像素电路制造技术

技术编号:10606582 阅读:152 留言:0更新日期:2014-11-05 17:17
一种像素电路,包含一储能元件、一驱动晶体管、一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一第四晶体管以及一第五晶体管。第一晶体管的第一端与储能元件的第一端电性连接。第二晶体管的第一端用以选择性地接收一数据电压或一预充电压。第三晶体管的栅极与第二晶体管的栅极用以接收一扫描信号。第五晶体管的栅极与第四晶体管的栅极用以接收一发光致能信号。通过本发明专利技术的技术手段,在提供相同的数据电压的状况下,纵使驱动晶体管的临界电压产生偏移,仍然可以产生相同的驱动电流来驱动发光元件。如此一来,可改善显示画面亮度不均匀的现象。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种像素电路,包含一储能元件、一驱动晶体管、一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一第四晶体管以及一第五晶体管。第一晶体管的第一端与储能元件的第一端电性连接。第二晶体管的第一端用以选择性地接收一数据电压或一预充电压。第三晶体管的栅极与第二晶体管的栅极用以接收一扫描信号。第五晶体管的栅极与第四晶体管的栅极用以接收一发光致能信号。通过本专利技术的技术手段,在提供相同的数据电压的状况下,纵使驱动晶体管的临界电压产生偏移,仍然可以产生相同的驱动电流来驱动发光元件。如此一来,可改善显示画面亮度不均匀的现象。【专利说明】像素电路
本专利技术是有关于一种像素电路,且特别是有关于一种适用于有机发光二极管的像素驱动电路。
技术介绍
平面显示装置具有耗电量低、发热量少以及重量轻…等优点,目前已经被广泛使用于各种电子产品中。平面显示装置依照其驱动方式,一般可区分为被动矩阵式(passivematrix)与主动矩阵式(active matrix)两种。被动矩阵式显示装置受限于其驱动模式,有寿命较短与无法大面积化…等缺点。而主动矩阵式显示装置虽然成本较为昂贵且制程较为复杂,但可满足大尺寸以及高解析度的显示需求。因此,主动矩阵式显示装置已成为平面显示装置的主流。其中,主动式有机发光二极管(Organic Light-Emitting D1de, 0LED)显示装置为近年来各家厂商主要发展的产品之一。 然而,应用于制作主动式有机发光二极管显示装置的薄膜晶体管中,用以驱动有机发光二极管的驱动晶体管可能因为制程、材料或是元件特性不同…等因素而造成晶体管的临界电压(threshold voltage)偏移,使得在相同的数据电压驱动下,每一个像素的有机发光二极管的驱动电流会有些微差异。另外,流经有机发光二极管的电流也会随着电源供应电压受到线阻电压降(IR-D1p)的影响而改变。上述因素会造成有机发光二极管显示装置的显示画面有亮度不均匀的现象。
技术实现思路
因此,本专利技术的一方面是在提供一种像素电路。所述像素电路包含一储能元件、一驱动晶体管、一第一晶体管、一第二晶体管以及一第三晶体管。驱动晶体管的栅极与储能元件的第一端电性连接。第一晶体管的第一端与储能元件的第一端电性连接。第一晶体管的栅极、第一晶体管的第二端以及驱动晶体管的第一端电性连接。第二晶体管的第一端用以选择性地接收一数据电压或一预充电压。第二晶体管的第二端与储能元件的第二端电性连接。第三晶体管的栅极与第二晶体管的栅极用以接收一扫描信号。第三晶体管的第一端与驱动晶体管的第二端电性连接。第三晶体管的第二端与储能元件的第一端电性连接。于一第一阶段,储能元件的第二端的电位被维持在一参考电压。于一第二阶段,第二晶体管的第一端用以接收预充电压。第二晶体管以及第三晶体管依据扫描信号导通,使得储能元件经由第二晶体管藉预充电压进行充电,且第一晶体管相应于储能元件充电的操作导通。 本专利技术的另一方面是在提供一种像素电路。所述像素电路包含一储能元件、一驱动晶体管、一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一第四晶体管以及一第五晶体管。驱动晶体管的栅极与储能元件的第一端电性连接。第一晶体管的第一端与储能元件的第一端电性连接。第一晶体管的栅极、第一晶体管的第二端以及驱动晶体管的第一端电性连接。第二晶体管的第一端用以选择性地接收一数据电压或一预充电压。第二晶体管的第二端与储能元件的第二端电性连接。第三晶体管的栅极与第二晶体管的栅极用以接收一扫描信号。第三晶体管的第一端与驱动晶体管的第二端电性连接。第三晶体管的第二端与储能元件的第一端电性连接。第四晶体管的第一端与储能元件的第二端电性连接。第四晶体管的第二端电性连接至一参考电压。第五晶体管的第一端与驱动晶体管的第二端电性连接。第五晶体管的栅极与第四晶体管的栅极用以接收一发光致能信号。 通过本专利技术的技术手段,由于驱动发光元件发光的驱动电流与驱动晶体管的临界电压无关,在提供相同的数据电压的状况下,纵使驱动晶体管的临界电压产生偏移,仍然可以通过本专利技术所提出的像素电路产生相同的驱动电流来驱动发光元件。如此一来,可解决像素电路中的驱动晶体管可能因为制程、材料或是元件特性不同…等因素而造成临界电压偏移的问题,并可借此改善有机发光二极管显示装置的显示画面亮度不均匀的现象。 另外,由于驱动发光元件发光的驱动电流与供应电压无关,可解决在不同的像素下,供应电压因为线阻电压降(IR-D1p)而造成的驱动电流不一致的情形。如此一来,可有效提升使用大量像素的高解析度面板的画面均匀度。 再者,本专利技术所提出的像素电路仅需使用两个驱动信号,因此可提供较已知的像素补偿电路更大的像素布线空间,并可提高显示装置的开口率(aperture rat1) 0如此一来,可更加容易达成高解析度以及窄边框(slim border)的面板的需求,并可进一步提升发光兀件的寿命。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术一实施例中,一种像素电路的电路示意图; 图2A为根据本专利技术一实施例,绘示于一第一阶段时驱动像素电路的示意图; 图2B为根据本专利技术一实施例,绘示于一第一阶段时驱动像素电路的信号示意图; 图3A为根据本专利技术一实施例,绘示于一第二阶段时驱动像素电路的示意图; 图3B为根据本专利技术一实施例,绘示于一第二阶段时驱动像素电路的信号示意图; 图4A为根据本专利技术一实施例,绘示于一第三阶段时驱动像素电路的示意图; 图4B为根据本专利技术一实施例,绘示于一第三阶段时驱动像素电路的信号示意图; 图5A为根据本专利技术一实施例,绘示于一第四阶段时驱动像素电路的示意图; 图5B为根据本专利技术一实施例,绘示于一第四阶段时驱动像素电路的信号示意图; 图6为本专利技术一实施例中,一种像素电路的电路示意图; 图7为本专利技术一实施例中,一种像素电路的电路示意图; 图8为本专利技术一实施例中,一种像素电路的电路示意图。 【具体实施方式】 下文是举实施例配合所附附图作详细说明,但所提供的实施例并非用以限制本专利技术所涵盖的范围,而结构运作的描述非用以限制其执行的顺序,任何由元件重新组合的结构,所产生具有均等功效的装置,皆为本专利技术所涵盖的范围。此外,附图仅以说明为目的,并未依照原尺寸作图。为使便于理解,下述说明中相同元件将以相同的符号标示来说明。 在全篇说明书与权利要求书所使用的用词(terms),除有特别注明外,通常具有每个用词使用在此领域中、在此揭露的内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本专利技术的用词将于下或在此说明书的别处讨论,以提供本领域技术人员在有关本专利技术的描述上额外的引导。 另外,关于本文中所使用的“耦接”或“连接”,均可指二或多个元件相互直接作实体或电性接触,或是相互间接作实体或电性接触,亦可指二或多个元件相互操作或动作。 于本文中,除非内文中对于冠词有所特别限定,否则“一”与“该”可泛指单一个或多个。将进一步理解的是,本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”及相似词汇,指明其所记载的特征、区域、整数、步骤、操作、元件与/或组件,但不排除其所述或额外的其一个或多个其它特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件,与/或其中的群组。 另外,在本文中,使用第一本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种像素电路,其特征在于,包含:一储能元件;一驱动晶体管,该驱动晶体管的栅极与该储能元件的第一端电性连接;一第一晶体管,该第一晶体管的第一端与该储能元件的第一端电性连接,该第一晶体管的栅极、该第一晶体管的第二端以及该驱动晶体管的第一端电性连接;一第二晶体管,该第二晶体管的第一端用以选择性地接收一数据电压或一预充电压,该第二晶体管的第二端与该储能元件的第二端电性连接;以及一第三晶体管,该第三晶体管的栅极与该第二晶体管的栅极用以接收一扫描信号,该第三晶体管的第一端与该驱动晶体管的第二端电性连接,该第三晶体管的第二端与该储能元件的第一端电性连接;其中于一第一阶段,该储能元件的第二端的电位被维持在一参考电压;于一第二阶段,该第二晶体管的第一端用以接收该预充电压,该第二晶体管以及该第三晶体管依据该扫描信号导通,使得该储能元件经由该第二晶体管通过该预充电压进行充电,且该第一晶体管相应于该储能元件充电的操作导通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:林钰凯叶佳元刘俊彦
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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