高隔离度矩阵开关制造技术

本实用新型专利技术公开了高隔离度矩阵开关，包括电感L2和至少两条第一电路；至少两条第一电路并联形成的电路与电感L2并联；所述第一电路包括电容C1、二极管V3、二极管V4、由二极管V1和电阻R1并联形成的第一支路，由电感L1与电容C2并联形成的第二支路，由二极管V2接地形成的第三支路；所述电容C1、第一支路、二极管V3和二极管V4通过微带线依次连接在一起；所述第二支路连接在电容C1与第一支路之间；所述第一支路与二极管V3之间的微带线上至少并联有一条第三支路。在微带线上设置的两只二极管及微带线上并联的几只二极管，能够有效地保证矩阵开关的隔离度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
高隔离度矩阵开关
本技术涉及开关领域，具体涉及高隔离度矩阵开关。
技术介绍
矩阵开关和微波开关主要用来做信号切换，根据实际UUT的测量需求，灵活分配系统的测试资源。单刀多掷开关一般是在L波段采用串并联方式，经计算机仿真，当单刀多掷开关体积做得比较小时，按常规做法(即增加并联PIN管芯数量)隔离度只能达到60dB。
技术实现思路
针对现有技术中的上述不足，本技术提供的高隔离度矩阵开关在缩小体积后仍能保证开关的隔离度。 为了达到上述专利技术目的，本技术采用的技术方案为:提供一种高隔离度矩阵开关，其包括电感L2和至少两条第一电路；至少两条第一电路并联形成的电路与电感L2并联；所述第一电路包括电容Cl、二极管V3、二极管V4、由二极管Vl和电阻Rl并联形成的第一支路，由电感LI与电容C2并联形成的第二支路，由二极管V2接地形成的第三支路；所述电容Cl、第一支路、二极管V3和二极管V4通过微带线依次连接在一起；所述第二支路连接在电容Cl与第一支路之间；所述第一支路与二极管V3之间的微带线上至少并联有一条第二支路。 设计时，优先所述第一电路的电容Cl左端的微带线上并联本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高隔离度矩阵开关，其特征在于：包括电感L2和至少两条第一电路；至少两条第一电路并联形成的电路与电感L2并联；所述第一电路包括电容C1、二极管V3、二极管V4、由二极管V1和电阻R1并联形成的第一支路，由电感L1与电容C2并联形成的第二支路，由二极管V2接地形成的第三支路；所述电容C1、第一支路、二极管V3和二极管V4通过微带线依次连接在一起；所述第二支路连接在电容C1与第一支路之间；所述第一支路与二极管V3之间的微带线上至少并联有一条第三支路。

【技术特征摘要】
1.一种高隔离度矩阵开关，其特征在于:包括电感L2和至少两条第一电路；至少两条第一电路并联形成的电路与电感L2并联；所述第一电路包括电容Cl、二极管V3、二极管V4、由二极管Vl和电阻Rl并联形成的第一支路，由电感LI与电容C2并联形成的第二支路，由二极管V2接地形成的第三支路；所述电容Cl、第一支路、二极管V3和二极管V4通过微带线依次连接在一起；所述第二支路连接在电容Cl与第一支路之间；所述第一支路与二极管V3之间的微带线上至少并联有一条第三支路。2.根据权利要求1所述的高隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：周开斌，毛艳，
申请(专利权)人：成都创新达微波电子有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51