本实用新型专利技术涉及一种聚光太阳能电池芯片，属太阳能发电技术领域。它包括负电极层，聚光太阳能电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光太阳能电池基材层一面覆上正电极层，另一面覆上负电极层，负电极之外的部分为有效面积。本实用新型专利技术的电池芯片在超过1000倍的聚光倍数和很强的光线地域条件下，能保证大电流很顺畅地通过正电极和负电极引导出来，而不损坏电池片；从菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑会在一定时间段内都完全重合地汇聚在聚光太阳能电池片的有效面积上；设定一个时间段太阳能跟踪器的电机工作一次，这样就极大地减少了给电机的供电功率，从而更加的节能；该电池芯片U形负电极能迅速地将电流导出，减小电流对其他电池材料中离子的碰撞，达到提高电池芯片的转换效率的目的。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种聚光太阳能电池芯片，属太阳能发电
。它包括负电极层，聚光太阳能电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光太阳能电池基材层一面覆上正电极层，另一面覆上负电极层，负电极之外的部分为有效面积。本技术的电池芯片在超过1000倍的聚光倍数和很强的光线地域条件下，能保证大电流很顺畅地通过正电极和负电极引导出来，而不损坏电池片；从菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑会在一定时间段内都完全重合地汇聚在聚光太阳能电池片的有效面积上；设定一个时间段太阳能跟踪器的电机工作一次，这样就极大地减少了给电机的供电功率，从而更加的节能；该电池芯片U形负电极能迅速地将电流导出，减小电流对其他电池材料中离子的碰撞，达到提高电池芯片的转换效率的目的。【专利说明】一种聚光太阳能电池芯片
本技术涉及一种光伏发电部件，具体涉及一种聚光太阳能电池芯片，属太阳 能发电
。
技术介绍
通常，高倍聚光光伏光电转换接收器所寻求的主要益处是在聚光太阳能电池芯片 的有效面积上得到从菲涅尔透镜汇聚的高密度太阳辐射光。透镜的倍数越高，得到太阳辐 射光的密度越高，相同面积上使用的聚光太阳能电池芯片越少，单位面积上的发电成本就 越低。 目前通常从菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑都为正方形，该焦斑的形状和大小也通常 和聚光太阳能电池片的形状和大小一致，从而使菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑完全汇聚到聚 光太阳能电池片上。但是在实际应用中，太阳是随时在移动的，这样就会造成一个时间段后 从菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑不会完全和聚光太阳能电池片的有效面积重合，从而导致转 换效率的降低；同时如果聚光太阳能电池片时时刻刻都跟随太阳移动的话，就必然会让跟 踪器时时刻刻都跟随太阳移动，这样就会用很多电来驱动跟踪器的电机工作。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种聚光太阳能电池芯片，该电池片在于克服现有技术 的不足。 为了实现上述技术目的，本技术采取的技术方案是：一种聚光太阳能电池芯 片，其特征是，它包括负电极层，聚光太阳能电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光太 阳能电池基材层一面覆上正电极层，另一面覆上负电极层，负电极之外的部分为有效面积。 所述聚光太阳能电池基材层为GalnP/GaAs/Ge三层结合体。 所述正电极层面积形状和聚光太阳能电池基材层面积形状完全一样。 所述负电极层为U形状的电极层，并放置在聚光太阳能电池基材层的三个端面。 所述每个负电极层的宽度为〇· 5"!· 5mm，厚度为0· 2?lmm。 所述有效面积为一长方形形状，长和宽之差在〇. Oflmm之间。 本技术的优点和积极效果是：1.宽度为〇. 5~1.5_和厚度为0. 2~1_的负电 极能够承受超过ΚΓ50安培的额定电流；2。从菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑会在一定时间段 内都完全重合地汇聚在聚光太阳能电池片的有效面积上；3.设定一个时间段太阳能跟踪 器的电机工作一次，这样就极大地减少了给电机的供电功率，从而更加的节能；4.该电池 芯片U形负电极能迅速地将电流导出，减小电流对其他电池材料中离子的碰撞，能将电池 芯片的转换效率整体提高。 【专利附图】【附图说明】 图1为一种聚光太阳能电池芯片主视图。 图2为一种聚光太阳能电池芯片侧视图。 图3为一种聚光太阳能电池芯片有效面积不意图。 其中：1、负电极层，2、聚光太阳能电池基材层，3、正电极层，4、有效面积，A、有效面 积的长，B有效面积的宽。 【具体实施方式】 下面结合附图对本技术作进一步的说明。 一种聚光太阳能电池芯片，如图1?3所示，聚光太阳能电池基材层2 -面覆上正 电极层3,另一面覆上负电极层1，负电极之外的部分为有效面积4,其中有效面积4的长为 A,有效面积4的宽为B,长和宽之差为0. 01~lmm之间。 聚光太阳能电池基材层2通过特殊工艺将正电极3和负电极1巧妙地结合在一 起，既能保证大电流很顺畅地通过正电极3和负电极1引导出来，同时也能保证各电极和连 接线能承受ΚΓ50安培的额定电流。 在聚光太阳能电池基材层2上加工负电极1，负电极1的宽度为0. 5~1. 5mm，厚度 为0· 2~lmm，便于大电流的顺利导通。 负电极层1为U形电极，可以迅速地将电流导出，减小电流对其他电池材料中离子 的碰撞概率。 具体操作如下：首先将聚光太阳能电池芯片有效面积的长边保持和东西方向一 致，当太阳从东向西运动一段时间段时，能保证从菲涅尔透镜汇聚过来的太阳光焦斑完全 汇聚到聚光太阳能电池芯片的有效面积上。 本技术中，作为变行实施例，有效面积的长和宽可以交换过来设定制作，聚光 太阳能电池芯片的正、负电极也可以交换过来设定制作，U形负电极可以任意布局在电池表 面的任何三端面。【权利要求】1. 一种聚光太阳能电池芯片，其特征是，它包括负电极层，聚光太阳能电池基材层，正 电极层和有效面积，所述聚光太阳能电池基材层一面覆上正电极层，另一面覆上负电极层， 负电极之外的部分为有效面积。2. 根据权利要求1所述的一种聚光太阳能电池芯片，其特征是，所述聚光太阳能电池 基材层为GalnP/GaAs/Ge三层结合体。3. 根据权利要求1所述的一种聚光太阳能电池芯片，其特征是，所述正电极层面积形 状和聚光太阳能电池基材层面积形状完全一样。4. 根据权利要求1所述的一种聚光太阳能电池芯片，其特征是，所述负电极层为U形状 的电极层，并放置在聚光太阳能电池基材层的三个端面。5. 根据权利要求1或4所述的一种聚光太阳能电池芯片，其特征是，每个负电极层的宽 度为0. 5?1. 5_，厚度为0. 2?1_。6. 根据权利要求1所述的一种聚光太阳能电池芯片，其特征是，所述有效面积为一长 方形形状，长和宽之差在O.Oflmm之间。【文档编号】H01L31/0224GK203895473SQ201420310571【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年6月11日 优先权日:2014年6月11日 【专利技术者】王永向 申请人:成都聚合科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种聚光太阳能电池芯片，其特征是，它包括负电极层，聚光太阳能电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光太阳能电池基材层一面覆上正电极层，另一面覆上负电极层，负电极之外的部分为有效面积。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王永向，
申请(专利权)人：成都聚合科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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