【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种薄悬臂梁压阻式加速度计，该薄悬臂梁压阻式加速度计包括玻璃、顶硅、底硅、氧化层；玻璃上表面有顶硅，顶硅与玻璃之间通过阳极键合，顶硅和底硅之间设置有氧化层。本技术的薄悬臂梁压阻式加速度计，由于SOI衬底中间有氧化层，所以腐蚀深度可控制的十分精确，从而大幅度提高其性能，可以大幅度减小芯片尺寸，同时不会带来污染。【专利说明】一种薄悬臂梁压阻式加速度计
本技术属于压阻式加速度计领域，尤其涉及一种薄悬臂梁压阻式加速度计。
技术介绍
目前压阻式加速度计均采用悬臂梁结构，通过湿法腐蚀方式形成质量块与梁结 构，腐蚀后梁的厚度无法达到lum，厚度不能精确控制，如采用电化学方式腐蚀又增加了工 艺步骤且会在工艺中带来不必要的污染。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种薄悬臂梁压阻式加速度计，旨在解决通过湿法腐 蚀方式形成质量块与梁结构的方法，腐蚀后梁的厚度无法精确控制，采用电化学方式腐蚀 会增加工艺步骤且会在工艺中带来污染的问题。 本技术是这样实现的，一种薄悬臂梁压阻式加速度计包括玻璃、顶硅、底硅、 氧化层；所述的玻璃上表面有...
【技术保护点】
一种薄悬臂梁压阻式加速度计，其特征在于，所述的薄悬臂梁压阻式加速度计包括底硅、氧化层、顶硅、玻璃，所述的玻璃上表面有顶硅，顶硅与玻璃之间通过阳极键合，顶硅和底硅之间有氧化层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：付博，
申请(专利权)人：无锡壹资半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。