一种WSI复合栅的制造方法技术

本发明专利技术提供一种WSI复合栅的制造方法，其包括：在硅片上先形成栅氧层结构的步骤；在形成栅氧层后的硅片上沉淀多晶硅的步骤；对硅片进行预清洗的步骤；在沉积过多晶硅的硅片上沉积难熔金属硅化物（WSI）的步骤；进行WSI刻蚀的步骤；进行多晶硅刻蚀形成WSI复合栅极的步骤；不进行氧气处理直接形成WSI复合栅极侧壁氧化层的步骤。本发明专利技术的方法在进行完多晶硅刻蚀之后不进行氧气流清洗的步骤，直接进行硅栅侧壁氧化层的步骤，能够有效避免WSI残留的缺陷，提高产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种WSI复合栅的制造方法 【
】本专利技术是关于半导体制程领域，特别是关于一种WSI复合栅的制造方法。 【
技术介绍
】 难熔金属硅化物（WSI)制程广泛用于低端逻辑和模拟产品中，通过在多晶硅上淀 积难熔金属硅化物，经退火工艺后形成金属硅化物复合栅结构，降低多晶硅栅的电阻率从 而提高器件的速度。 如图1所示，其显示现有的形成WSI硅栅的制程的部分步骤图，如图1所示，现有 的WSI硅栅的制造方法流程通常是先形成栅氧结构，然后沉淀多晶硅，经过预清洗之后，然 后沉淀WSI，之后进行WSI刻蚀和多晶硅刻蚀形成WSI复合栅极。 如图2所示，其显示现有的WSI硅栅的制程的WSI刻蚀和多晶硅刻蚀的步骤图。如 图2所示，现有的WSI刻蚀和多晶硅刻蚀的步骤通常是先进行WS；[主刻蚀，然后进行WSI过 刻蚀，然后进行多晶硅主刻蚀和多晶硅过刻蚀，现有的刻蚀在进行完多晶硅的过刻蚀之后， 通常还包括使用氧气流进行腔体壁清洗的步骤。如图3所示，现有的这种WSI硅栅的刻蚀 方法，形成的WSI硅栅通常会出现WSI残留缺陷，影响产品的良率。 因此，需要提供一种改进的方法来克服现有技术的前述缺陷。 【
技术实现思路
】 本专利技术的目的在于提供一种WSI复合栅的制造方法。 为达成前述目的，本专利技术一种WSI复合栅的制造方法，其包括： 在硅片上先形成栅氧层结构的步骤，其中栅氧层的厚度为123埃（A); 在形成栅氧层后的硅片上沉淀多晶硅（po 1 y )的步骤，其中沉淀多晶硅采用化学气 相沉积（CVD)的方法沉积，沉积的厚度为1500埃(A); 对硅片进行预清洗的步骤； 在沉积过多晶硅的硅片上沉积难熔金属硅化物（WSI)的步骤，其中沉积WSI采用 化学气相沉积（CVD)的方法沉积，沉积的厚度为1200埃(II; 进行WSI刻蚀的步骤； 进行多晶硅刻蚀形成WSI复合栅极的步骤；不进行氧气处理直接形成WSI复合栅极侧壁氧化层的步骤。 根据本专利技术的一个实施例，其中WSI刻蚀和多晶硅刻蚀是采用的干法刻蚀，使用 的设备为等离子体刻蚀机。 根据本专利技术的一个实施例，其中所述进行WSI刻蚀的步骤进一步包括： 进行WSI主刻蚀的步骤，其中进行WSI主刻蚀的参数设置为腔室压力为6兆托 (mt)，电极源端功率为400瓦（w)，电极偏压端功率为80瓦（w)，通入80标况毫升每分流量 的氯气（CL2)和25标况毫升每分流量的四氟化碳（CF4)。 进行WSI过刻蚀的步骤，其中进行WSI过刻蚀的参数设置为腔室压力为6兆托 (mt)，电极源端功率为400瓦（w)，电极偏压端功率为80瓦（w)，通入80标况毫升每分流量 的氯气（CL 2)和35标况毫升每分流量的四氟化碳（CF4)。 根据本专利技术的一个实施例，其中进行多晶硅刻蚀形成WSI复合栅极的步骤进一步 包括： 进行多晶硅主刻蚀的步骤，其中进行多晶硅主刻蚀的参数设置为腔室压力为8兆 托（mt)，电极源端功率为220瓦U)，通入50标况毫升/分流量的氯气（CL 2)和125标况毫 升/分流量的溴化氢（HBr )。 进行多晶硅过刻蚀的步骤，其中进行多晶硅过刻蚀的参数设置为腔室压力为60 兆托（mt)，电极源端功率为220瓦（w)，通入150标况毫升/分流量的氦气（HE)和100标况 毫升/分流量的溴化氢（HBr)。 本专利技术的WSI复合栅的制造方法，在进行完多晶硅刻蚀之后不进行氧气流清洗的 步骤，直接进行硅栅侧壁氧化层的步骤，能够有效避免WSI残留的缺陷，提高产品的良率。 【【附图说明】】 图1是形成WSI硅栅的制程的部分步骤图。 图2是现有的WSI硅栅的制程的WSI刻蚀和多晶硅刻蚀的步骤图。 图3是现有的WSI硅栅的刻蚀方法形成的WSI硅栅出现WSI残留缺陷的显微图片。 图4是本专利技术的WSI硅栅的制造方法流程图。 图5是本专利技术的WSI硅栅的制程的WSI刻蚀和多晶硅刻蚀的步骤图。 图6为采用本专利技术的WSI刻蚀方法之后的产品缺陷趋势图。 【【具体实施方式】】 此处所称的一个实施例或实施例是指可包含于本专利技术至少一个实现方式中 的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的在一个实施例中并非均指同一 个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。 难熔金属硅化物（WSI)制程广泛用于低端逻辑和模拟产品中，通过在多晶硅上淀 积难熔金属硅化物，经退火工艺后形成金属硅化物复合栅结构，降低多晶硅栅的电阻率从 而提高器件的速度。 如图4所示，本专利技术的WSI硅栅的制造方法流程通常包括如下步骤： 步骤S41 :在硅片上先形成栅氧层结构，其中栅氧层的厚度为123埃錢）。 步骤S42 :在形成栅氧层后的硅片上沉淀多晶硅（poly)，其中沉淀多晶硅可以采 用化学气相沉积（CVD)的方法沉积，沉积的厚度为1500埃CiX 步骤S43 :对硅片进行预清洗。 步骤S44 :在沉积过多晶硅的硅片上沉积难熔金属硅化物（WSI)，其中沉积WSI可 以采用化学气相沉积（CVD)的方法沉积，沉积的厚度为1200埃(產:)。 步骤S45 :进行WSI刻蚀。 步骤S46 :进行多晶硅刻蚀形成WSI复合栅极。步骤S47 :形成wsi复合栅极侧壁氧化层。请参阅图5所示，其显示进行WSI刻蚀和多晶硅刻蚀的具体方法流程图。本专利技术的 一个实施例中WSI刻蚀和多晶硅刻蚀是采用的干法刻蚀，使用的设备为等离子体刻蚀机。 如图5所示，本专利技术的WSI刻蚀和多晶硅刻蚀的具体方法包括如下步骤：步骤S51 :进行WSI主刻蚀，其中进行WSI主刻蚀的参数设置为腔室压力为6兆托 (mt)，电极源端功率为400瓦（w)，电极偏压端功率为80瓦（w)，通入80标况毫升每分流量 的氯气（CL2)和25标况晕升每分流量的四氟化碳（cf 4)。 步骤S52 :进行WSI过刻蚀，其中进行WSI过刻蚀的参数设置为腔室压力为6兆托 (mt)，电极源端功率为400瓦（w),电极偏压端功率为80瓦（w)，通入80标况毫升每分流量 的氯气（CL2)和35标况毫升每分流量的四氟化碳（CF4)。 t〇〇42]步骤S53 :进行多晶硅主刻蚀，其中进行多晶硅主刻蚀的参数设置为腔室压力为8 兆托（mt)，电极源端功率为220瓦（w)，通入5〇标况毫升/分流量的氯气（CL2)和125标况 毫升/分流量的溴化氢（HBr)。 步骤S54 :进行多晶硅过刻蚀，其中进行多晶硅过刻蚀的参数设置为腔室压力为 60兆托(mt)，电极源端功率为220瓦（w)，通入150标况毫升/分流量的氦气（HE)和1〇〇标 况晕升/分流量的溴化M(HBr)。请参阅图6所示，其显示采用本专利技术的WSI刻蚀方法之后的产品缺陷趋势图，从图 6中可以看出使用本专利技术的WSI刻蚀方法之后缺陷降低为零，证明本专利技术的方法能有效避 免WSI残留的缺陷。综上所述，本专利技术的WSI栅的干法刻蚀方法,在进行完多晶硅刻蚀之后不进行氧 气处理的步骤，直接进行硅栅侧壁氧化层的步骤，能够有效避免WSI残留的缺陷，提高产品 的良率。上述说明已经充分揭露了本专利技术的【具体实施方式】。需要指出的是，熟悉该领域的 技术人员对本专利技术的【具体实施方式】所做的任何改动均不脱离本专利技术的权利要求书的范围。 相应地，本专利技术的权利要求的范围也并不仅仅局限于前述【具体实施方式】。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种WSI复合栅的制造方法，其包括：在硅片上先形成栅氧层结构的步骤，其中栅氧层的厚度为123埃在形成栅氧层后的硅片上沉淀多晶硅（poly）的步骤，其中沉淀多晶硅采用化学气相沉积（CVD）的方法沉积，沉积的厚度为1500埃对硅片进行预清洗的步骤；在沉积过多晶硅的硅片上沉积难熔金属硅化物（WSI）的步骤，其中沉积WSI采用化学气相沉积（CVD）的方法沉积，沉积的厚度为1200埃进行WSI刻蚀的步骤；进行多晶硅刻蚀形成WSI复合栅极的步骤；不进行氧气处理直接形成WSI复合栅极侧壁氧化层的步骤。

【技术特征摘要】
1. 一种WSI复合栅的制造方法，其包括： 在硅片上先形成栅氧层结构的步骤，其中栅氧层的厚度为123埃(A); 在形成栅氧层后的硅片上沉淀多晶硅（poly)的步骤，其中沉淀多晶硅采用化学气相沉 积（CVD)的方法沉积，沉积的厚度为1500埃(A); 对硅片进行预清洗的步骤； 在沉积过多晶硅的硅片上沉积难熔金属硅化物（WSI)的步骤，其中沉积WSI采用化学 气相沉积（CVD)的方法沉积，沉积的厚度为1200埃(A); 进行WSI刻蚀的步骤； 进行多晶硅刻蚀形成WSI复合栅极的步骤； 不进行氧气处理直接形成WSI复合栅极侧壁氧化层的步骤。2. 如权利要求1所述的方法，其中WSI刻蚀和多晶硅刻蚀是采用的干法刻蚀，使用的设 备为等离子体刻蚀机。3. 如权利要求2所述的方法，其中所述进行WSI刻蚀的步骤进一步包括： 进行WSI主刻蚀的步骤，其中进行WSI主刻蚀的参数设置为腔室压力为6兆托(mt)，电 极源端功率为400瓦（w)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚威，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32