一种芯片保护结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种芯片保护结构，其特征在于，所述芯片保护结构至少包括：硅基底以及形成于所述硅基底上的至少一集成电路芯片；形成于所述硅基底上并环绕所述集成电路芯片的金属封闭环和紧密排布于所述金属封闭环中的若干氧化物单元。在沿集成电路芯片外围的切割道进行切割时，本实用新型专利技术的所述芯片保护结构具有减震作用，可以有效地防止芯片在进行切割时导致的破坏，同时本实用新型专利技术的芯片保护结构占用面积小而且节约制作成本。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种芯片保护结构，其特征在于，所述芯片保护结构至少包括：硅基底以及形成于所述硅基底上的至少一集成电路芯片；形成于所述硅基底上并环绕所述集成电路芯片的金属封闭环和紧密排布于所述金属封闭环中的若干氧化物单元。在沿集成电路芯片外围的切割道进行切割时，本技术的所述芯片保护结构具有减震作用，可以有效地防止芯片在进行切割时导致的破坏，同时本技术的芯片保护结构占用面积小而且节约制作成本。【专利说明】一种芯片保护结构
本技术涉及集成电路芯片领域，特别是涉及一种芯片保护结构。
技术介绍
半导体晶片经由集成电路制造工艺而形成数个集成电路芯片，每一颗集成电路芯片上包含多个电路，例如数字(digital)电路、模拟(analog)电路以及射频(rad1frequency, RF)电路等。任意相邻两颗芯片之间具有一切割道(scribe line),以便将集成电路芯片沿所述切割道切开。在沿切割道将集成电路芯片切割的过程中，常常由于产生切割应力会造成集成电路芯片中的电路遭到破坏。因此，在集成电路芯片与切割道之间通常设有一环绕集成电路芯片的固定封环(seal ring)，用以保护集成电路芯片结构，避免在切割过程中受到破坏。 现有技术中的芯片以及所述芯片的保护结构如图1a所示，其中，所述集成电路芯片10的外围设有一环绕该集成电路芯片的固定封环11，所述固定封环11的结构如图1b所示，图1b中，所述固定封环11由氧化物环Ilb和环绕在所述氧化物环Ilb内外的金属环IIa和金属环Ilb构成。当沿着图1a中位于所述固定封环11外围的切割道12将所述芯片进行切割时，由于固定封环11中的氧化物环和金属环都是连续的环形结构，所述氧化物环与环绕在所述氧化物环内外的金属环在切割应力的作用下相互分开，从而导致所述固定封环不能阻挡切割应力而使得芯片遭到破坏。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种芯片保护结构，用于解决现有技术中的固定封环中氧化物环与环绕在所述氧化物环内外的金属环在切割应力的作用下相互分开的现象，从而防止芯片遭到破坏的问题。 为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种芯片保护结构，其特征在于，所述芯片保护结构至少包括:硅基底以及形成于所述硅基底上的至少一集成电路芯片；形成于所述硅基底上并环绕所述集成电路芯片的金属封闭环和紧密排布于所述金属封闭环中的若干氧化物单元。 作为本技术的芯片保护结构的一种优选方案，所述金属封闭环为层叠结构，该层叠结构由若干金属层以及隔离相邻所述金属层的绝缘介质23构成；所述氧化物单元形成于所述层叠结构的每一金属层中；所述每一金属层中的氧化物单元的排布构成围绕所述集成电路芯片的环形阵列；相邻金属层中的所述环形阵列彼此水平投影重合；相邻的金属层通过位于层间绝缘介质中的贯孔24彼此电连接。 作为本技术的芯片保护结构的一种优选方案，所述层叠结构中金属层的层数最多为八层；所述金属封闭环包括椭圆环、圆环或矩形环。 作为本技术的芯片保护结构的一种优选方案，所述若干氧化物单元的形状相同；所述若干氧化物单元的形状包括多边形、圆形或椭圆形。 作为本技术的芯片保护结构的一种优选方案，所述金属封闭环的形状为矩形；所述氧化物单元的形状为均匀排布于所述金属封闭环每条边的正六边形或正方形。 作为本技术的芯片保护结构的一种优选方案，所述金属封闭环的每一边设有均匀分布的至少两列所述氧化物单元。 作为本技术的芯片保护结构的一种优选方案，所述氧化物单元为两列，该两列氧化物单元中每个正六边形或正方形与其相邻的正六边形或正方形距离最近的边彼此相对且平行。 作为本技术的芯片保护结构的一种优选方案，所述氧化物单元为三列，形状为均匀排布于所述金属封闭环每条边的正六边形，每列中所述氧化物单元的顶角位于同一条直线上。 作为本技术的芯片保护结构的一种优选方案，所述氧化物单元为两列，形状为均匀排布于所述金属封闭环每条边的正方形，该两列的正方形彼此交错分布。 如上所述，本技术的芯片保护结构，具有以下有益效果:本技术的所述芯片保护结构用于解决现有技术中的固定封环中氧化物环与环绕在所述氧化物环内外的金属环在切割应力的作用下相互分开的现象，本技术的所述芯片保护结构具有减震作用，可以有效地防止芯片在进行切割时导致芯片的破坏，该芯片保护结构占用面积小而且节约制作成本。 【专利附图】【附图说明】 图1a为现有技术中的芯片以及环绕芯片的固定封环的示意图。 图1b为现有技术中的固定封环的结构示意图。 图2a?图2b为本技术的两种不同的芯片以及环绕芯片的芯片保护结构的示意图。 图3a?图3c分别为本技术的三种芯片保护结构的结构示意图。 图4为本技术的芯片保护结构的纵截面结构示意图。 元件标号说明 10芯片 11,21固定封环 12、22切割道 IlaUlc金属环 Ilb氧化物环 20集成电路芯片 21a金属封闭环 21b氧化物单元 23绝缘介质 24贯孔 【具体实施方式】 以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。 请参阅图2a至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。 如图所示，本技术提供一种芯片保护结构，如图2a所示，本技术的所述芯片保护结构至少包括:硅基底以及形成于所述硅基底上的至少一集成电路芯片20 ;当所述集成电路芯片为一个时，该集成电路芯片的外围设有环绕该集成电路芯片的金属封闭环21a和紧密排布于该金属封闭环中的若干氧化物单兀21b ;优选地,如图2a所不,在该金属封闭环的外围设有一环绕所述金属封闭环和所述集成电路芯片的切割道22。当所述集成电路芯片为多个时，所述每个集成电路芯片的外围均设有分别环绕每个集成电路芯片的金属封闭环和紧密排布于所述金属封闭环中的若干氧化物单元；并且在每个金属封闭环的外围均设有环绕所述金属封闭环和所述金属封闭环内的集成电路芯片的切割道；所述多个集成电路芯片最终会被沿着所述切割道而相互分割开。 本技术的所述金属封闭环和紧密排布于所述金属封闭环中的若干氧化物单元构成固定封环，该固定封环的作用有:一、将所述集成电路芯片封闭在其内部，防止在切割时候处于所述金属封闭环内部的集成电路芯片受到机械损伤；二、该固定封环通常接地用以屏蔽所述集成电路芯片外的干扰；三、该固定封环可以防止潮气从切割断层侵入所述集成电路芯片内部。 作为本技术的所述芯片保护结构的一种优选方案，所述金属封闭环的形状包括椭圆形、圆环形或矩形。如图2a所示，所述金属封闭环的形状为矩形，即所述金属封闭环为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片保护结构，其特征在于，所述芯片保护结构至少包括：硅基底以及形成于所述硅基底上的至少一集成电路芯片；形成于所述硅基底上并环绕所述集成电路芯片的金属封闭环和紧密排布于所述金属封闭环中的若干氧化物单元。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱进，张贺丰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11