一种带有上悬梁的RF MEMs开关，包括RF MEMs开关，其特征在于：在所述RF MEMs开关的开关梁上海设有上悬梁。本设计针对RF MEMS开关释放时间过长的问题，提出了在开关梁上设计一个上悬梁的结构，以提高开关速度。这种结构增大了开关梁所受空气压膜阻尼，使释放时间大幅度缩短，提高了RF MEMS开关速度。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种带有上悬梁的RF?MEMs开关，包括RF?MEMs开关，其特征在于：在所述RF?MEMs开关的开关梁上海设有上悬梁。本设计针对RF?MEMS开关释放时间过长的问题，提出了在开关梁上设计一个上悬梁的结构，以提高开关速度。这种结构增大了开关梁所受空气压膜阻尼，使释放时间大幅度缩短，提高了RF?MEMS开关速度。【专利说明】-种带有上悬梁的RF MEMs开关
本设计涉及一种带有上悬梁的RF MEMs开关，属于射频
。
技术介绍
RF MEMs开关常采用固支梁结构实现。施加直流偏置电压后，开关梁在静电力作 用下发生弯曲，最终吸台到底面电极上，这个过程花费的时间很短（几微秒到几十微秒）。 此后，若卸载偏置电压，梁受弹性回复力作用上拉到平衡位置，这个过程花费的时间也很短 (几微秒到几十微秒）。但是，此后粱并未很快静止 于平衡位置，而是在平衡位置附近振动，这个过程耗时很长（几微秒到几百微 秒）。这是由于粱从关态运动到平衡位置后，关态储存的弹性势能转化为动量，这部分能量 只有在长时间阻尼作用后才能消耗。此阻尼主要是空气压膜阻，由梁的面积和高度决定。当 梁的面积一定后，仅能通过调整高度来改变空气压膜阻尼大小，以控制开关速度。但是，梁 的高度不能做的太低，因为高隔离度开关需要较大的梁开态电容，同时在开关工艺中也要 考虑梁下牺牲层的释放。如何增大空气压膜阻尼，是解决RF MEMS开关释放时间过长的关 键。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本设计的目的是提供一种带有上悬梁的RF MEMs开关，空气 压膜阻尼不仅存在于梁的下方，而且存在于梁的上方，从而有效地增大梁在释放过程中所 受的空气压膜阻尼。 为实现上述目的，本设计是通过以下技术手段来实现的： 一种带有上悬梁的RF MEMs开关，包括RF MEMs开关，其特征在于：在所述RF MEMs 开关的开关梁上海设有上悬梁。 优选的，所述的一种带有上悬梁的RF MEMs开关，其特征在于：所述上悬梁到开关 梁的距离等于开关梁到RF MEMs开关底面电极的距离。 优选的，所述的一种带有上悬梁的RF MEMs开关，其特征在于：所述上悬梁采用 0. 5μπι厚的铝膜制作。 优选的，所述的一种带有上悬梁的RF MEMs开关，其特征在于：所述开关梁材质为 Au〇 本专利技术的有益效果是：本设计针对RF MEMS开关释放时间过长的问题，提出了在开 关梁上设计一个上悬梁的结构，以提高开关速度。这种结构增大了开关梁所受空气压膜阻 尼，使释放时间大幅度缩短，提高了 RF MEMS开关速度。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有RF MEMS开关结构示意图，图2为本设计RF MEMS开关结构示意图。 附图标号的含义如下：1RF MEMS开关，2开关梁，3上悬梁。 【具体实施方式】 下面将结合说明书附图，对设计作进一步的说明。 如图1、2所示，一种带有上悬梁的RFMEMs开关，包括RFMEMs开关1，其特征在于： 在所述RF MEMs开关的开关梁2上海设有上悬梁3。 释放时间的定义是MEMs梁由关态（或称下拉状态）回复到开态（梁在平衡位置 的振幅小于梁高度的5% )的时间。减少开关梁回复到开态的时间，有效的办法是增加开关 梁所受的空气压膜阻尼。通过设置上悬梁，空气压膜阻尼不仅存在于梁的下方，而且存在于 梁的上方，从而有效地增大梁在释放过程中所受的空气压膜阻尼。此设计的空气压膜阻尼 等于开关梁上下空气压膜阻尼之和。 优选的，所述的一种带有上悬梁的RF MEMs开关，其特征在于：所述上悬梁3到开 关梁2的距离等于开关梁到RF MEMs开关1底面电极的距离。 此设计使空气压膜阻尼增大了一倍，同时也便于制造。 优选的，所述的一种带有上悬梁的RF MEMs开关，其特征在于：所述上悬梁3采用 0. 5μπι厚的铝膜制作。 优选的，所述的一种带有上悬梁的RF MEMs开关，其特征在于：所述开关梁2材质 为Au。 本设计采用金制作此开关梁，原因是表面微加工工艺中金梁更为常见。 以上显示和描述了本设计的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该 了解，本设计不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本设计的原 理，在不脱离本设计精神和范围的前提下，本设计还会有各种变化和改进，这些变化和改进 都落入要求保护的本设计范围内。本设计要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界 定。【权利要求】1. 一种带有上悬梁的RF MEMs开关，包括RF MEMs开关，其特征在于：在所述RF MEMs开 关的开关梁上海设有上悬梁。2. 如权利要求1所述的一种带有上悬梁的RF MEMs开关，其特征在于：所述上悬梁到开 关梁的距离等于开关梁到RF MEMs开关底面电极的距离。3. 如权利要求1所述的一种带有上悬梁的RF MEMs开关，其特征在于：所述上悬梁采用 0. 5μπι厚的铝膜制作。4. 如权利要求1所述的一种带有上悬梁的RF MEMs开关，其特征在于：所述开关梁材质 为Au。【文档编号】H01H59/00GK203910689SQ201420180720【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年4月15日 优先权日:2014年4月15日 【专利技术者】杨俊民 申请人:苏州锟恩电子科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种带有上悬梁的RF MEMs开关，包括RF MEMs开关，其特征在于：在所述RF MEMs开关的开关梁上海设有上悬梁。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨俊民，
申请(专利权)人：苏州锟恩电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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