测试针头和半导体测试夹具的形成方法技术

一种测试针头和半导体测试夹具的形成方法，其中所述测试针头的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一测试针，所述第一测试针包括位于顶部的第一测试端和位于底部的第一连接端；在第一测试针的侧壁上形成绝缘层；在绝缘层的表面形成第二测试针，所述第二测试针环绕所述第一测试针，所述第二测试针包括位于顶部的第二测试端和位于底部的第二连接端，所述第二测试针的第二测试端具有下凹的第一弧面。本发明专利技术方法形成的测试针头实现对球形的待测试端子的测试，提高了测试的精度。

【技术实现步骤摘要】
测试针头和半导体测试夹具的形成方法
本专利技术涉及半导体测试
，特别涉及一种测试针头和半导体测试夹具的形成方法。
技术介绍
测试制程乃是于IC封装后，测试封装完成的产品的电性功能，以保证出厂IC功能上的完整性，并对已测试的产品依其电性功能作分类，作为IC不同等级产品的评价依据，最后并对产品作外观检验作业。电性功能测试乃针对产品之各种电性参数进行测试以确定产品能正常运作。传统的同一被测端子上两点接触的测试如开尔文测试等，多采用双顶针或双金手指平行并列分布的方式，其主要存在以下不足：1、制造精度较低：随着半导体产品尺寸的不断缩小，被测端子的尺寸以及不同被测端子间的间距也在不断缩小，为了顺应这一趋势，传统平行并列分布的双顶针或双金手指测试方式在其密间距的问题上瓶颈日益突出，精度要求越来越高，有些甚至已无法实现了。2、结构强度较弱：为了在被测端子上有限的空间内实现两点接触测试，顶针或金手指相应越来越细，其机械结构强度也越来越弱。3、使用寿命较短：传统的顶针或金手指的测试接触头较易受磨损，尤其在精度提出更高要求、机械强度相对较低时，磨损程度更大，进而降低了测试夹具的使用寿命。4、测试精度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试针头的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一测试针，所述第一测试针包括位于顶部的第一测试端和位于底部的第一连接端；在第一测试针的侧壁上形成绝缘层；在绝缘层的表面形成第二测试针，所述第二测试针环绕所述第一测试针，所述第二测试针包括位于顶部的第二测试端和位于底部的第二连接端，所述第二测试针的第二测试端具有下凹的第一弧面。

【技术特征摘要】
1.一种测试针头的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一测试针，所述第一测试针包括位于顶部的第一测试端和位于底部的第一连接端；在第一测试针的侧壁上形成绝缘层；在绝缘层的表面形成第二测试针，所述第二测试针环绕所述第一测试针，所述第二测试针包括位于顶部的第二测试端和位于底部的第二连接端，所述第二测试针的第二测试端具有下凹的第一弧面，所述第一测试针的第一测试端表面和绝缘层顶部表面低于第二测试针的第二测试端表面，且满足A或B，A，所述第一测试针的第一测试端表面和绝缘层的顶部表面为平面，且第一测试端表面与绝缘层顶部表面齐平，所述第一弧面的一端边缘与绝缘层的边缘接触，第一弧面的另一端边缘与第二测试针的顶部表面接触；B，所述第一测试针的第一测试端表面和绝缘层的顶部表面具有下凹的第二弧面，所述第一弧面的一端边缘与第二弧面的边缘接触，第一弧面的另一端边缘与第二测试针的顶部表面接触。2.如权利要求1所述的测试针头的形成方法，其特征在于，所述第一测试针、绝缘层和第二测试针的形成过程为：在所述基底上形成第一测试针；形成覆盖所述第一测试针侧壁和顶部表面的绝缘薄膜层；无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述绝缘薄膜层在第一测试针的侧壁形成绝缘层；形成覆盖所述绝缘层和第一测试针顶部表面的第二金属层；无掩膜刻蚀所述第二金属层，在绝缘层表面形成第二测试针；回刻蚀所述第一测试针和绝缘层，使得第一测试针和绝缘层的顶部表面低于第二测试针顶部表面，暴露出第二测试针的部分内侧壁表面；对所述第二测试针的暴露的内侧壁表面和顶部表面进行圆弧化处理，形成第一弧面。3.如权利要求1所述的测试针头的形成方法，其特征在于，所述第一测试针、第二测试针和绝缘层的形成过程为：在所述基底上形成介质层，所述介质层中形成有第一通孔和环绕所述第一通孔的环形通孔，第一通孔和环形通孔之间通过部分介质层隔离；在第一通孔中填充金属形成第一测试针，在环形通孔中填充第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：石磊，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32