像素电路及其驱动方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种像素电路及其驱动方法和显示装置，该像素电路包括：第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第五开关单元、驱动单元、储能单元和电致发光单元。本发明专利技术提供的像素电路能够彻底解决由于驱动晶体管的阈值电压漂移导致显示亮度不均的问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种像素电路及其驱动方法和显示装置，该像素电路包括：第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第五开关单元、驱动单元、储能单元和电致发光单元。本专利技术提供的像素电路能够彻底解决由于驱动晶体管的阈值电压漂移导致显示亮度不均的问题。【专利说明】像素电路及其驱动方法和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素电路及其驱动方法和显示装置。
技术介绍
有机发光显示器(OLED)是当今平板显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器相比，OLED具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。目前，在手机、PDA、数码相机等显示领域OLED已经开始取代传统的液晶(IXD)显示屏。像素驱动电路设计是OLED显示器核心
技术实现思路
，具有重要的研究意义。 与TFT(薄膜场效应晶体管)-1XD利用稳定的电压控制亮度不同，OLED属于电流驱动，需要稳定的电流来控制发光。 由于工艺制程和器件老化等原因，在原始的2T1C驱动电路(包括两个薄膜场效应晶体管和一个电容)中，各像素点的驱动TFT的阈值电压存在不均匀性，这样就导致了流过每个像素点OLED的电流发生变化使得显示亮度不均，从而影响整个图像的显示效果。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决显示装置显示亮度不均的问题，并缩减显示装置中用于像素电路的信号线路数目，降低集成电路成本，同时提高显示装置的像素密度。 为了实现上述目的，本专利技术提供了一种像素电路，包括第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第五开关单元、驱动单元、储能单元和电致发光单元； 第一开关单元的控制端连接到第一扫描信号线，第一端连接到工作电压线，第二端连接到驱动单元的输入端，用于在第一扫描信号线的控制下为所述驱动单元提供工作电压； 第二开关单元控制端连接到第二扫描信号线，第一端连接到驱动单元的控制端，第二端接地，用于在所述第二扫描信号线的控制下将所述驱动单元的控制端的电压置零； 第三开关单元和第四开关单元的控制端连接到第三扫描信号线；第三开关单元的第一端连接到储能单元的第一端，第二端连接到数据电压线，用于在所述第三扫描信号线的控制下将所述数据电压线中的数据电压写入所述储能单元的第一端；第四开关单元的第一端连接到驱动单元的输出端，第二端连接到驱动单元的控制端以及所述储能单元的第二端，用于在所述第三扫描信号线的控制下将所述驱动单元的控制端与输出端相连，并使所述驱动单元的输出端的电压向所述储能单元的第二端充电； 第五开关单元的控制端连接到第四扫描信号线，第一端连接到驱动单元的输出端，第二端与电致发光元件相连，用于在所述第四扫描信号线的控制下将所述驱动单元产生的驱动电流导通到所述电致发光元件。 优选的，各个开关单元和所述驱动单元均为薄膜场效应晶体管，各个开关单元的控制端为薄膜场效应晶体管的栅极，各个开关单元的第一端为薄膜场效应晶体管的源极，各个开关单元的第二端为薄膜场效应晶体管的漏极，所述驱动单元的输入端为薄膜场效应晶体管的源极，所述驱动单元的控制端为薄膜场效应晶体管的栅极，所述驱动单元的输出端为薄膜场效应晶体管的漏极。 优选的，各个薄膜场效应晶体管均为P沟道型。 优选的，所述储能单元为电容。 优选的，所述电致发光单元为有机发光二极管。 优选的，每一帧工作时段均包括充电时段、跳变时段以及发光时段， 在充电时段，在扫描信号线施加扫描电压仅使第一开关单兀、第三开关单兀和第四开关单元导通，并在数据电压线施加第一数据电压； 在跳变阶段，在扫描信号线施加扫描电压仅使第三开关单元和第四开关单元导通，并在数据电压线施加第二数据电压；所述第二数据电压小于所述第一数据电压。 优选的，每一帧工作时段还包括重置时段，在所述重置时段，在扫描信号线施加扫描电压仅使第二开关单元导通。 优选的，在发光时段，使第一开关单元和第五开关单元导通。 本专利技术还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的像素电路。 本专利技术提供的像素电路中，流经电致发光单元的工作电流不受对应的驱动晶体管的阈值电压的影响，彻底解决了由于驱动晶体管的阈值电压漂移导致显示亮度不均的问题。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术实施例提供的像素电路的结构示意图； 图2为本专利技术实施例提供的像素电路中关键信号的时序图； 图3为本专利技术实施例中的像素电路在不同时序下的电流流向和电压值的示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图和实施例，对本专利技术的【具体实施方式】作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。 本专利技术实施例提供了一种像素电路，如图1或图3所示，包括: 五个开关单元T1、T2、T3、T4、T5，一个驱动单元DT，一个储能单元C，一个电致发光单元L ； Tl的控制端连接到第一扫描信号线Em，第一端连接到工作电压线Vdd，第二端连接到DT的输入端； T2的控制端连接到第二扫描信号线Scan ,第一端连接到DT的控制端,第二端接地； T3和T4的控制端连接到第三扫描信号线Scan ；T3的第一端连接到C的第一端a，第二端连接到数据电压线Vdata ；T4的第一端连接到DT的输出端，第二端连接到DT的控制端以及与DT控制端相连的C的第二端b ； T5的控制端连接到第四扫描信号线Scan ,第一端连接到DT的输出端,第二端与L相连。 可以理解的是，本专利技术中，控制端连接到同一扫描信号线的多个开关单元(连接到Scan的两个开关单元T3和T4)应为同一沟道类型的开关，即同为高电平导通或者同为低电平导通，从而保证连接到同一扫描信号线的两个开关单元的导通或关断状态相同。 本专利技术提供的像素电路中，流经电致发光单元的工作电流不受对应的驱动晶体管的阈值电压的影响，彻底解决了由于驱动晶体管的阈值电压漂移导致显示亮度不均的问题。 优选的，各个开关单元和所述驱动单元均为薄膜场效应晶体管TFT，各个开关单元的控制端为薄膜场效应晶体管的栅极，各个开关单元的第一端为薄膜场效应晶体管的源极，各个开关单元的第二端为薄膜场效应晶体管的漏极，所述驱动单元的输入端为薄膜场效应晶体管的源极，所述驱动单元的控制端为薄膜场效应晶体管的栅极，所述驱动单元的输出端为薄膜场效应晶体管的漏极。 不难理解，这里的驱动单元和开关单元对应的晶体管可以为源漏极可以互换的晶体管，或者根据导通类型的不同，各个开关单元和驱动单元的第一端可能为晶体管的漏极、第二端为晶体管的源极，本领域技术人员在不付出创造性的劳动的前提下，对本专利技术提供的像素电路中各个晶体管进行源漏极的反接所得到的、能够取得与本专利技术提供的技术方案所能达到的技术效果相同或相似的电路结构同样应落入本专利技术的保护范围。 进一步的，本专利技术实施例中，所有各个薄膜场效应晶体管均为P沟道型。使用同一类型的晶体管，能够实现工艺流程的统一，从而提高产品的良品率。本领域技术人员可以理解的是，在实际应用中，各个晶体管的类型也可以不完全相同，比如Τ3和Τ4可以同为N沟道型晶体管，也可以为P沟道型晶体管，而Tl、Τ2、Τ5的开关类型则可以任意。只要能够使控制端连接到同一扫描信号线的两个开关单元的导通/关断本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电路，其特征在于，包括：第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第五开关单元、驱动单元、储能单元和电致发光单元；第一开关单元的控制端连接到第一扫描信号线，第一端连接到工作电压线，第二端连接到驱动单元的输入端，用于在第一扫描信号线的控制下为所述驱动单元提供工作电压；第二开关单元控制端连接到第二扫描信号线，第一端连接到驱动单元的控制端，第二端接地，用于在所述第二扫描信号线的控制下将所述驱动单元的控制端的电压置零；第三开关单元和第四开关单元的控制端连接到第三扫描信号线；第三开关单元的第一端连接到储能单元的第一端，第二端连接到数据电压线，用于在所述第三扫描信号线的控制下将所述数据电压线中的数据电压写入所述储能单元的第一端；第四开关单元的第一端连接到驱动单元的输出端，第二端连接到驱动单元的控制端以及所述储能单元的第二端，用于在所述第三扫描信号线的控制下将所述驱动单元的控制端与输出端相连，并使所述驱动单元的输出端的电压向所述储能单元的第二端充电；第五开关单元的控制端连接到第四扫描信号线，第一端连接到驱动单元的输出端，第二端与电致发光元件相连，用于在所述第四扫描信号线的控制下将所述驱动单元产生的驱动电流导通到所述电致发光元件。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨盛际，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11