【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了,通过以下步骤实现,包括,步骤1)以耐高温膜作为基底,在所述基底上切割出至少两个彼此相连的孔,在所述孔的孔沿处涂覆金属粉,并将金属基片嵌于所述孔中,制得基材;步骤2)将步骤1)中制得的基材放入反应室,抽真空,于1000~1500Pa大气压下,通入Ar气和氢气,将反应室温度加热至850~1080℃,保温25~35min,通入碳源气体,保持8~18min,停止通气,退火,冷却至室温,形成石墨烯薄膜;步骤3)刮除金属基片一侧的石墨烯,并在另一侧的基材上及金属片表面粘设胶黏剂,形成胶黏层;步骤4)将步骤3)中刮除掉石墨烯的金属基片一侧浸泡在腐蚀溶液中,腐蚀掉金属基片,并对基体表面进行清洗,从而得到面积扩大的石墨烯中间体。【专利说明】
本专利技术涉及一种石墨烯制备方法,特别涉及一种大面积石墨烯中间体的制备方 法。
技术介绍
石墨烯,即石墨的单原子层,是碳原子按蜂窝状排列的二维结构,也是构成其他低 维度碳材料如富勒烯、碳纳米管的基本单元。按照层数,石墨烯可以分为单层石墨烯、双层 石墨烯、少层石墨烯。石墨烯的研究由来已久 ...
【技术保护点】
一种大面积石墨烯中间体的制备方法,其特征在于,通过以下步骤实现,包括,步骤1)以耐高温膜作为基底,在所述基底上切割出至少两个彼此相连的孔,在所述孔的孔沿处涂覆金属粉,并将金属基片嵌于所述孔中,制得基材;步骤2)将步骤1)中制得的基材放入反应室,抽真空,于1000~1500Pa大气压下,通入Ar气和氢气,将反应室温度加热至850~1080℃,保温25~35min,通入碳源气体,保持8~18min,停止通气,退火,冷却至室温,所述孔沿处及所述金属基片表面生长形成石墨烯薄膜;步骤3)刮除金属基片一侧的石墨烯,并在另一侧的基材上及金属片表面粘设胶黏剂,形成胶黏层;步骤4)将步骤3) ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:金闯,杨晓明,
申请(专利权)人:苏州斯迪克新材料科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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