一种铅酸蓄电池充电装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种铅酸蓄电池充电装置。本实用新型专利技术的铅酸蓄电池充电装置，采用凌特公司生产的LTC4020充电芯片，输入电源有过场效应管开关控制，再通过电感后，经二极管输出给待充电电池充电。本实用新型专利技术的铅酸蓄电池充电装置，只需要采用两只声效应管工作，减少两只场效应管，以及效应管的驱动电路，在降低场效应管功耗的同也，也减少了充电芯片的功耗，提高了充电装置的工作可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于铅酸蓄电池应用领域。具体涉及一种铅酸蓄电池充电装置。
技术介绍
铅酸蓄电池是目前应用最为广泛的一种可充电电池。铅酸蓄电池成本较低，使用可靠，在需要大电流放电的场合使用比较广泛。为了保证铅酸蓄电池的使用可靠性和使用寿命，需要针对铅酸蓄电池的特性进行充充电。一般需经过四个过程，1.低电压时小电流充电。2.电压达到一定值后大电流恒流充电。3.电压较高后线性降低充电电流，电流减少到一定值时充电完毕。4.充电电压下降，保持恒压浮充。目前针对铅酸蓄电池的充电器，已有商用的专用集成电路。比如，凌特公司生产的LTC4020。该集成电路具有集成度高，保护功能完善，输入电压范围宽，工作温度范围宽等特点。目前的常用电路中，如图1所示，充电芯片凌特LTC4020在使用的时候，需要采用四只N沟道MOSFET管，除了MOSFET管在工作时会产生功耗外，芯片驱动部分也会产生功耗,使得整个装置功耗较大。MOSFET管为金属-氧化层(金属-氧化层场效晶体管)，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor的简称。
技术实现思路
本技术针对上述不足之处而提供的一种低功耗的铅酸蓄电池充电装置。本技术是这样实现的，一种铅酸蓄电池充电装置，包括铅酸蓄电池充电芯片LTC4020，输入电源INPUT通过电阻R2与N沟道MOSFET管Q3漏极连接，N沟道MOSFET管Q3源极与N沟道MOSFET管Q4漏极连接，N沟道MOSFET管Q4源极接地；充电芯片第37脚通过电阻R6与N沟道MOSFET管Q4门极连接，N沟道MOSFET管Q4门极通过电阻R5接地；充电芯片第38脚通过电阻R4与N沟道MOSFET管Q3门极连接，充电芯片第38脚与N沟道MOSFET管Q3源极连接，充电芯片第1脚通过电阻R3与N沟道MOSFET管Q3门极连接；二极管D2正极与N沟道MOSFET管Q4源极连接，二极管D2负极与N沟道MOSFET管Q4漏极连接；N沟道MOSFET管Q4漏极通过电感L1与二极管正极连接，二极管D1负极通过电阻R20与P沟道MOSFET管Q6源极连接，二极管D1负极通过电容C6接地，P沟道MOSFET管Q6漏极与待充电电池正极连接，待充电电池负极接地；二极管D1负极通过电阻R16与充电芯片26脚连接，电阻R20高电位端通过电阻R17与充电芯片23脚连接，电阻R20低电位端通过电阻R19与充电芯片22脚连接，充电芯片23脚和22脚之间串联电阻R18和电容C13；充电芯片19脚与26脚连接，充电芯片19与18脚之间并联电阻R24和电容C19，P沟道MOSFET管Q6漏极与充电芯片20脚连接，充电芯片20脚通过电阻R25连接17脚，充电芯片17脚和18脚之间并联电容C20和电阻R23。进一步地，电阻R2高电位端与充电芯片第7脚连接，低电位端与6脚连接。进一步地，输入电源INPUT通过线性稳压电路与充电芯片36脚连接。本技术的铅酸蓄电池充电装置，充电电源输入的电流，经过N沟道MOSFET管Q3的开关后，再经过电感L1和二极管D1向被充电电池输出充电电流。减少两只MOSFET管，以及MOSFET管的驱动电路，在降低MOSFET管功耗的同也，也减少了充电芯片的功耗，提高了充电装置的工作可靠性。附图说明图1为现有技术的原理图。图2为本技术的电路原理图。具体实施方式下面结合附图，对本技术作进一点说明。结合图1，一种铅酸蓄电池充电装置，包括铅酸蓄电池充电芯片凌特公司LTC4020，输入电源INPUT通过电阻R2与N沟道MOSFET管Q3漏极连接，N沟道MOSFET管Q3源极与N沟道MOSFET管Q4漏极连接，N沟道MOSFET管Q4源极接地；充电芯片第37脚通过电阻R6与N沟道MOSFET管Q4门极连接，N沟道MOSFET管Q4门极通过电阻R5接地；充电芯片第38脚通过电阻R4与N沟道MOSFET管Q3门极连接，充电芯片第38脚与N沟道MOSFET管Q3源极连接，充电芯片第1脚通过电阻R3与N沟道MOSFET管Q3门极连接；二极管D2正极与N沟道MOSFET管Q4源极连接，二极管D2负极与N沟道MOSFET管Q4漏极连接；N沟道MOSFET管Q4漏极通过电感L1与二极管正极连接，二极管D1负极通过电阻R20与P沟道MOSFET管Q6源极连接，二极管D1负极通过电容C6接地，P沟道MOSFET管Q6漏极与待充电电池正极连接，待充电电池负极接地；二极管D1负极通过电阻R16与充电芯片26脚连接，电阻R20高电位端通过电阻R17与充电芯片23脚连接，电阻R20低电位端通过电阻R19与充电芯片22脚连接，充电芯片23脚和22脚之间串联电阻R18和电容C13；充电芯片19脚与26脚连接，充电芯片19与18脚之间并联电阻R24和电容C19，P沟道MOSFET管Q6漏极与充电芯片20脚连接，充电芯片20脚通过电阻R25连接17脚，充电芯片17脚和18脚之间并联电容C20和电阻R23。进一步地，电阻R2高电位端与充电芯片第7脚连接，低电位端与6脚连接。进一步地，输入电源INPUT通过线性稳压电路与充电芯片36脚连接。本技术的铅酸蓄电池充电装置，当被充电电池电压很低时，进行小电流充电。充电一段时间后，被充电电池电压较高时，进行额定大电流充电。当电池电压快接近最高充电电压时，充电电流线性减小。充电电流小到额定充电电流的10％左右时，充电完毕，进入小电流浮充。本技术的铅酸蓄电池充电装置工作时，N沟道MOSFET管Q3处于开关状态，N沟道MOSFET管Q3导通时，输入电源INPUT电压加在电感L1左端，电感L1电流增大，电流流过电感L1和二极管D1，流入电容C6对电容C6充电，电容C6电压上升。直流输入的电能，一部分存储在在电感L1中，一部分存储在电容C6中。N沟道MOSFET管Q3关闭后，N沟道MOSFET管Q4导通。电流流过N沟道MOSFET管Q4，电感L1，二极管D1，同时电容C6放电。此时，电感L1和N沟道MOSFET管Q4相连的一端电压钳位到地电位，电感L1和二极管D1相连的一端是高电压，所以电感L1电流下降。电容C6由于流出电流而电压下降。二极管D2的作用是，在关断N沟道MOSFET管Q3的瞬间，二极管D2导通，从而防止N沟道MOSFET管Q4的体寄生二极管导通而增大损耗。二极管D1的作用是，防止电流从直流输出反灌到直流输入。本技术的铅酸蓄电池充本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铅酸蓄电池充电装置，包括铅酸蓄电池充电芯片LTC4020，其特征是,输入电源INPUT通过电阻R2与N沟道MOSFET管Q3漏极连接，N沟道MOSFET管Q3源极与N沟道MOSFET管Q4漏极连接，N沟道MOSFET管Q4源极接地；充电芯片第37脚通过电阻R6与N沟道MOSFET管Q4门极连接，N沟道MOSFET管Q4门极通过电阻R5接地；充电芯片第38脚通过电阻R4与N沟道MOSFET管Q3门极连接，充电芯片第38脚与N沟道MOSFET管Q3源极连接，充电芯片第1脚通过电阻R3与N沟道MOSFET管Q3门极连接；二极管D2正极与N沟道MOSFET管Q4源极连接，二极管D2负极与N沟道MOSFET管Q4漏极连接；N沟道MOSFET管Q4漏极通过电感L1与二极管正极连接，二极管D1负极通过电阻R20与P沟道MOSFET管Q6源极连接，二极管D1负极通过电容C6接地，P沟道MOSFET管Q6漏极与待充电电池正极连接，待充电电池负极接地；二极管D1负极通过电阻R16与充电芯片26脚连接，电阻R20高电位端通过电阻R17与充电芯片23脚连接，电阻R20低电位端通过电阻R19与充电芯片22脚连接，充电芯片23脚和22脚之间串联电阻R18和电容C13；充电芯片19脚与26脚连接，充电芯片19与18脚之间并联电阻R24和电容C19，P沟道MOSFET管Q6漏极与充电芯片20脚连接，充电芯片20脚通过电阻R25连接17脚，充电芯片17脚和18脚之间并联电容C20和电阻R23。...

【技术特征摘要】
1.一种铅酸蓄电池充电装置，包括铅酸蓄电池充电芯片LTC4020，其特征是,
输入电源INPUT通过电阻R2与N沟道MOSFET管Q3漏极连接，N沟道
MOSFET管Q3源极与N沟道MOSFET管Q4漏极连接，N沟道MOSFET管
Q4源极接地；充电芯片第37脚通过电阻R6与N沟道MOSFET管Q4门极连
接，N沟道MOSFET管Q4门极通过电阻R5接地；充电芯片第38脚通过电阻
R4与N沟道MOSFET管Q3门极连接，充电芯片第38脚与N沟道MOSFET
管Q3源极连接，充电芯片第1脚通过电阻R3与N沟道MOSFET管Q3门极连
接；二极管D2正极与N沟道MOSFET管Q4源极连接，二极管D2负极与N
沟道MOSFET管Q4漏极连接；N沟道MOSFET管Q4漏极通过电感L1与二
极管正极连接，二极管D1负极通过电阻R20与P沟道MOSFET管Q6源极连
接，二极管D1负极通...

【专利技术属性】
技术研发人员：李绍飞，
申请(专利权)人：四川汇源光通信有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51