本实用新型专利技术公开了中通式光纤处理装置，包括缠绕盘主体与进气头，在缠绕盘主体与进气头上还分别设置有相互配合的连接结构；缠绕盘主体的中部设置有中空的中轴，在中轴上还设置有通气孔，在中轴的端部还设置有进气口；缠绕盘主体的连接结构为卡片，卡片设置在缠绕盘主体的侧壁上进气口的周围；进气头包括进气头主体、进气斗以及连接头；进气头上的连接结构为卡槽，该卡槽环绕设置在进气头主体的周围，卡槽的数量及位置与卡片的数量及位置相对应。本实用新型专利技术提供一种中通式光纤处理装置，从而能够更好的排出光纤之间的空气，并且在排出空气的同时，让D2更好的包裹在光纤上，大大提高了处理的效率与光纤的品质，很好的促进了行业的发展与企业的壮大。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了中通式光纤处理装置，包括缠绕盘主体与进气头，在缠绕盘主体与进气头上还分别设置有相互配合的连接结构；缠绕盘主体的中部设置有中空的中轴，在中轴上还设置有通气孔，在中轴的端部还设置有进气口；缠绕盘主体的连接结构为卡片，卡片设置在缠绕盘主体的侧壁上进气口的周围；进气头包括进气头主体、进气斗以及连接头；进气头上的连接结构为卡槽，该卡槽环绕设置在进气头主体的周围，卡槽的数量及位置与卡片的数量及位置相对应。本技术提供一种中通式光纤处理装置，从而能够更好的排出光纤之间的空气，并且在排出空气的同时，让D2更好的包裹在光纤上，大大提高了处理的效率与光纤的品质，很好的促进了行业的发展与企业的壮大。【专利说明】中通式光纤处理装置
本技术涉及一种光纤处理装置，具体的说是涉及一种光纤制造过程中使用的中通式光纤处理装置。
技术介绍
目前，光纤在进行生产的过程中需要通过D2进行处理，以消除1380nm附近的氢氧根吸收峰(俗称水峰)，而通常进行的处理过程是将缠绕在收线盘上的光纤放置在恒定压力的处理罐中一定时间，该处理罐中含有D2，利用D2分子的自由运动，逐渐渗透到光纤周围，与光纤中的S1-O-断键结合，形成稳定的S1-0-D，此氘氧键的结合键能大于氢氧键能，如此可以避免氢氧根的形成，从而可以消除1380nm附近的氢氧根吸收峰(俗称水峰)，这个过程通常超过20小时，如此进行处理的最大弊端是在恒定的压力下，很难将残留在光纤缝隙之间的空气排出，让D2有效的包裹在光纤周围。并且随着光纤生产技术的提高，收线盘所承绕的光纤越来越多，如此严重的影响了 D2处理的效率和质量，不利于行业的发展与企业的壮大。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种中通式光纤处理装置，从而能够更好的排出光纤之间的空气，并且在排出空气的同时，让D2更好的更好的包裹在光纤上，大大提高了处理的效率与光纤的品质，很好的促进了行业的发展与企业的壮大。 为解决以上技术问题，本技术的技术方案是: 中通式光纤处理装置，包括缠绕盘主体与进气头，在缠绕盘主体与进气头上还分别设置有相互配合的连接结构。 进一步的，上述缠绕盘主体的中部设置有中空的中轴，在中轴上还设置有通气孔，在中轴的端部还设置有进气口。 作为优选，所述通气孔成阵列设置在中轴的轴壁上。 再进一步的，上述缠绕盘主体的连接结构为卡片，卡片设置在缠绕盘主体的侧壁上进气口的周围。 作为优选，所述进气口的数量为一个或两个，设置在中轴的一端或者同时设置在中轴的两端。 作为优选,所述进气头的数量与进气口的数量相匹配。 更进一步的，上述进气头包括进气头主体、进气斗以及连接头。 另外，所述进气头上的连接结构为卡槽，该卡槽环绕设置在进气头主体的周围，卡槽的数量以及设置位置与卡片的数量以及设置位置相对应。 作为优选，所述进气头主体与中轴接触位置设置有至少一圈密封圈。 中通式光纤处理装置的使用方法，先将光纤缠绕在缠绕盘主体的中轴上，接着将光纤处理装置的中轴套接在进气头主体上，将卡片推入卡槽中使缠绕盘主体与进气头固为一体，接着将其放入处理罐中，通过进气头导入D2气，并控制导入的D2气压力范围在0.02MPa ?0.5MPa 之间。 与现有技术相比，本技术有以下有益效果: 本技术通过进气头从中轴位置进气，气体通过通气孔向外扩散，在扩散过程中能够更好的排出光纤之间的空气，并且在排出空气的同时，让D2更好的包裹在光纤上，避免了在处理过程中有空气遗留在光纤之间，进而提高了气体处理的效率与光纤的品质质量，另外通过进气头进气还能避免抽真空时造成的光纤塌陷破损发生，更好的保护了整个处理的过程，很好的促进了行业的发展与企业的壮大；本技术结构简单，使用方便，生产跟加工的成本较低，能够很好的进行大规模的生产与使用。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术缠绕盘主体的结构示意图； 图2为本技术一种缠绕盘主体的剖面图； 图3为本技术进气头的结构示意图； 图4为本技术另一种缠绕盘主体的剖面图。 图上附图标记为:1 一缠绕盘主体；2—进气口 ；3—卡片；4一通气孔；5—进气头主体；6—卡槽；7—进气斗；8—连接头。 【具体实施方式】 本技术的核心思路是，提供一种中通式光纤处理装置，从而能够更好的排出光纤之间的空气，并且在排出空气的同时，让D2更好的包裹在光纤上，大大提高了处理的效率与光纤的品质，很好的促进了行业的发展与企业的壮大。 为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步的详细说明。 实施例1 如图1、2、3所示，中通式光纤处理装置，包括缠绕盘主体I与进气头，在缠绕盘主体I与进气头上还分别设置有相互配合的连接结构。 上述缠绕盘主体I的中部设置有中空的中轴，在中轴上还设置有通气孔4，在中轴的端部还设置有进气口 2。 作为优选，所述通气孔4成阵列设置在中轴的轴壁上。 上述缠绕盘主体I的连接结构为卡片3，卡片3设置在缠绕盘主体I的侧壁上进气口 2的周围。 作为优选，所述进气口 2的数量为两个，同时设置在中轴的两端。 作为优选,所述进气头的数量与进气口 2的数量相匹配。 上述进气头包括进气头主体5、进气斗7以及连接头8。 另外，所述进气头上的连接结构为卡槽6，该卡槽6环绕设置在进气头主体5的周围，卡槽6的数量以及设置位置与卡片3的数量以及设置位置相对应。 作为优选，所述进气头主体5与中轴接触位置设置有至少一圈密封圈。 中通式光纤处理装置的使用方法，先将光纤缠绕在光纤处理装置主体的中轴上，接着将光纤处理装置的中轴套接在进气头主体上，将卡片推入卡槽中使缠绕盘主体与进气头固为一体，接着将其放入置换罐中，通过进气头导入D2气，并控制导入的D2气压力范围在 0.02MPa ?0.5MPa 之间。 实施例2 如图4所示，本实施例与实施例1的不同点仅在于进气口的数量为一个，设置在中轴的任意一端。 以上仅是本技术的优选实施方式，应当指出的是，上述优选实施方式不应视为对本技术的限制，本技术的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。【权利要求】1.中通式光纤处理装置，其特征在于，包括缠绕盘主体(1)与进气头，在缠绕盘主体(1)与进气头上还分别设置有相互配合的连接结构。2.根据权利要求1所述的中通式光纤处理装置，其特征在于，所述缠绕盘主体(1)的中部设置有中空的中轴，在中轴上还设置有通气孔(4)，在中轴的端部还设置有进气口(2)。3.根据权利要求2所述的中通式光纤处理装置，其特征在于，所述通气孔(4)成阵列设置在中轴的轴壁上。4.根据权利要求3所述的中通式光纤处理装置，其特征在于，所述缠绕盘主体(1)的连接结构为卡片(3)，卡片(3)设置在缠绕盘主体(1)的侧壁上进气口(2)的周围。5.根据权利要求1?4任意一项所述的中通式光纤处理装置，其特征在于，所述进气口(2)的数量为一个或两个，设置在中轴的一端或者同时设置本文档来自技高网...
【技术保护点】
中通式光纤处理装置，其特征在于，包括缠绕盘主体(1)与进气头，在缠绕盘主体(1)与进气头上还分别设置有相互配合的连接结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张正涛，刘文早，傅贤德，廖度君，刘和林，向勇，曾春洪，杨强，
申请(专利权)人：成都中住光纤有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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