太阳能电池制造技术

公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；整个形成在所述半导体基板的表面上的第一隧穿层；设置在所述半导体基板的所述表面上的第一导电类型区域；以及包括连接到所述第一导电类型区域的第一电极的电极。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；整个形成在所述半导体基板的表面上的第一隧穿层；设置在所述半导体基板的所述表面上的第一导电类型区域；以及包括连接到所述第一导电类型区域的第一电极的电极。【专利说明】太阳能电池
本专利技术的实施方式涉及太阳能电池，更具体地讲，涉及一种包括半导体基板的太 阳能电池。
技术介绍
近年来，随着预期诸如石油和煤的传统能源将要耗尽，对取代这些能源的替代能 源的关注正在增长。其中，作为将太阳能转换为电能的下一代电池，太阳能电池吸引了相当 大的关注。 这种太阳能电池可通过在半导体基板上形成导电类型区域以及与该导电类型区 域电连接的电极以引起光电转换来制造。另外，太阳能电池可包括使导电类型区域钝化的 钝化膜、防止反射的减反射膜等，以便改进太阳能电池的性能。 在这方面，传统太阳能电池的效率可能由于半导体基板上的载流子的复合、载流 子的长迁移距离等而劣化。因此，应该将太阳能电池设计为使得其效率可最大化。
技术实现思路
本专利技术的实施方式的目的在于提供一种能够使效率最大化的太阳能电池。 根据本专利技术的实施方式的一个方面，上述和其它方面可通过提供一种太阳能电池 来实现，该太阳能电池包括：半导体基板；第一隧穿层，其整个形成在所述半导体基板的表 面上；第一导电类型区域，其设置在所述半导体基板的所述表面上；以及电极，其包括连接 到所述第一导电类型区域的第一电极，其中，所述第一导电类型区域包括第一部分，该第一 部分设置在所述第一隧穿层上并且包括利用第一导电类型的掺杂物掺杂的多晶半导体、非 晶半导体或微晶半导体。 根据本专利技术的实施方式，在所述半导体基板上形成所述隧穿层之后，在所述隧穿 层上形成导电类型区域(发射极区域、背面场区域等)。结果，半导体基板的背面上的缺陷被 有效去除，并且导致光电转换的载流子被有效迁移。因此，防止对半导体基板的损伤，并因 此有效去除半导体基板的背面上的复合部位（recombination site)。因此，可进一步改进 太阳能电池的效率。 在根据本专利技术的另一实施方式的太阳能电池中，导电类型区域包括多个部分，所 述多个部分被设置为使得隧穿层介于所述部分之间，从而使半导体基板上的复合最小化并 改进与电极的电连接。结果，可改进太阳能电池的效率。 【专利附图】【附图说明】 从下面结合附图进行的详细描述，本专利技术的实施方式的上述和其它目的、特征和 其它优点将更清楚地被理解，附图中： 图1是示出根据本专利技术的实施方式的太阳能电池的截面图； 图2是示出根据该实施方式的太阳能电池的平面图； 图3是示出根据图1所示的实施方式的修改实施方式的太阳能电池的截面图； 图4是示出根据本专利技术的另一实施方式的太阳能电池的截面图； 图5是示出根据图4所示的实施方式的修改实施方式的太阳能电池的截面图； 图6是示出图4所示的实施方式的另一修改实施方式的截面图； 图7是示出根据图4所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面 图； 图8是示出根据本专利技术的另一实施方式的太阳能电池的截面图； 图9是示出根据图8所示的实施方式的修改实施方式的太阳能电池的截面图； 图10是示出根据图8所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面 图； 图11是示出根据本专利技术的另一实施方式的太阳能电池的截面图； 图12是示出根据图11所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面 图； 图13是示出根据图11所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面 图； 图14是示出根据图11所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面 图； 图15是示出根据图11所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面 图； 图16A至图16E是示出图11所示的太阳能电池的制造方法的截面图；以及 图17是示出根据本专利技术的另一实施方式的太阳能电池的截面图。 【具体实施方式】 现在将详细参照本专利技术的示例实施方式，其示例示出于附图中。本专利技术的实施方 式不限于所述实施方式，所述实施方式可被修改成各种形式。 在附图中，为了本专利技术的实施方式的描述清晰和简明起见，没有示出与描述无关 的部分，并且贯穿说明书，将使用相同的标号来指代相同或相似的部件。 在附图中，为了更清晰地描述，厚度或尺寸被夸大或缩小。另外，各个构成元件的 尺寸或面积不限于图中所示的那些。 还将理解，贯穿此说明书，当一个元件被称作"包括"另一元件时，术语"包括"指 定存在另一元件，但不排除其它附加元件的存在，除非上下文另外清楚地指示。另外，将理 解，当诸如层、膜、区域或板的一个元件被称作"在"另一元件"上"时，这一个元件可直接在 所述另一元件上，并且也可存在一个或更多个中间元件。相反，当诸如层、膜、区域或板的一 个元件被称作"直接在"另一元件"上"时，不存在一个或更多个中间元件。 以下将参照附图更详细地描述根据本专利技术的实施方式的太阳能电池。 图1是示出根据本专利技术的实施方式的太阳能电池的截面图。图2是示出根据该实 施方式的太阳能电池的平面图。 参照图1和图2,根据本专利技术的实施方式的太阳能电池100包括基板(例如，半导 体基板，以下称作"半导体基板"）10、导电类型区域20和30、连接到导电类型区域20和30 的电极24和34以及至少一个隧穿层40。导电类型区域20和30可包括发射极区域20和 背面场区域30,电极24和34可包括分别连接到发射极区域20和背面场区域30的第一电 极24和第二电极34。隧穿层40可介于半导体基板10与导电类型区域20和30中的至少 一个之间。隧穿层40可与第一钝化膜21、第一减反射膜22、第二钝化膜31、第二减反射膜 32等一起被包括。将更详细地描述此构造。 发射极区域20和背面场区域30中的一个称作"第一导电类型区域"，另一个称作 "第二导电类型区域"。在本专利技术的实施方式中，诸如第一或第二的术语仅用于区分元件，本 专利技术的实施方式不限于此。 半导体基板10可包括基极区域110,该基极区域110包含相对低掺杂浓度的第一 导电类型的掺杂物。基极区域110可由包含第一导电类型的掺杂物的晶体半导体构成。例 如，基极区域110可包括包含第一导电类型的掺杂物的单晶或多晶半导体(例如，单晶硅或 多晶硅)。具体地讲，基极区域110可由包含第一导电类型的掺杂物的单晶半导体(例如，单 晶半导体晶片，更具体地讲，半导体硅晶片）构成。因此，当基极区域110由单晶硅构成时， 太阳能电池100构成单晶硅太阳能电池。因此，包括单晶半导体的太阳能电池100是基于 基极区域110或半导体基板10的，其由于优异的结晶性而很少有缺陷，因此呈现优异的电 性能。 例如，第一导电类型的掺杂物是η型或P型掺杂物。即，第一导电类型的掺杂物可 以是诸如V族元素(包括磷（Ρ)、砷（As)、铋（Bi)、锑（Sb)等)的η型杂质。另选地，第一导 电类型的掺杂物可以是诸如III族元素(包括硼（Β)、铝（Α1)、镓（Ga)、铟（In)等）的ρ型 杂质。 在这种情况下，基极区域110可包括η型杂质作为第一导电类型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；第一隧穿层，其整个形成在所述半导体基板的表面上；第一导电类型区域，其在所述半导体基板的所述表面上；以及电极，其包括连接到所述第一导电类型区域的第一电极，其中，所述第一导电类型区域包括第一部分，该第一部分设置在所述第一隧穿层上并且包括利用第一导电类型的掺杂物掺杂的多晶半导体、非晶半导体或微晶半导体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张在元，沈敬珍，朴铉定，崔正薰，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR