多用途充电器输出端极性反接保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种充电器输出端极性反接保护电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，NMOS管Q1、Q3和Q4，PNP三极管Q2，光电耦合器U1，稳压二极管ZD1。NMOS管Q1的栅极接电阻R1的一端和MCU的控制端，电阻R1的另一端接地GND_1；NMOS管Q1的源极接地GND_1，漏极接光电耦合器U1输入端阴极；电阻R2的一端接电源VCC1，另一端接光电耦合器U1的输入端阳极；电阻R3并联在光电耦合器U1的两输入端间。电阻R4的一端接电源VCC1，另一端接PNP三极管Q2的发射极和电阻R5的一端，PNP三极管Q2的基极接电阻R5的另一端和光电耦合器U1的输出端阳极，等等。在蓄电池极性反接时，该电路提供有效的保护功能。

【技术实现步骤摘要】
多用途充电器输出端极性反接保护电路
本技术涉及一种充电器电路，尤其是一种充电器输出端极性反接保护电路。
技术介绍
目前蓄电池在各行各业中都有广泛应用，尤其是12v电压的蓄电池，在船舶、汽车等交通工具中均有使用。 充电器为蓄电池提供了电能，蓄电池将电能转化为化学能储存起来。在一些需要手工连接充电线的场合，将蓄电池的接线端连接充电器输出端时，万一极性反接，则非常容易造成充电器和蓄电池的损坏。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种充电器中的输出端极性反接保护电路；能够在蓄电池接入发生极性反接情况时，断开与蓄电池的连接，起到保护作用。本技术采用的技术方案是: 一种多用途充电器输出端极性反接保护电路，包括电阻Rl、R2、R3、R4、R5、R6、R7，NMOS管Q1、Q3和Q4，PNP三极管Q2，光电耦合器Ul，稳压二极管ZDl。 NMOS管Ql的栅极接电阻Rl的一端和MCU的控制端，电阻Rl的另一端接地GND_1 ；NMOS管Ql的源极接地GND_1，漏极接光电耦合器Ul输入端阴极；电阻R2的一端接电源VCC1,另一端接光电稱合器Ul的输入端阳极；电阻R3并联在光电稱合器Ul的两输入端间。 电阻R4的一端接电源VCC1，另一端接PNP三极管Q2的发射极和电阻R5的一端，PNP三极管Q2的基极接电阻R5的另一端和光电耦合器Ul的输出端阳极，以及电阻R6的一端；PNP三极管Q2的集电极接电阻R6的另一端和光电耦合器Ul的输出端阴极。 NMOS管Q3的漏极接上一级电路的输出电压V_out ;NM0S管Q3的栅极接电源VCC1，源极接光电耦合器Ul的输出端阴极。 NMOS管Q4的栅极接电源VCCl，源极接光电耦合器Ul的输出端阴极，漏极用于连接蓄电池正极；稳压二极管的阳极接NMOS管Q3、Q4的源极和电阻R7的一端，阴极接电源VCCl和电阻R7的另一端。 NMOS管Q3和Q4内部均包含体二极管。 本技术所提供的电路，具备良好的保护性能，可以有效防止蓄电池极性反接对充电器和蓄电池自身造成的损害。 【附图说明】 图1为本技术的原理图。 【具体实施方式】 下面结合具体附图和实施例对本技术作进一步说明。 本技术所提出的一种多用途充电器输出端极性反接保护电路，如图1所示，包括电阻町、1?2、1?3、1?4、1?5、1?6、1?7，匪05管01、03和Q4，PNP三极管Q2，光电耦合器U1，稳压二极管ZDl ； NMOS管Ql的栅极接电阻Rl的一端和MCU的控制端(可由MCU的某个I/O 口担当)，电阻Rl的另一端接地GND_1 ；NM0S管Ql的源极接地GND_1，漏极接光电耦合器Ul输入端阴极；电阻R2的一端接电源VCC1，另一端接光电耦合器Ul的输入端阳极；电阻R3并联在光电稱合器Ul的两输入端间；电源VCCl的电压是12v ； 电阻R4的一端接电源VCC1，另一端接PNP三极管Q2的发射极和电阻R5的一端，PNP三极管Q2的基极接电阻R5的另一端和光电耦合器Ul的输出端阳极，以及电阻R6的一端；PNP三极管Q2的集电极接电阻R6的另一端和光电耦合器Ul的输出端阴极； NMOS管Q3的漏极接上一级电路的输出电压V_out ;上一级电路包括充电器中的次级整流滤波电路和输出端分离电路(内含受控于MCU的继电器)，在充电器正常工作时，输出端分离电路中的继电器吸合，能够输出V_out为13?16v。NMOS管Q3的栅极接电源VCCl，源极接光电耦合器Ul的输出端阴极； NMOS管Q4的栅极接电源VCCl，源极接光电耦合器Ul的输出端阴极，漏极用于连接蓄电池正极；稳压二极管的阳极接NMOS管Q3、Q4的源极和电阻R7的一端，阴极接电源VCCl和电阻R7的另一端。 上述电路中，光电耦合器Ul选用TLP190B ;电阻R4的取值很小，I?4.7欧姆即可，一个实验值如2.7欧姆；NM0S管Q3和Q4选用功率MOS管，内部均包含体二极管。 本技术的工作原理为: 当MCU检测到蓄电池正常接入(没有反接)，并且存在￥_0此电压时，MCU的控制端输出一个高电平，使得NMOS管Ql导通,继而光电I禹合器Ul导通,光电I禹合器Ul的两输出端间的电压使得NOMS管Q3的栅极和源极间存在大于其导通电压的电压差，NMOS管Q3导通；而NMOS管Q4中电流经过体二极管从源极流向漏极，即此时电流可以流向蓄电池正极，则正常进行充电。 当MCU检测到蓄电池反接时，则控制端输出一个低电平，使得NNMOS管Ql关断，光电耦合器Ul也关断，则三极管Q2充分导通，由于电阻R4取值很小，使得NMOS管Q3和Q4的栅极、源极间压差非常小，?OS管Q3和Q4关断，切断输出电流，保护了蓄电池。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多用途充电器输出端极性反接保护电路，其特征在于：包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，NMOS管Q1、Q3和Q4，PNP三极管Q2，光电耦合器U1，稳压二极管ZD1；NMOS管Q1的栅极接电阻R1的一端和MCU的控制端，电阻R1的另一端接地GND_1；NMOS管Q1的源极接地GND_1，漏极接光电耦合器U1输入端阴极；电阻R2的一端接电源VCC1，另一端接光电耦合器U1的输入端阳极；电阻R3并联在光电耦合器U1的两输入端间；电阻R4的一端接电源VCC1，另一端接PNP三极管Q2的发射极和电阻R5的一端，PNP三极管Q2的基极接电阻R5的另一端和光电耦合器U1的输出端阳极，以及电阻R6的一端；PNP三极管Q2的集电极接电阻R6的另一端和光电耦合器U1的输出端阴极；NMOS管Q3的漏极接上一级电路的输出电压V_out；NMOS管Q3的栅极接电源VCC1，源极接光电耦合器U1的输出端阴极；NMOS管Q4的栅极接电源VCC1，源极接光电耦合器U1的输出端阴极，漏极用于连接蓄电池正极；稳压二极管的阳极接NMOS管Q3、Q4的源极和电阻R7的一端，阴极接电源VCC1和电阻R7的另一端；NMOS管Q3和Q4内部均包含体二极管。...

【技术特征摘要】
1.一种多用途充电器输出端极性反接保护电路，其特征在于:包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，NMOS管Ql、Q3和Q4，PNP三极管Q2，光电耦合器Ul，稳压二极管ZDl ； NMOS管Ql的栅极接电阻Rl的一端和MCU的控制端，电阻Rl的另一端接地GND_1 ；NM0S管Ql的源极接地GND_1，漏极接光电耦合器Ul输入端阴极；电阻R2的一端接电源VCCl，另一端接光电稱合器Ul的输入端阳极；电阻R3并联在光电稱合器Ul的两输入端间； 电阻R4的一端接电源VCC1，另一端接PNP三极管Q2的发射极和电阻R5的一端，PNP三极管Q2的基极接电阻R5的另一端和光电耦合器Ul的输出端阳极，以及电阻R6的一端；PNP三极管Q...

【专利技术属性】
技术研发人员：衡长森，陈宝忠，滕夏晨，吴丹，潘卫星，
申请(专利权)人：帝发技术无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32