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一种形成封装的宽沟槽的方法包括提供氧化绝缘体上硅(SOI)晶片，通过在SOI晶片的硅层内刻蚀第一沟槽限定第一牺牲硅板的第一侧，通过在硅层内刻蚀第二沟槽限定第一牺牲硅板的第二侧，在第一沟槽内形成第一牺牲氧化部分，在第二沟槽内形成第二牺牲氧化部...
该专利属于罗伯特·博世有限公司;Ｇ·奥布赖恩所有，仅供学习研究参考，未经过罗伯特·博世有限公司;Ｇ·奥布赖恩授权不得商用。

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