【技术实现步骤摘要】
一种自适应假负载电路
本专利技术涉及一种动态假负载,尤其涉及一种电路结构简单的可自适应工作的假负载。
技术介绍
开关电源发展至今存在多种控制方式,例如最为常用的PWM(脉冲宽度调制)、PFM(脉冲频率调制)、PAM(脉冲幅度调制)等。每种控制方式都存在着不同的电路实现形式。通常对于开关电源来讲,希望输出的负载可以在空载和额定负载之间任意变化时,电源的输出均能达到较高的稳定度(通常是1%)。然而这样的要求有时往往难以达到。从控制方式上来看,对于PWM控制方式,有些电路为了保持住开关频率恒定,会限制一个最小占空比。这个最小占空比往往会使得空载或轻载时输出电压超过了额定值。类似的情况在PFM控制方式也会出现,为了使空载或轻载时开关频率不至于上升的过高,以免超过开关器件的承受范围,往往会限制一个最高开关频率,同样也会使得空载时的输出电压偏高。从拓扑结构上看,不同的拓扑结构也会有不同的稳定度性能。从拓扑角度分析,常用的降压型拓扑如Buck、正激、推挽以及桥式拓扑,为了保持每路输出的稳定度,每路拓扑的输出电感均应该工作在连续电流模式状态,当负载电流减小到使电感电流进入断续模式时,输出电压也会升高。另外,进入断续状态后,系统的传递函数也会发生变化,使得控制电路的设计变得复杂。因此也需要在电源的输出端加上假负载。由上面的分析可见,开关电源经常会出现空载或轻载时输出电压偏高的问题。传统的解决方法是在电源的输出端直接并联一个假负载的电阻,但这种方法的问题是,此假负载电阻一直存在,这会使得电源的效率降低。因此需要一种自适应的假负载电路,当电源工作在空载或轻载时,此假负载电路工作 ...
【技术保护点】
一种简单的自适应假负载电路,其特征在于:所述假负载电路包括电源自身的电压反馈补偿单元、比较单元、假负载本体和控制开关;所述电源自身的电压反馈补偿单元检测输出电压值Vo,通过所述电源自身的电压反馈补偿单元的运算放大器与基准值作比较和补偿,输出电压信号Vx;在所述电源自身的电压反馈补偿单元和控制开关之间连接比较单元,所述比较单元由稳压管及串联电阻构成;当输出电压值Vo与Vx的差超过控制开关的阈值电压和比较单元上的电压值之和时,则控制开关被驱动导通,假负载本体并联到输出电压上,假负载本体接入工作;若两者的差值低于阈值电压和比较单元上的电压值之和时,控制开关截止,假负载本体断开。
【技术特征摘要】
1.一种自适应假负载电路,其特征在于:所述假负载电路包括电源自身的电压反馈补偿单元、比较单元、假负载本体和控制开关;所述电源自身的电压反馈补偿单元检测输出电压值Vo,通过所述电源自身的电压反馈补偿单元的运算放大器与基准值作比较和补偿,输出电压信号Vx;在所述电源自身的电压反馈补偿单元和控制开关之间连接比较单元,所述比较单元由稳压管及串联电阻构成;当输出电压值Vo与Vx的差超过控制开关的阈值电压和比较单元上的电压值之和时,则控制开关被驱动导通,假负载本体并联到输出电压上,假负载本体接入工作;若两者的差值低于阈值电压和比较单元上的电压值之和时,控制开关截止,假负载本体断开;所述电源自身的电压反馈补偿单元包括运算放大器、电压基准,假负载本体采用电阻R4,控制开关采用PNP三极管Q1,比较电路采用稳压二极管V1和电阻R1;运算放大器比较基准电压和输出电压Vo,得到运算放大器的输出电压Vx;稳压二极管V1的阴极通过电阻R1与Q1的基极相连,阳极与运算放大器的输出相连;假负载电阻R4一端接地,另一端与Q1的集电极相连;Q1的发射极与输出电压Vo相连。2.根据权利要求1所述的自适应假负载电路,其特征在于:所述假负载本体是能量消耗器件,采用电阻、恒流源或恒功率源。3.根据权利要求1所述的自适应假负载电路,其特征在于:所述控制开关单元是产生导通和截止两种状态的器件,所述控制开关采用电子开关或机械开关,电子开关包括三极管、场效应管。4.根据权利要求1所述的自适应假负载电路,其特征在于:所述电源自身的电压反馈补偿单元由运算放大器、电压基准电路组成,或者由稳压管、电阻电容补偿网络组成,或者由集成度更高的自带稳压基准的集成芯片、电阻电容补偿网络组成。5.一种自适应假负载电路,其特征在于:所述假负载电路包括电源自身的电压反馈补偿单元、比较单元、假负载本体和控制开关;所述电源自身的电压反馈补偿单元检测输出电压值Vo,通过所述电源自身的电压反馈补偿单元的运算放大器与基准值作比较和补偿,输出电压信号Vx;在所述电源自身的电压反馈补偿单元和控制开关之间连接比较单元,所述比较单元由稳压管及串联电阻构成;当输出电压值Vo与Vx的差超过控制开关的阈值电压和比较单元上的电压值之和时,则控制开关被驱动导通,假负载本体并联到输出电压上,假负载本体接入工作;若两者的差值低于阈值电压和比较单元上的电压值之和时,控制开关截止,假负载本体断开;所述电源自身的电压反馈补偿单元包括运算放大器、电压基准,假负载本体采用电阻R4,控制开关采用P沟道MOSFET管,比较电路采用稳压二极管V1和电阻R1;运算放大器比较基准电压和输出电压Vo,得到运算放大器的输出电压Vx;稳压二极管V1的阴极通过电阻R1与P沟道MOSFET管的...
【专利技术属性】
技术研发人员:佟强,刘安涛,王晨,
申请(专利权)人:深圳航天科技创新研究院,
类型:发明
国别省市:广东;44
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