导体无接触，之间存在弹性空间，加工方便，成本低，在转接器径向偏移较大时，T字形的第一绝缘体此处弹性空间，对插座的插针形变产生的阻力小，使插座的插针不易产生偏移，不会导致同轴度变差，性能更加优越、稳定。 【附图说明】 图1为本技术一种新型射频同轴连接器结构示意图； 图2为本技术一种新型射频同轴连接器的第一绝缘体结构示意图； 图3为本技术一种新型射频同轴连接器的驻波性能表。 【具体实施方式】 为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图，对本技术进行进一步详细说明。 如图1-2所述，一种新型射频同轴连接器，包括插座I和转接器2，所述插座I内设有插针6，所述转接器2包括外导体3和中心导体4，所述转接器2内设有第一绝缘体5，所述第一绝缘体5为T形状，小端朝外，第一绝缘体5填充在转接器2的外导体3和中心导体4之间，第一绝缘体5大端8与外导体3接触，小端7与外导体3无接触，之间存在弹性空间，中心导体4贯穿第一绝缘体5，所述中心导体4外部设有阶梯，固定第一绝缘体5，增加了整个转接器2的稳定性，所述阶梯口部台阶直径为1.5-1.7_，在满足阻抗补偿的同时又起到了固定第一绝缘体5的作用，所述第一绝缘体5的材料为PTFE聚四氟乙烯，该材料弹性、韧性较好，受到力后会向作用力方向伸展，所述第一绝缘体5小端7厚度为0.2-0.43mm,小端7宽度为3.9_，在这个尺寸内既有弹性又有紧固力。 如图3所述，一种新型射频同轴连接器的驻波性能为，在0-3G频率下，轴向容差达到±1.2mm，径向容差达到±0.8mm时，驻波性能均保持在1.20以下，其中正常插合时，驻波性能保持在1.05以下；在3-6G频率下，轴向容差达到±1.2mm，径向容差达到±0.8mm时，驻波性能均保持在1.30以下。 在转接器2径向偏移较大时，插座I的插针6与转换器2中心导体4相接触，产生一个向外的力，转换器的中心导体4会带动第一绝缘体5向弹性空间运动，这样转换器2中心导体4弹开阻力变小，对插座I的插针6的反作用力也变小，插座I的插针6不易发生偏移。 与现在的技术相比，本技术的优点在于:通过把第一绝缘体改为T字形，小端朝外，与外导体接触部分为大端处，小端与外导体无接触，之间存在弹性空间，加工方便，成本低，在转接器径向偏移较大时，T字形的第一绝缘体此处弹性空间，对插座的插针形变产生的阻力小，使插座的插针不易产生偏移，不会导致同轴度变差，性能更加优越、稳定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型射频同轴连接器，包括插座(1)和转接器(2)，所述转接器(2)包括外导体(3)和中心导体(4)，所述转接器(2)内设有第一绝缘体(5)，其特征在于，所述第一绝缘体(5)为T形状，小端朝外，第一绝缘体(5)填充在转接器(2)的外导体(3)和中心导体(4)之间。

【技术特征摘要】
1.一种新型射频同轴连接器，包括插座(I)和转接器(2)，所述转接器(2)包括外导体(3)和中心导体(4)，所述转接器(2)内设有第一绝缘体(5)，其特征在于，所述第一绝缘体(5)为T形状，小端朝外，第一绝缘体(5)填充在转接器(2)的外导体(3)和中心导体(4)之间。2.根据权利要求1所述的一种新型射频同轴连接器，其特征在于，所述中心导体(4)外部设有阶梯...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨舜，陈书义，王波，
申请(专利权)人：宁波市骏瓷通讯连接技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33