一种背钝化太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种背钝化太阳能电池及其制备方法，它包括硅衬底层、形成于硅衬底层上表面的发射极层、位于发射极层上表面的减反膜层、多个正面银电极、位于硅衬底层底面的背面钝化膜、覆盖于背面钝化膜底面的背面铝层、多个背面银电极、贯穿背面钝化膜和背面铝层的多个接触区，所述接触区的上表面与硅衬底层底面相接触，所述接触区为银质线段形状且排布成相互平行的多行，每行中的接触区相互平行且间隔分布，相邻行内的接触区交错分布，一方面能够节约银的耗量，另一方面减少了背面铝层与硅衬底的接触区面积，提高了电池光电转化效率。本发明专利技术背钝化太阳能电池的制备方法，相对于激光或腐蚀剂等工艺，减少了设备投入和工艺步骤。

【技术实现步骤摘要】
一种背钝化太阳能电池及其制备方法
本专利技术属于光伏晶体硅太阳能电池领域，具体涉及一种背钝化太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源，也是清洁能源，不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中，太阳能光电利用是近些年来发展最快、最具活力的研究领域。晶体硅太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电转换反应直接把光能转化成电能的装置。光电转化效率和生产成本是制约晶体硅太阳能电池大规模使用的两个重要方面。影响光电转化效率的因素很多，均可归结为太阳光子的利用率和表面复合情况。提高太阳光的利用率可通过减少光的反射来实现：光线照射到电池正表面，一部分光在硅片表面被反射掉，另外的部分可投射进入硅片内部，为了充分利用太阳光，可在硅片表面形成绒面和增加减反射膜，以减少光线在硅片表面的反射损失。进入硅片内部的光子在传播过程中不断被吸收，但还是有相当一部分到达了硅片的基地及背表面，而这些地方的高复合速率是影响太阳能电池效率的主要因素。因此，被钝化的研究显得十分重要。钝化可分为表面钝化和体钝化，它能消除硅片表面和内部的缺陷，如悬挂键、杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背钝化太阳能电池，其特征在于：它包括硅衬底层（1）、形成于硅衬底层（1）上表面的发射极层（2）、位于发射极层（2）上表面的减反膜层（3）、贯穿于减反膜层（3）中且与发射极层（2）上表面相接触的多个正面银电极（4）、位于硅衬底层（1）底面的背面钝化膜（5）、覆盖于背面钝化膜（5）底面的背面铝层（6）、贯穿于背面钝化膜（5）和背面铝层（6）中且与硅衬底层（1）底面相接触的多个背面银电极（8）、贯穿背面钝化膜（5）和背面铝层（6）的多个接触区（7），所述接触区（7）的上表面与硅衬底层（1）底面相接触，所述接触区（7）为银质线段形状且排布成相互平行的多行，每行中的接触区（7）相互平行且间隔分布，相...

【技术特征摘要】
1.一种背钝化太阳能电池，其特征在于：它包括硅衬底层（1）、形成于硅衬底层（1）上表面的发射极层（2）、位于发射极层（2）上表面的减反膜层（3）、贯穿于减反膜层（3）中且与发射极层（2）上表面相接触的多个正面银电极（4）、位于硅衬底层（1）底面的背面钝化膜（5）、覆盖于背面钝化膜（5）底面的背面铝层（6）、贯穿于背面钝化膜（5）和背面铝层（6）中且与硅衬底层（1）底面相接触的多个背面银电极（8）、贯穿背面钝化膜（5）和背面铝层（6）的多个接触区（7），所述接触区（7）的上表面与硅衬底层（1）底面相接触，所述接触区（7）为银质线段形状且排布成相互平行的多行，每行中的接触区（7）相互平行且间隔分布，相邻行内的接触区（7）交错分布；所述的背面钝化膜（5）与硅衬底层（1）间形成有背面场层（9），所述背面银电极（8）与背面场层（9）底面相接触，所述接触区（7）的上表面与背面场层（9）底面相接触；所述背面钝化膜（5）的成分为Al2O3、SiO2或SiNx。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志刚，陆俊宇，汪燕玲，易辉，连维飞，魏青竹，
申请(专利权)人：中利腾晖光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32