一种膜层刻蚀防损伤监控设备制造技术

本实用新型专利技术涉及显示技术领域，特别涉及一种膜层刻蚀防损伤监控设备，该监控设备包括腔室，所述腔室中设有光源和若干个光感探头，所述光源向基板上的所述膜层照射，所述光感探头用于感应所述膜层的透光率。本实用新型专利技术提供的膜层刻蚀防损伤监控设备，结构简单，使用方便，通过对比不同状态下膜层的透光率，可有效监控对膜层的刻蚀程度，最大程度确保膜层不被过度刻蚀，确保膜层的性能，进而提高产品的良品率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及显示
，特别涉及一种膜层刻蚀防损伤监控设备，该监控设备包括腔室，所述腔室中设有光源和若干个光感探头，所述光源向基板上的所述膜层照射，所述光感探头用于感应所述膜层的透光率。本技术提供的膜层刻蚀防损伤监控设备，结构简单，使用方便，通过对比不同状态下膜层的透光率，可有效监控对膜层的刻蚀程度，最大程度确保膜层不被过度刻蚀，确保膜层的性能，进而提高产品的良品率。【专利说明】一种膜层刻蚀防损伤监控设备
本技术涉及显示
，特别涉及一种膜层刻蚀防损伤监控设备。
技术介绍
目前，由于低温多晶硅显示基板相对非晶硅显示基板具有更高的驱动能力，可较 容易获得更高的显示质量，因此，越来越受到用户的追捧。如图1所示，为一种典型的顶栅 结构阵列基板的结构示意图，该阵列基板包括玻璃等透明基板101'、缓冲层102'、多晶硅 有源层103'、栅极绝缘层104'、栅极金属105'和层间绝缘层106'组成。参考附图1B，在刻 蚀过孔时，在层间绝缘层106'之上用光刻工艺形成掩膜107'，采用干法刻蚀108'将带刻蚀 区域109'刻蚀去除，从而形成过孔，在后续工艺中即可沉积金属至过孔内从而实现与多晶 硅有源层的连接。 但遗憾的是，目前栅极绝缘层104'、层间绝缘层106'相加起来的厚度是相较有源 层的厚度差别非常大（10:1以上），刻蚀工艺的难度很大，而且较难有效监测有否刚好刻蚀 至多晶硅有源层表面，导致很容易出现有源层过刻问题，降低了多晶硅基板的制造良率，特 别是基板尺寸较大时，整个基板的刻蚀情况更难以把握。 当然，除了有源层，其他膜层也存在在刻蚀过程中发生过度刻蚀的现象。
技术实现思路
(一）要解决的技术问题 本技术的目的是提供膜层刻蚀防损伤监控设备，以克服现有技术中无法掌控 对有源层等膜层的刻蚀程度导致容易出现过刻，影响有源层等膜层性能的缺陷。 (二）技术方案 为了实现上述目的，本技术提供一种膜层刻蚀防损伤监控设备，包括腔室，所 述腔室中设有光源和若干个光感探头，所述光源向基板上的所述膜层照射，所述光感探头 用于感应所述膜层的透光率。 优选地，所述腔室为真空腔室，所述真空腔室连通反应气体源；所述真空腔室中设 有刻蚀装置。 优选地，所述刻蚀装置具体包括： 相对设置的上极板和下极板，其中一个极板接地，另外一个极板接射频电源，使得 上极板和下极板之间生成对基板进行刻蚀的等离子体； 所述下极板用于放置待刻蚀的基板。 优选地，所述光源位于所述上极板上； 或者，所述光源位于真空腔室的侧壁； 或者，所述光源位于真空腔室的上壁。 优选地，所述光感探头设置于所述下极板远离所述基板的一侧。 优选地，所述光感探头的数量为5-25个，均匀分布。 优选地，还包括用于提供射频电流以产生等离子体的射频电源，所述射频电源在 断电时间段进行膜层的透光率的监测。 (三）有益效果 本技术提供的膜层刻蚀防损伤监控设备，结构简单，使用方便，通过对比不同 状态下膜层的透光率，可有效监控对膜层的刻蚀程度，最大程度确保膜层不被过度刻蚀，确 保膜层的性能，进而提供产品的良品率。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有技术中顶栅型阵列基板示意图； 图2为本技术实施例一膜层刻蚀防损伤监测方法流程示意图； 图3为本技术实施例二有源层刻蚀防损伤监测方法流程示意图； 图4为本技术实施例三阵列基板的制作方法流程示意图； 图5A--为本技术实施例三阵列基板的制作方法过程中各步骤结构示意 图； 图6为本技术实施例四有源层刻蚀监测设备结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图和实施例，对本技术的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下 实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。 实施例一 如图2所示，本技术实施例提供一种膜层刻蚀防损伤监控方法，包括： 步骤S101、在形成膜层图形之后监测并记录所述膜层的透光率基准值； 步骤S102、在所述膜层图形上形成阻挡层，对阻挡层进行刻蚀过孔的过程中，实时 监测所述膜层的透光率现有值，通过透光率现有值和透光率基准值之间的变化量来监控对 所述膜层的刻蚀程度。 其中，为了确保整个基板的透光均匀性，可监测所述膜层的不同位置的多个透光 率值。优选地，可监测所述膜层的不同位置的9?25点透光率值。当然，该具体位置的数 量可根据实际需求而定。 在实际刻蚀工程中，实时监测膜层的透光率现有值，当透光率现有值达到透光率 基准值的100 %?120 %时，停止刻蚀。 本实施例监控方法在实际应用中，通常针对膜层厚度较薄，而阻挡层的厚度相对 较厚的基板结构，由于阻挡层的厚度与膜层相比较厚，这样在刻蚀阻挡层形成过孔的过程 中，若不采用监控手段，则很容易将较薄的膜层过刻蚀，从而影响该膜层的正常使用性能。 另外，该膜层例如可以为有源层、源漏电极层等等。 实施例二 下面以有源层为例，对该膜层刻蚀防损伤监控方法进行详细说明。 如图3所示，本技术提供一种有源层刻蚀损伤监测方法，其包括如下步骤： 步骤S201、在形成有源层图形之后监测并记录该有源层的透光率基准值； 其中，形成有源层图形具体包括：沉积非晶娃层，厚度为l〇〇A ~ 3000A.，优选厚 度为500A ~ 1OOOA。其形成方法可以为pecvd(等离子体增强化学气相沉积）、LPCVD(低 压化学气相沉积）或者溅射方法，沉积温度在600°c以下。随后可通过准分子激光晶化、金 属诱导晶化、固相晶化等方法将非晶硅层转变为多晶硅层，需要说明的是，采用不同的晶化 方法，其具体的工艺过程及薄膜晶体管的结构会有所不同，在制备过程中需要根据情况增 加热处理脱氢、沉积诱导金属、热处理晶化、准分子激光照射晶化、源漏区的掺杂（P型或者 N型掺杂）及掺杂杂质的激活等工艺。 将非晶硅转化为多晶硅层之后以光刻工艺形成掩膜，继而采用干法刻蚀方法形成 图形，作为有源层图形。 其中，监测并记录该有源层的透光率基准值具体包括：监测并记录此时多晶硅区 域的透过率并记录，具体可通过向基板照射光束，感应所述有源层图形的透光率，并将该透 光率作为有源层的透过率基准值，为监测整个基板的均匀性，监测不同位置的多个数据值， 如测量9?25点数据。 步骤S202、在有源层图形上形成阻挡层，对阻挡层进行刻蚀过孔的过程中，实时监 测有源层的透光率现有值，通过透光率现有值和透光率基准值之间的变化量来监控对有源 层的刻蚀程度。 其中，对阻挡层选用等离子刻蚀、反应离子刻蚀或电感耦合离子体刻蚀方法，所述 刻蚀气体为含氟、氯的气体。在刻蚀过程中，实时监测有源层的透光率现有值，当透光率透 过率现有值达到透光率基准值的100%?120%时，表示已经刻蚀至有源层，停止刻蚀。 本技术实施例提供的有源层刻蚀监测方法，通过对比不同状态下有源层的透 光率，可有效监控对有源层的刻蚀程度，最大程度确保有源层不被过度刻蚀，确保有源层的 性能，进而提供广品的良品率。 实施例三 如图4所示，本实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膜层刻蚀防损伤监控设备，其特征在于，包括腔室，所述腔室中设有光源和若干个光感探头，所述光源向基板上的所述膜层照射，所述光感探头用于感应所述膜层的透光率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘政，任章淳，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11