倒置型有机电致发光结构制造技术

本发明专利技术提供了一种倒置型有机电致发光结构，包括：基板、以及自下而上依次设置于基板上的阴极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴注入层、空穴传输层以及阳极层；阳极层包括：第一导电层、金属层以及第二导电层，阴极层包括：Mg、Al、Ag、Yb、Sm及其合金或者Mg、Al、Ag、Yb、Sm掺杂ZnO。本发明专利技术的器件结构减小了电子的注入势垒并提高了空穴的注入能力。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种倒置型有机电致发光结构，包括：基板、以及自下而上依次设置于基板上的阴极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴注入层、空穴传输层以及阳极层；阳极层包括：第一导电层、金属层以及第二导电层，阴极层包括：Mg、Al、Ag、Yb、Sm及其合金或者Mg、Al、Ag、Yb、Sm掺杂ZnO。本专利技术的器件结构减小了电子的注入势垒并提高了空穴的注入能力。【专利说明】倒置型有机电致发光结构
本专利技术涉及一种有机电致发光结构，具体涉及一种倒置型有机电致发光结构。
技术介绍
倒置式有机发光二极管(InvertedOrganic Light Emitting D1de)与一般的OLED器件的结构相反:是先在基板上制作阴极，然后在阴极上蒸镀有机薄膜后再制作阳极导电膜。1LED的好处在于特别适合与η-沟道的氧化物(IGZO)薄膜晶体管结合，而IGZO载流子迁移率是非晶硅的20至30倍，以此，可大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，更为直观地，其分辨率可以达到全高清(full HD)乃至超高清(Ultra Definit1n，分辨率4k*2k)级别程度。 另外，IGZO技术特别适合于柔性有机电致发光器件(Flexible Organic LightEmitting Device7FOLED)的驱动,FOLED由于具有柔性可弯曲等IXD无法比拟的优势,受到越来越多的重视。因此，开发适合IGZO驱动的倒置式OLED器件结构具有十分重要的应用意义。 如图1所示，目前的倒置式OLED结构以常见的ITO作为阴极，由于ITO的功函数较高，要想从ITO高效向有机层直接注入电子，需要合适的EIL，而这种EIL材料非常少见，没有合适的EIL材料，电子从阴极注入的势垒会比较高，从而导致电子注入困难，器件驱动电压较高。
技术实现思路
为克服现有技术所存在的缺陷，现提供一种适合电子和空穴更好注入的1LED器件结构，以减小电子的注入势垒并提高空穴的注入能力。 为实现上述目的，提供一种倒置型有机电致发光结构，包括:基板、以及自下而上依次设置于基板上的阴极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴注入层、空穴传输层以及阳极层，构成阴极层的材料包括:Mg、Al、Ag、Yb、Sm或其合金、或者Mg、Al、Ag、Yb、Sm掺杂ZnO，阳极层包括:导电层以及金属层，导电层包括第一导电层以及第二导电层，金属层设置于第一导电层与第二导电层之间。 本专利技术倒置型有机电致发光结构的有益效果在于，通过改变阴极层及阳极层的材料构成，以减小电子的注入势垒.并同时提闻空穴的注入能力。 优选地，还包括电极修饰层，该电极修饰层分别设置于阳极层以及空穴注入层中。 优选地，还包括电极修饰层，该电极修饰层设置于阴极层与电子注入层之间。 优选地，还包括电极修饰层，该电极修饰层设置于阳极层以及阴极层中。 优选地，阴极层和阳极层皆为具有纳米结构的至少一层金属或合金；或者，阴极层或阳极层其中之一为具有纳米结构的至少一层金属或合金。 优选的，阴极层具有高光反射率和低光透过率，阳极层为半透明；或者，阳极层具有高光反射率和低光透过率，阴极层为半透明。 优选地，第一、第二导电层材料可以相同，也可以不同；第二导电层也可以省略。 优选地，第一导电层以及第二导电层的材料为具有高光透过率的导电材料，导电材料包括=ITO或ZnO或IZO或石墨烯。 优选地，第一导电层以及第二导电层的厚度为5nm至35nm ;导电层的光透过率大于 85 %。 上述技术方案的有益效果在于，ITO为常见的阳极结构，其功函数较高，有利于空穴的注入，而石墨烯具有与ITO相当的透过率，导电性和柔韧性比ITO更好，且石墨烯表面功函数可以修饰，更适合于柔性器件，以便于降低空穴注入势垒。 优选地,构成金属层的材料包括:Mg、Ag、Al、Mg: Al合金或Mg: Ag合金。 优选地，金属层的厚度为5nm至35nm。 优选地，Mg: Ag合金或Mg: Al合金的比例在10:1至1: 10的范围内。 上述技术方案的有益效果在于，通过控制材料的厚度及混合比例的方式来调节金属层的透过率和功函数。 优选地，阴极层的厚度为15至150nm。 优选地，阴极层包括Mg: Ag合金，Mg: Ag合金的质量比在10: I至1: 10的范围内。 优选地，Mg: Ag合金的质量比为1: 9。 上述技术方案的有益效果在于，通过控制材料的厚度及质量比以使得电子注入的效果达到最佳。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有倒置式OLED结构的示意图； 图2为本专利技术倒置型有机电致发光结构的示意图； 图3为在图2基础上实施例一的结构示意图； 图4为实施一中不同比例下阴极层的电压与电流密度特性曲线； 图5为实施一中不同比例下阴极层的亮度与电流效率特性曲线； 图6为在图2基础上实施例二的结构示意图； 图7为在图2基础上实施例三的结构示意图。 【具体实施方式】 为利于对本专利技术的结构的了解，以下结合附图及实施例进行说明。 参照图2，为本专利技术倒置型有机电致发光结构的示意图，如图2所示，本专利技术提供了一种倒置型有机电致发光结构，包括:基板6、以及自下而上设置于基板6上的阴极层1、电子注入传输层2、发光层3、空穴传输注入层4以及阳极层5，阳极层5包括:导电层以及金属层，构成阴极层I的材料包括:Mg、Al、Ag及其合金、或者Mg、Al、Ag掺杂ZnO。其中，电子注入传输层2包括电子注入层以及电子传输层，空穴注入传输层4包括空穴注入层以及空穴传输层，而阳极层5的导电层则包括第一导电层以及第二导电层，金属层设置于第一导电层与第二导电层之间。 具体地，用Mg、Al、Ag及其合金或者Mg、Al、Ag掺杂ZnO从而取代高功函数的ΙΤ0，以此作为倒置式OLED的阴极层1，这样，有利于电子的注入。原因在于，现有ITO的功函数较高，要想从ITO高效向有机层直接注入电子，需要合适的EIL，而这种EIL材料非常少见。同时，上述阴极层I的厚度为15至150nm并且至少有一层纳米结构，若使用镁银合金，金属镁与金属银的质量比在10:1至1: 10范围内。 另外，阴极层I与阳极层5之间可加设电极修饰层，该电极修饰层可分别加设于阳极层5以及所述空穴注入层中、或加设于阴极层I和电子注入层之间、亦或者，同时设置于阳极层5以及阴极层I中，以利于电子或空穴的注入。 同时，通过调节阴极层I和/或阳极层5的厚度及材料组成，使阴极层I具有高光反射率和低光透过率，而阳极层5为半透明。 正是由于阳极层5为半透明，因此只有部分光射出，另一部分光被反射，造成了多光束干涉，不同能态的光子密度被重新分配，使得只有在特定波长的光在符合共振腔模式后在特定角度射出，即形成微腔效应。此时，可通过调节微共振腔的腔长以使得发光偶极子位于驻波的反节点处，促使两波电场相互增长，因而提高了整个发光结构器件的发光效率。 反之，当阴极层I为半透明，而阳极层5为高光反射率时，发光结构器件为底发光，亦可以利用上述微腔效应提高其发光效率。。 阴极层I和阳极层5可以同时具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒置型有机电致发光结构，包括：基板、以及自下而上依次设置于所述基板上的阴极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴注入层、空穴传输层以及阳极层，其特征在于，构成所述阴极层的材料包括Mg、Al、Ag、Yb、Sm或其合金、或者Mg、Al、Ag、Yb、Sm掺杂ZnO，所述阳极层包括导电层以及金属层，所述导电层包括第一导电层以及第二导电层，所述金属层设置于所述第一导电层与所述第二导电层之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：牟鑫，鲁佳浩，寇浩，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31