在最下层(0)的底面形成有输入输出端子(P1～P4)的电极。在基材层(1)～(14)形成有第一线状导体(L1a～L1n)以及第二线状导体(L2a～L2n)。由第一线状导体(L1a～L1n)和将其连接的过孔导体构成初级线圈。此外，由第二线状导体(L2a～L2n)和将其连接的过孔导体构成次级线圈。从初级线圈和次级线圈的卷绕轴方向俯视时，在俯视方向上相邻的多个第一线状导体以及第二线状导体包括：由第一线状导体夹持第二线状导体的第一区域；以及由第二线状导体夹持第一线状导体的第二区域。利用该结构，构成一种标准模式信号的损耗较少、去除共模噪声的能力较高的小型的共模扼流圈。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】在最下层(0)的底面形成有输入输出端子(P1～P4)的电极。在基材层(1)～(14)形成有第一线状导体(L1a～L1n)以及第二线状导体(L2a～L2n)。由第一线状导体(L1a～L1n)和将其连接的过孔导体构成初级线圈。此外，由第二线状导体(L2a～L2n)和将其连接的过孔导体构成次级线圈。从初级线圈和次级线圈的卷绕轴方向俯视时，在俯视方向上相邻的多个第一线状导体以及第二线状导体包括：由第一线状导体夹持第二线状导体的第一区域；以及由第二线状导体夹持第一线状导体的第二区域。利用该结构，构成一种标准模式信号的损耗较少、去除共模噪声的能力较高的小型的共模扼流圈。【专利说明】共模扼流圈
本专利技术涉及适用于高频信号的传输线路的共模扼流圈。
技术介绍
例如在USB (Universal Serial Bus:通用串行总线)、HDMI (High Definit1nMultimedia Interface:高清多媒体接口 )等高速接口中使用由一对信号线路(=平衡线路)传输相位相差180°的信号的“差动传输方式”。由于差动传输方式利用平衡线路使辐射噪声、外来噪声相互抵消，因此不易受这些噪声的影响。然而，实际上特别在高速接口用的信号线路中，会因信号线路的不对称性而产生共模噪声电流。因此，为了抑制该共模噪声，使用共模扼流圈。 通常，共模扼流圈如专利文献I的图1、专利文献2的图2等所揭示的那样，作为具备向相同方向卷绕的两个线圈(初级线圈、次级线圈)的小型的层叠型贴片元器件来构成。此处，初级线圈以及次级线圈在层叠坯体的内部沿层叠方向排列。 图18是专利文献I所示的共模扼流圈的剖视图。该共模扼流圈具有如下结构:具备在层叠元件I中卷绕在同轴上，且在轴方向上分离设置的两个线圈(层叠型线圈)2、3，各线圈2、3的始端部及终端部引出到层叠元件I的两侧端面，与规定的外部电极相连接。现有技术文献专利文献 专利文献1:日本专利特开2003-068528号公报专利文献2:日本专利特开2008-098625号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题 然而，若仅将初级线圈和次级线圈在层叠坯体的内部单纯地沿层叠方向排列，则难以提高初级线圈和次级线圈的耦合度。若初级线圈和次级线圈的耦合度较低，则标准模式信号的通过损耗会增加。另一方面，在为了提高耦合度而将初级线圈和次级线圈接近配置的情况下，初级线圈和次级线圈之间产生的电容(寄生电容)会增大。若该电容变大，则共模扼流圈的差动阻抗变低，无法与平衡线路的阻抗相匹配。 此外，在将初级线圈和次级线圈在层叠坯体的内部沿层叠方向排列的结构中，因工艺上的问题会产生线圈图案的形成位置偏移、片材的层叠偏移。此外，在搭载于印刷布线板时，由于各线圈与印刷布线板上的接地导体之间的耦合量不同等结构上的问题，初级线圈-接地导体间的电容和次级线圈-接地导体间的电容会变得不均衡。因此，不能确保初级线圈和次级线圈的对称性，共模噪声会转换为标准模式信号。即，去除共模噪声的能力有所下降。 此外，有时利用磁性体作为层叠坯体，但磁性体具有比较大的频率依赖性，因此尤其在高频带中标准模式信号的损耗容易变大。尤其在高频带中，在初级线圈和次级线圈之间不能获得充分的耦合值，标准模式的损耗容易变大。 本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，提供一种标准模式信号的损耗较少、去除共模噪声的能力较高的小型的共模扼流圈。解决技术问题的技术方案 本专利技术的共模扼流圈的特征在于，包括:多个第一线状导体以螺旋状卷绕以及连接而构成的初级线圈；以及多个第二线状导体以螺旋状卷绕以及连接而构成的、与上述初级线圈发生磁耦合的次级线圈，从上述初级线圈和上述次级线圈的卷绕轴方向俯视时，在俯视方向上相邻的多个上述第一线状导体以及上述第二线状导体包括:由上述第一线状导体夹持上述第二线状导体的第一区域；以及由上述第二线状导体夹持上述第一线状导体的第二区域。专利技术效果 根据本专利技术，无需增大初级线圈和次级线圈之间的电容性耦合，就能以高耦合度使初级线圈和次级线圈磁耦合。因此，能获得一种初级线圈和次级线圈的耦合度较高、标准模式信号的通过损耗较小、但难以产生差动阻抗的降低的小型的共模扼流圈。 【专利附图】【附图说明】 图1⑷是实施方式I的共模扼流圈101的外观立体图，图1⑶是侧视图。图2(A)、图2(B)是共模扼流圈101的等效电路图。图3是表示实施方式I的共模扼流圈的各基材层的导体图案等的分解俯视图。图4是对共模扼流圈101的各导体图案进行俯视透视而得的图。图5是第3、图4中的A1-A2线的剖视图。图6是第3、图4中的B1-B2线的剖视图。图7是表示共模电流流动时的电流方向的图。图8是表示标准模式电流流动时的电流方向的图。图9是表示共模扼流圈101的频率特性的图。图10是实施方式2的共模扼流圈102的外观立体图。图1l(A)是共模扼流圈102的剖视图，图1l(B)是ESD保护元件部的剖视图。图12是表示包含放电电极Dell、Del2的部分的截面结构的示意图。图13是实施方式2所涉及的共模扼流圈102的等效电路图。图14是实施方式3所涉及的共模扼流圈103的俯视图。图15是表示实施方式3的共模扼流圈的各层的导体图案等的分解俯视图。图16是表示重叠实施方式3的共模扼流圈的两层的导体图案的俯视图。图17是图14、图15中的A-A线的剖视图。图18是专利文献I所示的共模扼流圈的剖视图。 【具体实施方式】 依次参照各图对本专利技术的各实施方式进行说明。 《实施方式I》图1(A)是实施方式I的共模扼流圈101的外观立体图，图1(B)是侧视图。 如图1所示，在层叠坯体10的外表面形成有输入输出端子P1、P2、P3、P4。 作为基材层用的材料，在形成HF频带用的共模扼流圈的情况下，涡流损耗相对较小，因此从磁能量的封闭性这一点来看，能使用磁性体材料(磁导率较高的电介质材料)。作为该磁性体材料，可以使用六方晶体铁氧体等对应高频率的铁氧体磁性体。另一方面，在例如形成UHF频带用的共模扼流圈的情况下，为了抑制高频区域的涡流损耗，优选使用电绝缘电阻较高的电介质材料。以铁氧体为代表的磁性体在磁导率方面具有频率依赖性，因此随着利用频带的变高，损耗会增大，但电介质的频率依赖性较小，因此能实现在宽频带中损耗较小的层叠型共模扼流圈。即，作为利用于宽频带、特别是包含高频带的高速接口中的共模扼流圈，优选使用作为非磁性体层的电介质层作为基材层。 基材层可以是低温烧成陶瓷(LTCC“Low Temperature Co-firedCeramics”)那样的电介质陶瓷层，也可以是由热可塑性树脂、热固化树脂构成的树脂层。即，层叠坯体可以是陶瓷层叠体，也可以是树脂层叠体。此外，构成各线圈的线状导体、层间连接导体、设置于层叠坯体表面的表面导体等优选使用以铜、银等电阻率较小的金属为主要成分的金属材料。 图2(A)是共模扼流圈101的等效电路图。如后文详细阐述的那样，初级线圈LI和次级线圈L2通过流过共模电流而进行强磁场耦合。在初级线圈LI和次级线圈L2之间产生寄生电容。图2中，将该寄生电容作为集中常数电路并以电容器C1、C2来表示。此外，在初级线圈LI的线间及次本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种共模扼流圈，其特征在于，包括：多个第一线状导体以螺旋状卷绕以及连接而构成的初级线圈；以及多个第二线状导体以螺旋状卷绕以及连接而构成的、与所述初级线圈发生磁耦合的次级线圈，从所述初级线圈和所述次级线圈的卷绕轴方向俯视时，在俯视方向上相邻的多个所述第一线状导体以及所述第二线状导体包括：由所述第一线状导体夹持所述第二线状导体的第一区域；以及由所述第二线状导体夹持所述第一线状导体的第二区域。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤登，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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