一种光热半导体发电装置制造方法及图纸

一种光热半导体发电装置，包括金属板正极，金属板负极和载流子均匀过渡半导体，其特征在于：金属板正极的左端面光洁度为：Ra=0.012μm以上；载流子均匀过渡半导体是由在金属板正极的左端面上依次涂镀的P型半导体层、本征半导体层、N型半导体和金属参杂半导体层构成；金属参杂半导体层的左端与金属板负极贴结。本实用新型专利技术能大幅度提高太阳能的利用效率，太阳能发电总效率达到50%。还能够利用在余热回收场合。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种光热半导体发电装置，包括金属板正极，金属板负极和载流子均匀过渡半导体，其特征在于：金属板正极的左端面光洁度为：Ra=0.012μm以上；载流子均匀过渡半导体是由在金属板正极的左端面上依次涂镀的P型半导体层、本征半导体层、N型半导体和金属参杂半导体层构成；金属参杂半导体层的左端与金属板负极贴结。本技术能大幅度提高太阳能的利用效率，太阳能发电总效率达到50%。还能够利用在余热回收场合。【专利说明】—种光热半导体发电装置
本技术涉及一种光电新能源
，具体是一种光热发电装置。
技术介绍
随着不可再生能源的供需矛盾日益严重，世界各国却在大力研发和使用新能源，太阳能利用是属于新能源的一种。利用太阳能发电目前主要采用的是光伏电池。光伏电池为人们提供了洁净的新能源。但是目前光伏电池的发电总率较低，仅有10-24%，这是因为光伏电池只能利用光能，不能利用热能。
技术实现思路
本技术的目的，是提供一种能同时利用光能和热能发电的光热半导体发电装置，能大幅度提高太阳能的利用效率，太阳能发电总效率达到50%。还能够利用在余热回收场合。 采用的技术方案 一种光热半导体发电装置，包括金属板正极，金属板负极和载流子均匀过渡半导体，其特征在于: 金属板正极I的左端面光洁度为:Ra=0.012 μ m以上，以便获得最大的正向半导体结结电动势。 载流子均匀过渡半导体是由在金属板正极，左端面上依次涂镀的P型半导体层、本征半导体层、N型半导体和金属参杂半导体层构成。金属参杂半导体层的左端与金属板负极贴结。 载流子均匀过渡半导体，是靠真空镀膜工艺控制来实现的。能消除P型半导体、本征半导体和N型半导体三个半导体反向结结电动势，从而大大提高了发电输出能力。 本技术的优点在于: 1、简化了制造工艺，降低了生产成本。 2、载流子均匀过渡半导体，消除了 P型半导体、本征半导体和N型半导体的反向结结电动势，大幅度提高了输出电压。 3、本技术同时利用太阳光能和热能，并通过载流子均匀过渡半导体，使太阳能发电总效率达到50%左右。 4、两块金属板电极直接输出动力，可以任意串联或并联组合，实现大功率输出发电。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术的一种实施例结构示意图。 【具体实施方式】 一种光热半导体发电装置，包括金属板正极1，金属板负极2和载流子均匀过渡半导体3，其特征在于: 金属板正极I的左端面光洁度很高，为:Ι^ι=0.012μπι以上，以便获得最大的正向半导体结结电动势。 载流子均匀过渡半导体3是由在金属板正极I的左端面上依次涂镀的P型半导体层、本征半导体层、N型半导体和金属参杂半导体层构成。金属参杂半导体的参杂金属为锑，锑的参杂量从零到百分百，金属参杂半导体层的左端与金属板负极2贴结。 图中R为用电器，V为电压表。【权利要求】1.一种光热半导体发电装置，包括金属板正极(1)，金属板负极(2)和载流子均匀过渡半导体(3)，其特征在于: 金属板正极(I)的左端面光洁度为=Ra = 0.012 μ m以上；载流子均匀过渡半导体(3)是由在金属板正极(I)的左端面上依次涂镀的P型半导体层、本征半导体层、N型半导体和金属参杂半导体层构成；金属参杂半导体层的左端与金属板负极(2)贴结。【文档编号】H02S10/30GK204089690SQ201420382074【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年7月11日 优先权日:2014年7月11日 【专利技术者】潘守文 申请人:潘守文本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光热半导体发电装置，包括金属板正极（1），金属板负极（2）和载流子均匀过渡半导体（3），其特征在于：金属板正极（1）的左端面光洁度为：Ra = 0.012μm以上；载流子均匀过渡半导体（3）是由在金属板正极（1）的左端面上依次涂镀的P型半导体层、本征半导体层、N型半导体和金属参杂半导体层构成；金属参杂半导体层的左端与金属板负极（2）贴结。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘守文，
申请(专利权)人：潘守文，
类型：新型
国别省市：辽宁;21