【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光学膜
本专利技术涉及一种用于光学补偿的光学膜,更具体而言,涉及厚度方向相位差化th) 小的光学膜。 此外,本专利技术涉及使用该光学膜的光学结构和显示装置。
技术介绍
已广泛用作光学膜的己酸纤维素膜,由于其高强度和阻燃性,已用于各种各样的 照片或光学材料中。该己酸纤维素膜的光学各向异性低于其它聚合物膜,因此具有相对低 的相位差。因此该种己酸纤维素膜已用于极化板等。 最近,对具有更高功能如图像质量改善的液晶显示装置的需求增加,而且还需要 用于作为形成液晶显示装置的材料的极化板的己酸纤维素膜W满足更高的功能。具体而 言,需要在面内切换(IPS))模式液晶显示装置中,确定通过改善色偏和对比率的方法提供 低光学各向异性的己酸纤维素膜化e ;膜面内相位差,化h ;膜厚度方向相位差)。 韩国专利特开申请号2008-0106109(专利文献1)公开了允许减小厚度方向相位 差的化合物,但主要公开异下帰酸基聚合物的加入和波长色散调节器。日本专利特开申请 号2011-089005 (专利文献2)公开了通过加入巧樣酸衍生物改善耐湿性的技术,但是没有 公开减小厚度方向相位差。 因此,需要研发一种己酸纤维素膜,使其在厚度方向相位差充分减小的同时,改善 膜的雾度化aze)、耐热性和耐湿性。 [相关技术文献] [000引(专利文献1)韩国专利特开申请号2008-0106109 (专利文献2)日本专利特开申请号2011-089005
技术实现思路
[技术问题] 本专利技术的一个目的是提供光学膜,具体地,提供一种厚度方向相 ...
【技术保护点】
一种光学膜,其包含:选自由下面的化学式1表示的化合物中的至少一种,用作添加剂,[化学式1]在化学式1中,X表示O、S或N‑R5,Y表示O、S、N‑R25或化学键,R1、R3、R5和R25各自独立地选自氢、(C1‑C10)烷基、(C6‑C20)芳基、(C1‑C20)烷氧基、(C3‑C20)环烷基、(C2‑C7)烯基、(C1‑C10)烷氧基羰基(C1‑C10)烷基、羰基(C1‑C10)烷基、(C3‑C20)杂环烷基和(C4‑C20)杂芳基,R2和R4各自独立地选自氢、(C1‑C10)烷基、(C6‑C20)芳基、(C3‑C20)环烷基、羰基(C1‑C10)烷基、(C3‑C20)杂环烷基和(C4‑C20)杂芳基,R1、R2、R3和R4不同时是氢,以及R1、R2、R3、R4、R5和R25的烷基、芳基、烷氧基、环烷基、烯基、烷氧基羰基、羰基芳基、杂环烷基和杂芳基可进一步由选自(C1‑C7)烷基、卤素、硝基、氰基、羟基、氨基(C6‑C20)芳基、(C2‑C7)烯基、(C3‑C20)环烷基、(C3‑C20)杂环烷基或(C4‑C20)杂芳基中的至少一种来取代。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.05.07 KR 10-2012-00478801. 一种光学膜,其包含: 选自由下面的化学式1表示的化合物中的至少一种,用作添加剂, [化学式1]在化学式1中,X表示0、S或N-R5, Y表示0、S、N-R25或化学键,Rp R3、R5和R25各自独 立地选自氢、(Cl-ClO)烷基、(C6-C20)芳基、(C1-C20)烷氧基、(C3-C20)环烷基、(C2-C7) 烯基、(Cl-ClO)烷氧基羰基(Cl-ClO)烷基、羰基(Cl-ClO)烷基、(C3-C20)杂环烷基和 (C4-C20)杂芳基, R2和R4各自独立地选自氢、(Cl-ClO)烷基、(C6-C20)芳基、(C3-C20)环烷基、羰基 ((:1-(:10)烷基、(〇3-〇20)杂环烷基和(〇4-〇20)杂芳基,1?1、1?2、1? 3和1?4不同时是氢,以及 R R2、R3、R4、R5和R25的烷基、芳基、烷氧基、环烷基、烯基、烷氧基羰基、羰基芳基、杂环 烷基和杂芳基可进一步由选自(C1-C7)烷基、卤素、硝基、氰基、羟基、氨基(C6-C20)芳基、 (C2-C7)烯基、(C3-C20)环烷基、(C3-C20)杂环烷基或(C4-C20)杂芳基中的至少一种来取 代。2. 如权利要求1所述的一种光学膜,其中由化学式1表示的所述化合物选自下面的化 学式2、3或4,在化学式中,R11和R21各自独立的选自氢、(C1-C5)烷基、(C6-C10)芳基、(C3-C20)杂 芳基、(C3-C10)杂环芳基和(C4-C10)杂芳基,R31选自氢、(C1-C5)烷基,(C6-C10)芳基,和 (Cl-ClO)烷氧基,R 41选自氢,(C1-C5)烷基,羰基(C1-C5)烷基和(C6-C10)芳基,以及 Rn、R21、R31和R41的烷基,芳基,杂芳基,烷氧基,羰基烷基,杂环芳基和杂芳基可进一步 被选自(C1-C7)烷基,齒素,硝基、氰基、羟基和氨基中的至少一种取代。3. 如权利要求2所述的一种光学膜,其中化学式2或3中的Rn、R21和R31各自独立的 选自氢、(C1-C5)烷基、(C3-C20)环烷基、(C3-C20)杂环烷基、(C6-C10)芳基和(C6-C10) 杂芳基, Rn、R21和R31的烷基、环烷基、杂环烷基、芳基和杂芳基进一步被选自(C1-C7)烷基,卤 素,硝基、氰基、羟基和氨基中的至少一种取代, Rn、R21和R31中的至少两种包括选自(C3-C20)杂芳基、(C6-C20)芳基、(C3-C20)杂环 芳基和(C...
【专利技术属性】
技术研发人员:金源晔,金明来,金奕钱,赵容均,林珉贞,曹永民,李承彦,郭孝信,
申请(专利权)人:SK新技术株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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