【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种半导体器件可以包括：第一编码单元，被配置成将第一数据编码成抗漂移码；以及第二编码单元，被配置成将奇偶校验信息添加至抗漂移码。【专利说明】编码器、译码器和包括其的半导体器件 相关申请的交叉引用 本申请要求于2013年4月22日提交的申请号为10-2013-0043886的韩国专利申 请的优先权，其全部内容通过引用合并于此，如同全文阐述。
各种实施例总体而言涉及编码器、译码器和包括其的半导体器件，更具体地涉及 能够处理数据，使得数据可以被恢复的编码器、译码器和包括其的半导体器件。
技术介绍
在诸如PCRAM的存储器件中，随着时间流逝可能发生漂移。漂移可以表示存储器 单元的信息(例如，电阻值）变化的现象。 当发生漂移时，在读取信息时从存储器单元读取的信息会与原始信息不同。因而， 不容易恢复原始数据。具体地，在存储多比特数据的存储器件的情况下，漂移可能使得更难 以恢复数据。此外，在漂移发生的同时在相邻电平之间出现交叉时，变得更难以恢复数据。
技术实现思路
在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：第一编码单元，被配置...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一编码单元，被配置成将第一数据编码成抗漂移码；以及第二编码单元，被配置成将奇偶校验信息添加至所述抗漂移码。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金俊宇，金弘植，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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