一种高增益宽动态范围CMOS跨阻放大器制造技术

本发明专利技术提供一种高增益宽动态范围CMOS跨阻放大器，包括：级联的推挽反相器组成的前馈通路，其输入端输入小电流信号，其输出端输出大电压信号；反馈电阻，连接在所述前馈通路的输入端与输出端之间；自动增益控制通路，连接在所述前馈通路的输入端与输出端之间，并与所述反馈电阻并联；分流管，连接在所述前馈通路的输入端与电阻分压器之间；电阻分压器，连接在所述分流管与所述前馈通路的输出端之间，用于控制分流管的导通与关断。本发明专利技术的方案可以对接收到的微弱信号进行高增益、低噪声地放大，尤其对于输入电流信号的动态范围进行了有效拓宽，同时电路具有设计简单和单片集成的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种高增益宽动态范围CMOS跨阻放大器
本专利技术涉及电路领域，特别是指一种高增益宽动态范围CMOS跨阻放大器。
技术介绍
在光纤通信系统中，前置放大器对整个系统的性能诸如速度、灵敏度、信噪比等都有重大影响。根据偏置电阻的特点，可选择的前置放大器有三种：低阻抗放大器，跨阻放大器和高阻抗放大器。低阻抗放大器结构简单，带宽大，但是增益不够高，并且噪声较大，而高阻抗放大器灵敏度高，噪声小，但是具有带宽小和动态范围窄的缺点，选择跨阻放大器，能在这些性能要求中取得很好的折中。当发射端离接收端很远时，信号经过长距离光纤后衰减，这时要求跨阻放大器具有较高的增益用来对接收的微弱电流信号进行放大，转换成电压信号以供后级处理。当发射端离接收端很近时，接收电流较大，电路可能饱和从而不能正常响应。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种高增益宽动态范围CMOS跨阻放大器。对接收到的微弱信号进行高增益、低噪声地放大，尤其对于输入电流信号的动态范围进行了有效拓宽，同时电路具有设计简单和单片集成的特点。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供一种高增益宽动态范围CMOS跨阻放大器，包括：级联的推挽反相器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高增益宽动态范围CMOS跨阻放大器，其特征在于，包括：级联的推挽反相器组成的前馈通路，其输入端输入小电流信号，其输出端输出大电压信号；反馈电阻，连接在所述前馈通路的输入端与输出端之间；自动增益控制通路，连接在所述前馈通路的输入端与输出端之间，并与所述反馈电阻并联；分流管，连接在所述前馈通路的输入端与电阻分压器之间；电阻分压器，连接在所述分流管与所述前馈通路的输出端之间，用于控制分流管的导通与关断。

【技术特征摘要】
1.一种高增益宽动态范围CMOS跨阻放大器，其特征在于，包括：级联的推挽反相器组成的前馈通路，其输入端输入小电流信号，其输出端输出大电压信号；反馈电阻，连接在所述前馈通路的输入端与输出端之间；自动增益控制通路，连接在所述前馈通路的输入端与输出端之间，并与所述反馈电阻并联；分流管，连接在所述前馈通路的输入端与电阻分压器之间；电阻分压器，连接在所述分流管与所述前馈通路的输出端之间，用于控制分流管的导通与关断；所述前馈通路包括：级联的第一级推挽反相器、第二级推挽反相器以及第三级推挽反相器；所述第一级推挽反相器包括：第一PMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管；其中，所述第一PMOS晶体管的源极连接电源电压Vdd，所述第二NMOS晶体管的源极连接地信号gnd，所述第一PMOS晶体管的栅极和所述第二NMOS晶体管的栅极均连接所述前馈通路的输入端，输入电压为Vin，所述第一PMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极均连接所述第三NMOS晶体管的栅极和漏极，所述第三NMOS晶体管的源极连接地信号gnd；所述第二级推挽反相器包括：第四PMOS晶体管、第五NMOS晶体管以及第六NMOS晶体管；其中，所述第四PMOS晶体管的源极连接所述电源电压Vdd，所述第五NMOS晶体管的源极连接所述地信号gnd，所述第四PMOS晶体管的栅极和所述第五NMOS晶体管的栅极均连接所述第三NMOS晶体管的漏极，所述第四PMOS晶体管的漏极和所述第五NMOS晶体管的漏极均连接所述第六NMOS晶体管的栅极和漏极，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘帘曦，邹姣，朱樟明，杨银堂，牛越，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61