【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及，利用PECVD方法在硅片表面沉积一层一定厚度的SiNx掩膜，采用丝网印刷技术在硅片表面选择性印刷腐蚀性浆料，待SiNx掩膜被腐蚀性浆料充分腐蚀后用DI水清洗，然后用酸性刻蚀液HNO3+HF对硅片印刷腐蚀性浆料区域进行腐蚀，再用HF去除SiNx掩膜，并用低浓度HNO3和HF混合溶液去除硅片表面损伤层，获得具有优质陷光效果的蜂窝绒面。采用本专利技术方法可有效避免化学制绒（尤其酸制绒）的低陷光效果，及干法制绒（等离子制绒）的高表面损伤等缺点，对于其蜂窝绒面陷光结构有很大的选择性，并能有效提高电池性能。【专利说明】-种实现多晶硅太阳能电池蜂窝陷光绒面的方法
本专利技术属于光伏
，特别是涉及一种实现多晶硅太阳能电池蜂窝陷光绒面 的方法。
技术介绍
太阳能电池是利用光伏效应原理把太阳辐射能转换成电能，其中功能主要包括光 吸收、光生电子空穴对产生、电子空穴各自分离并聚集、电流的引出等主要部分。其中电池 的光吸收部分就包括降低反射、降低透射、增加内部漫反射等部分，统称为陷光技术。在目 前的晶硅电池技术中降低光的正面...
【技术保护点】
一种实现多晶硅太阳能电池蜂窝陷光绒面的方法，其特征是：利用PECVD方法在硅片表面沉积一层一定厚度的SiNx掩膜，采用丝网印刷技术在硅片表面选择性印刷腐蚀性浆料，待SiNx掩膜被腐蚀性浆料充分腐蚀后用DI水清洗，然后用酸性刻蚀液HNO3+HF对硅片印刷腐蚀性浆料区域进行腐蚀，再用HF去除SiNx掩膜，并用低浓度HNO3和HF混合溶液去除硅片表面损伤层，获得具有优质陷光效果的蜂窝绒面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐华浦，金浩，蒋方丹，陈康平，郭俊华，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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