主动式固态发光显示器制造技术

本发明专利技术提供一种主动式固态发光显示器，其包括一个基板、复数个固态发光源以及复数个薄膜晶体管，所述基板表面具有一个缓冲层，所述缓冲层上设置所述固态发光源以及所述薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述固态发光源的一个侧边，所述固态发光源是为一个发光二极管，所述薄膜晶体管通过源极电极或汲极电极与所述固态发光源发光二极管电性连结。本发明专利技术通过所述固态发光源结合所述薄膜晶体管形成的主动式发光二极管，可有效解决有机发光二极管的材料以及在制程中产生的寿命劣化问题。

【技术实现步骤摘要】
主动式固态发光显示器
本专利技术涉及一种主动式固态发光显示器，尤其以固态发光源结构取代有机发光源的一种主动式固态发光显示器。
技术介绍
新一代平板显示器(Flat-PanelDisplay)的主要技术，是利用有机材料来制造的主动式有机发光二极管显示器(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDisplay,AMOLED)。所述主动式有机发光二极管显示器虽然具有高亮度、屏幕反应速度快、轻薄短小、全彩、无视角差、不需背光板以及省电等优点。但是，有机发光材料在制程中容易受到制程环境的影响，例如环境中的水气会使有机材料产生劣化现象。因此，主动式有机发光二极管显示器需要在真空的环境才能完成制作，且需要进行封止程序以避免使有机材料劣化。另外，有机材料还有发光材料寿命劣化问题存在，是主动式有机发光二极管显示器发展需要解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供可降低环境因素影响的一种主动式固态发光显示器。本专利技术提供一种主动式固态发光显示器，其包括一个基板、复数个固态发光源以及复数个薄膜晶体管，所述基板表面具有一个缓冲层，所述缓冲层上设置所述固态发光源以及所述薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述固态发光源的一个侧边，所述固态发光源是为一个发光二极管，所述薄膜晶体管通过源极电极或汲极电极与所述固态发光源发光二极管电性连结。相较现有技术，本专利技术主动式固态发光显示器，通过所述固态发光源的发光二极管材料特性避免制程中产生劣化的问题，例如Ⅲ-Ⅴ族半导体中的氮化物半导体发光二极管就具备长寿命、高抗环境因素、高崩溃电压以及宽能隙特性，可以解决有机发光二极管产生的寿命劣化问题。附图说明图1是本专利技术主动式固态发光显示器的第一实施方式的组合剖视图。图2是图1主动式固态发光显示器的固态发光源与薄膜晶体管电连接的示意图。图3是本专利技术主动式固态发光显示器的第二实施方式的组合剖视图。图4是图3主动式固态发光显示器的固态发光源与薄膜晶体管电连接的示意图。主要元件符号说明固态发光显示器10、20基板12、22缓冲层122、222固态发光源14、24P型电极141、241P型半导体层142、242发光层143、243N型半导体层144N型电极145、245接触层146、246电流扩散层147、247氧化物半导体层244薄膜晶体管16、26闸极电极161、261源极电极162、262汲极电极163、263绝缘层164、264活性层165、265荧光粉18荧光板182如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术作一具体介绍。请参阅图1所示，为本专利技术主动式固态发光显示器的第一实施方式的组合剖视图。所述固态发光显示器10其包括一个基板12、复数个固态发光源(SolidStateLighting)14以及复数个薄膜晶体管(ThinFilmTransistor)16。所述基板12的表面上设置有一个缓冲层122，所述缓冲层122是为绝缘缓冲层(InsulationBufferLayer)。所述缓冲层122材料选自低温氮化铝铟镓(LowTemperatureAlInGaN，LT-AlGaInN)，氧化硅(SiOx)，氮化硅(SiNx)，氮氧化硅(SiON)、氧化铪(HfOx)、氧化铝(AlOx)、氧化钽(TaOx)或是钛酸锶钡(BaSrTiOx)等至少其中之一或是其中的组合。所述缓冲层122上设置所述固态发光源14以及所述薄膜晶体管16。所述基板12材料是为蓝宝石(Sapphire)、硅(Si)、绝缘体上硅(SiliconOnInsulator,SOI)、玻璃、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)或塑料其中之一。所述固态发光源14是为发光二极管，所述固态发光源14发光二极管可以选自氧化物半导体、氮化物半导体、磷化物半导体或砷化物半导体的发光二极管。所述固态发光源14发光二极管也可以是化合物半导体(CompoundSemiconductor)，其包括Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族或是Ⅳ-Ⅳ族半导体。本第一实施方式中，所述固态发光源14发光二极管是一个P-N型的发光二极管，其包括一个P型电极141、一个P型半导体层142、一个发光层143、一个N型半导体层144以及一个N型电极145，所述N型半导体层144设置于所述基板12的所述缓冲层122上，所述N型半导体层144上方设置所述发光层143，所述发光层143上设置所述P型半导体层142，所述P型半导体层142以及所述N型半导体层144上再分别设置于所述P型电极141以及所述N型电极145。所述P型电极141以及所述N型电极145为金属块或是金属薄膜，用以电性连接所述薄膜晶体管16。所述P型半导体层142与所述P型电极141之间进一步包括一个接触层(ContactLayer)146以及一个电流扩散层(CurrentSpreadingLayer)147，所述接触层146是为奥姆接触层，配合所述电流扩散层147使电流扩散，可以增加所述固态发光源14发光二极管的发光效率。所述固态发光源14发光二极管中，所述N型半导体层144可以是氧化物半导体或是化合物半导体，所述氧化物半导体是为金属氧化物半导体，所述金属氧化物半导体选自氧化锌(ZnO)或是氧化锌镓铟IGZO。所述化合物半导体选自Ⅲ-Ⅴ族半导体中的硒化锌(ZnSe)、砷化镓(GaAs)、磷化铝镓铟(InGaAlP)或氮化镓铟铝(AlInGaN)。所述N型半导体层144为金属氧化物半导体时可作为所述固态发光源14发光二极管的透明电极，以电性连接所述薄膜晶体管16。所述固态发光源14发光二极管的发光层143材料，是选自碲化硒镁锌镉(CdZnMgSeTe)、磷化铟镓铝(AlGaInP)、砷化镓铟铝(AlInGaAs)、氮化镓铟铝(AlInGaN)、氧化锌(ZnO)、氧化锌镓铟IGZO或硅锗(SiGe)其中之一。所述薄膜晶体管16位于所述固态发光源14发光二极管的一个侧边，所述薄膜晶体管16具有的闸极电极(GateElectrode)161设置于所述基板12的所述缓冲层122上，而所述薄膜晶体管16具有的源极电极(SourceElectrode)162以及汲极电极(DrainElectrode)163位于所述闸极电极161的上方。所述闸极电极161与所述源极电极162及所述汲极电极163之间具有一个绝缘层(InsulationLayer)164以及一个活性层(ActiveLayer)165设置，其中所述绝缘层164覆盖于所述闸极电极161上(又称闸极绝缘层)，所述绝缘层164上再设置所述活性层165，所述源极电极162及所述汲极电极163则设置于所述活性层165上。所述绝缘层164在所述薄膜晶体管16内区隔所述闸极电极161与所述源极电极162及所述汲极电极163，而通过所述源极电极162或是所述汲极电极163与所述固态发光源14发光二极管作电性连接。第一实施方式中，所述源极电极162或是所述汲极电极163与所述固态发光源14发光二极管的连接，是通过所述N型半导体层144进行连接。当所述N型半导体层144上具有金属块或是金属膜的所述N型电极145设置时，所述源极电极162或是所述汲极电极163与所述N型电极145连接。所述N型电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主动式固态发光显示器，其包括一个基板、复数个固态发光源以及复数个薄膜晶体管，其特征在于：所述基板表面具有一个缓冲层，所述缓冲层上设置所述固态发光源以及所述薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述固态发光源的一个侧边，所述固态发光源是为一个发光二极管，所述薄膜晶体管通过源极电极或汲极电极与所述固态发光源发光二极管电性连结。

【技术特征摘要】
1.一种主动式固态发光显示器，其包括一个基板、复数个固态发光源以及复数个薄膜晶体管，其特征在于：所述基板表面具有一个缓冲层，所述缓冲层上设置所述复数固态发光源以及所述复数薄膜晶体管，一薄膜晶体管位于一固态发光源的一个侧边，所述固态发光源是为一个发光二极管，所述薄膜晶体管通过源极电极或汲极电极与所述固态发光源发光二极管电性连结；所述固态发光源为是一个P-N型的发光二极管，其包括一个P型电极、一个P型半导体层、一个发光层、一个氧化物半导体层以及一个N型电极，所述N型电极设置于所述基板的绝缘层上，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾坚信，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44