【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于SiC/GaN MOS管的驱动测试装置，包括一驱动信号输出端和一MOS管，其特征在于：还包括一第一电阻选择模块、一二极管模块、一第二电阻选择模块和一电阻选择控制模块；所述第一电阻选择模块的输入端与所述第二电阻选择模块的输入端相连接至所述驱动信号输出端，所述第一电阻选择模块的输出端接至所述二极管模块的输入端，所述第二电阻选择模块的输出端与所述二极管模块的输出端相连接至所述MOS管的控制端，所述电阻选择控制模块的第一输出端接至所述第一电阻选择模块的控制端，所述电阻选择控制模块的第二输出端接至所述第二电阻选择模块的控制端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曾奕彰，曾春保，王定富，钟伟龙，
申请(专利权)人：厦门科华恒盛股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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