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本发明涉及一种实现多晶硅太阳能电池蜂窝陷光绒面的方法，利用PECVD方法在硅片表面沉积一层一定厚度的SiNx掩膜，采用丝网印刷技术在硅片表面选择性印刷腐蚀性浆料，待SiNx掩膜被腐蚀性浆料充分腐蚀后用DI水清洗，然后用酸性刻蚀液HNO3+H...
该专利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司授权不得商用。

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