使用牺牲硅板形成宽沟槽的方法技术

一种形成封装的宽沟槽的方法包括提供氧化绝缘体上硅(SOI)晶片，通过在SOI晶片的硅层内刻蚀第一沟槽限定第一牺牲硅板的第一侧，通过在硅层内刻蚀第二沟槽限定第一牺牲硅板的第二侧，在第一沟槽内形成第一牺牲氧化部分，在第二沟槽内形成第二牺牲氧化部分，在第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分上方形成多晶硅层以及刻蚀第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用牺牲硅板形成宽沟槽的方法本申请要求2011年11月9日提交的美国临时申请第61/557,798号和2012年1月12日提交的美国临时申请61/585,803号的权益，其整个内容在本文中通过参考被合并。
本公开属于微机电系统(MEMS)和硅结构的晶片级封装领域。
技术介绍
微机电系统(MEMS)通常通过将部件刻蚀成薄的硅晶片而形成。虽然MEMS器件比宏观机器小的多，许多MEMS器件需要像它们的宏观相对物一样的运动零部件，这要求MEMS器件中的一些部件由允许它们移动的自由空间包围。允许MEMS部件运动的自由空间可以通过将沟槽刻蚀到围绕MEMS器件内的部件的硅层内而形成。另外，在一些MEMS器件从硅晶片刻蚀之后，多晶硅材料的保护层沉积在MEMS顶端上方以便封装该器件。该保护层将内部运动零部件密封到内部腔内，并且也可以将电连接器引导至MEMS器件和从MEMS器件引导。当前，当多晶硅沉积层用于封装该器件周边以便形成气密的外壳时，具有高宽深比、厚度大于几微米的MEMS结构被限制在几微米或更少的数量级的位移。因为氧化层(通常是SiO2)用作间隔物以便将多晶硅保护层与MEMS内的在下面的部件分离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成封装宽沟槽的方法，所述方法包括：提供氧化绝缘体上硅(SOI)晶片；通过在SOI晶片的硅层内刻蚀第一沟槽限定第一牺牲硅板的第一侧；通过在硅层内刻蚀第二沟槽限定第一牺牲硅板的第二侧；在第一沟槽内形成第一牺牲氧化部分；在第二沟槽内形成第二牺牲氧化部分；在第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分上方形成多晶硅层；以及刻蚀第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.11.09 US 61/557,798;2012.01.12 US 61/585,8031.一种形成封装宽沟槽的方法，所述方法包括：提供氧化绝缘体上硅(SOI)晶片；通过在SOI晶片的硅层内刻蚀第一沟槽限定第一牺牲硅板的第一侧；通过在硅层内刻蚀第二沟槽限定第一牺牲硅板的第二侧；在第一沟槽内形成第一牺牲氧化部分；在第二沟槽内形成第二牺牲氧化部分；在第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分上方形成多晶硅层；以及刻蚀第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中形成第一牺牲氧化部分包括：氧化所述第一牺牲板的至少一部分。3.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括：在所述第一牺牲氧化部分的上表面上形成氧化层。4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：刻蚀所述第一牺牲板以便暴露第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分的相对侧；在所述第一牺牲氧化部分与所述第二牺牲氧化部分的暴露的相对侧之间形成第三牺牲氧化部分；以及刻蚀所述第三牺牲氧化部分。5.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括：在所述第一牺牲板上方形成掩模；和用刻蚀剂使得所述第一牺牲板暴露。6.根据权利要求1所述的方法，其中限定牺牲硅板的第一侧包括：使用深反应离子刻蚀来刻蚀所述第一沟槽。7.根据权利要求6所述的方法，其中限定第一牺牲硅板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·奥布赖恩，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，G·奥布赖恩，
类型：发明
国别省市：德国;DE