【技术实现步骤摘要】
工业磁电纳米位移传感器
本专利技术涉及一种位移传感器,特别涉及一种用于工业磁电纳米位移传感器。
技术介绍
目前,应用于位移测量的传感器技术主要有两大类,及接触类与非接触类,接触类的主要有电阻式直线位移传感器等,目前主要包括派金属导体类与导电塑料式位移传感器两种。非接触类位移传感器有电容式位移传感器,超声波式位移传感器,激光式位移传感器,涡流式位移传感器,光栅式位移传感器,差动变压器式位移传感器(LVDT),磁尺等上述的位移传感器具有以下的缺陷和不足:1、分辨率低:通常码盘的物理分辨率低,目前lum分辨率算是高精度,如果要制造物理高分辨率的光栅,体积大,技术难度高,成本高,对制造装置的技术要求也高,成本高;2、电路结构复杂:对于信号的识别,前端信号的调整放大,处理电路复杂,增加了的电路的抗电磁干扰的因素,成本高;3、输出信号的格式有限,通常是增量型的输出信号;4、机械结构复杂:对于产品的制造使用和维护要求高,成本高;5、外形体积大,因此导致应用领域有限;6、使用环境:对于震动和振动环境要求苛刻;7、对于使用温湿度环境要求有限,对于震动和振动场合,要求比较苛刻;8、对于超长距离的测量不能达到,目前比较长距离的测量范围是3-5米。
技术实现思路
为了克服上述缺陷,本专利技术提供了一种分辨率高、结构简单、适用范围广的工业磁电纳米位移传感器。 本专利技术为了解决其技术问题所采用的技术方案是:一种工业磁电纳米位移传感器,包括设置在机构本体上通过数据线依次连接的磁场发生模块、前级信号处理及放大电路、信号放大与转换电路和输出信号转换接 ...
【技术保护点】
一种工业磁电纳米位移传感器,包括设置在机构本体(1)上通过数据线依次连接的磁场发生模块(2)、前级信号处理及放大电路(3)、信号放大与转换电路(4)和输出信号转换接口(5),且信号放大与转换电路(4)上还连接一信号处理与程序存储器(6),所述输出信号转换接口(5)通过电缆(7)与外部电源连接,其特征在于:所述磁场发生模块(2)由第一磁场发生元件(8)和第二磁场发生元件(9)组成,所述第二磁场发生元件(9)固定于机构本体(1)的一平面上,所述第一磁场发生元件(8)设于机构本体(1)外的一直线平面上,且第一磁场发生元件(8)沿着直线平面方向相对于第二磁场发生元件(9)做相对移动,第一磁场发生元件(8)和第二磁场发生元件(9)之间设有间隙。
【技术特征摘要】
1.一种工业磁电纳米位移传感器,包括设置在机构本体(I)上通过数据线依次连接的磁场发生模块(2)、前级信号处理及放大电路(3)、信号放大与转换电路(4)和输出信号转换接口(5),且信号放大与转换电路(4)上还连接一信号处理与程序存储器¢),所述输出信号转换接口(5)通过电缆(7)与外部电源连接,其特征在于:所述磁场发生模块(2)由第一磁场发生元件(8)和第二磁场发生元件(9)组成,所述第二磁场发生元件(9)固定于机构本体(I)的一平面上,所述第一磁场发生元件(8)设于机构本体...
【专利技术属性】
技术研发人员:李新华,
申请(专利权)人:昆山科致瑞斯传感技术有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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