本实用新型专利技术公开了射流吸盘装置，它包括吸附板，在所述的吸附板的底面上安装有四个导流块，每一个导流块的外侧侧壁上向吸附板外侧方向凸出设置有凸块，所述的凸块的顶面与吸附板底面平行设置形成导流面，所述的凸块的底面与吸附板底面平行设置形成硅片吸附状态下的支撑面，在吸附板上设置有压缩空气通路，压缩空气通路具有分别与四个导流块的导流面相对的喷射孔，喷射孔喷射的气流被导流块的导流面阻挡改变运动方向，沿吸附板底面向外侧喷出。本实用新型专利技术的有益效果是：吸附产品是依靠高速气体射流产生局部低压区以吸附物体，避免了传统吸入式吸附方式容易吸入异物造成机构污染故障的弊端。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了射流吸盘装置，它包括吸附板，在所述的吸附板的底面上安装有四个导流块，每一个导流块的外侧侧壁上向吸附板外侧方向凸出设置有凸块，所述的凸块的顶面与吸附板底面平行设置形成导流面，所述的凸块的底面与吸附板底面平行设置形成硅片吸附状态下的支撑面，在吸附板上设置有压缩空气通路，压缩空气通路具有分别与四个导流块的导流面相对的喷射孔，喷射孔喷射的气流被导流块的导流面阻挡改变运动方向，沿吸附板底面向外侧喷出。本技术的有益效果是：吸附产品是依靠高速气体射流产生局部低压区以吸附物体，避免了传统吸入式吸附方式容易吸入异物造成机构污染故障的弊端。【专利说明】
本技术涉及硅片搬运过程中应用的吸附装置，本技术尤其涉及射流吸 盘。 射流吸盘装置
技术介绍
太阳能硅片自动生产加工过程中涉及吸取搬运硅片的过程，硅片表面覆水的情况 下用传统真空吸附的方式会将硅片表面的水吸入真空泵或其他真空发生装置，造成装置故 障或损坏。
技术实现思路
本技术的目的在于克服已有技术的缺点，提供一种保证真空发生装置不会损 坏的射流吸盘装置。 本技术的射流吸盘装置，它包括吸附板，在所述的吸附板的底面上安装有四 个导流块，每一个导流块的外侧侧壁上向吸附板外侧方向凸出设置有凸块，所述的凸块的 顶面与吸附板底面平行设置形成导流面，所述的凸块的底面与吸附板底面平行设置形成硅 片吸附状态下的支撑面，在吸附板上设置有压缩空气通路，压缩空气通路具有分别与四个 导流块的导流面相对的喷射孔，喷射孔喷射的气流被导流块的导流面阻挡改变运动方向， 沿吸附板底面向外侧喷出。 本技术的有益效果是：吸附产品是依靠高速气体射流产生局部低压区以吸附 物体，避免了传统吸入式吸附方式容易吸入异物造成机构污染故障的弊端。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术的射流吸盘装置的整体结构示意图； 图2是图1所示的装置侧视剖视示意图； 图3-1是图1所示的装置中的导流块的结构示意图； 图3-2是图3-1所示的导流块的侧视图。 【具体实施方式】 下面结合附图对本技术作进一步说明。 本装置的原理是利用高速气流造成局部低压，低压区域使得被吸附的硅片上下表 面出现压差，由此产生吸附力使硅片贴合在吸盘表面。 如附图所示的本技术的射流吸盘装置，它包括吸附板1，在所述的吸附板1的 底面上安装有四个导流块3,每一个导流块3的外侧侧壁上向吸附板外侧方向凸出设置有 凸块，所述的凸块的顶面与吸附板1底面平行设置形成导流面6,所述的凸块的底面与吸附 板1底面平行设置形成硅片吸附状态下的支撑面7,在吸附板1上设置有压缩空气通路。压 缩空气通路具有分别与四个导流块3的导流面6相对的喷射孔2,使喷射孔2喷射的气流 被导流块3的导流面6阻挡改变运动方向，沿吸附板1底面向外侧喷出。压缩空气通路可 以为两个，每一个压缩空气通路有分别与两个导流块3的导流面6相对的喷射孔2。这种高 速气流造成被吸附物与吸附板之间区域气压压强降低从而获得吸取被吸附物的吸附力。 如图1是本射流吸附的装置的整体结构示意图，它包括吸附板1，喷射孔2,导流块 3,压缩空气通路4。 如图2是射流吸附装置侧切面示意图，该图显示了吸附状态下装置的工作原理。5 为被吸附的硅片。箭头方向标识了压缩空气射流的流向。 图3-1和3-2是导流块结构示意图，6为导流面，7为硅片吸附状态下的支撑面。 优选的，支撑面7的面积为小于导流面的面积的凸台结构，支撑面7被设计成较小面积的凸 台结构是为减少与硅片的接触面积以防止射流停止后硅片粘附在导流块上，不能可靠的自 由下落。 本装置的工作过程如下： 正常工作过程中，外部机械手带动吸盘运动至被抓取硅片上方2mm左右处，压缩 空气被打开注入压缩空气通路4中，喷射孔2与压缩空气通路4连通，压缩空气通过喷射孔 2高速喷出，喷射气流被导流块3的导流面6阻挡改变运动方向，沿吸附板1表面向外侧喷 出，此时由于高速气流流过吸附板1与下方硅片5之间区域气压降低，而硅片5下方仍为外 部标准大气压，在这种压差作用下硅片5被吸起并贴合在吸附板1上，由导流块3的支撑面 7支撑。吸附动作完成。 搬运动作完成后，压缩空气被切断，吸附作用消失，硅片5在其本身重力作用下落 至指定位置。【权利要求】1. 射流吸盘装置，其特征在于：它包括吸附板，在所述的吸附板的底面上安装有四个 导流块，每一个导流块的外侧侧壁上向吸附板外侧方向凸出设置有凸块，所述的凸块的顶 面与吸附板底面平行设置形成导流面，所述的凸块的底面与吸附板底面平行设置形成硅片 吸附状态下的支撑面，在吸附板上设置有压缩空气通路，压缩空气通路具有分别与四个导 流块的导流面相对的喷射孔，喷射孔喷射的气流被导流块的导流面阻挡改变运动方向，沿 吸附板底面向外侧喷出。2. 根据权利要求1所述的射流吸盘装置，其特征在于：所述的支撑面的面积为小于导 流面的面积的凸台结构。【文档编号】F16B47/00GK203879908SQ201420292066【公开日】2014年10月15日 申请日期:2014年6月3日 优先权日:2014年6月3日 【专利技术者】刘海珊, 孙红喆, 王维熙 申请人:天津源天晟科技发展有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
射流吸盘装置，其特征在于：它包括吸附板，在所述的吸附板的底面上安装有四个导流块，每一个导流块的外侧侧壁上向吸附板外侧方向凸出设置有凸块，所述的凸块的顶面与吸附板底面平行设置形成导流面，所述的凸块的底面与吸附板底面平行设置形成硅片吸附状态下的支撑面，在吸附板上设置有压缩空气通路，压缩空气通路具有分别与四个导流块的导流面相对的喷射孔,喷射孔喷射的气流被导流块的导流面阻挡改变运动方向，沿吸附板底面向外侧喷出。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘海珊，孙红喆，王维熙，
申请(专利权)人：天津源天晟科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12
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