显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术为“显示装置”。像素部以及驱动像素部的驱动电路形成在同一衬底上。驱动电路的至少一部分的电路使用反交错型薄膜晶体管而形成，在该反交错型薄膜晶体管中使用氧化物半导体，且在重叠于栅电极层的成为沟道形成区的氧化物半导体层上设置有沟道保护层。通过在同一衬底上除了像素部以外还设置驱动电路，可以减少制造成本。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术涉及使用氧化物半导体的显示装置。
技术介绍
如以液晶显示装置为代表那样，形成在玻璃衬底等的平板的薄膜晶体管由非晶硅、多晶硅制造。使用非晶硅的薄膜晶体管具有如下特征：虽然其电场效应迁移率低，但是可以对应于玻璃衬底的大面积化。另一方面，使用结晶硅的薄膜晶体管具有如下特征：虽然其电场效应迁移率高，但是需要激光退火等的晶化工序，且不一定适用于玻璃衬底的大面积化。针对于此，使用氧化物半导体制造薄膜晶体管，并应用于电子器件及光器件的技术引人注目。例如，专利文献1及专利文献2公开使用氧化锌、In-Ga-Zn-O类氧化物半导体用作氧化物半导体膜制造薄膜晶体管，并将它用作图像显示装置的开关元件等的技术。[专利文献1]日本专利申请公开2007-123861号公报[专利文献2]日本专利申请公开2007-96055号公报在氧化物半导体设置沟道形成区的薄膜晶体管可以获得比使用非晶硅的薄膜晶体管高的电场效应迁移率。可以通过溅射法等以300℃以下形成氧化物半导体膜，其制造工序与使用多晶硅的薄膜晶体管的制造工序相比简单。期望使用这种氧化物半导体在玻璃衬底、塑料衬底等形成薄膜晶体管，并将它应用于液本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括像素部和驱动电路，其中，所述像素部包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅电极、第一氧化物半导体层、以及与所述第一氧化物半导体层接触地设置于其上的第一沟道保护层，所述第一氧化物半导体层与所述第一栅电极重叠，以及其中，所述驱动电路包括：第二晶体管，所述第二晶体管包括第二栅电极、在所述第二栅电极上的栅绝缘层、在所述栅绝缘层上的第二氧化物半导体层、以及与所述第二氧化物半导体层接触地设置于其上的第二沟道保护层，所述第二氧化物半导体层与所述第二栅电极重叠；第三晶体管，所述第三晶体管包括第三栅电极、在所述第三栅电极上的栅绝缘层、第三氧化物半导体层、以及与所述第三氧化物半导体层接触地设置于...

【技术特征摘要】
2008.10.03 JP 2008-2590311.一种显示装置，包括像素部和驱动电路，其中，所述像素部包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅电极、第一氧化物半导体层、以及与所述第一氧化物半导体层接触地设置于其上的第一沟道保护层，所述第一氧化物半导体层与所述第一栅电极重叠，以及其中，所述驱动电路包括：第二晶体管，所述第二晶体管包括第二栅电极、在所述第二栅电极上的栅绝缘层、在所述栅绝缘层上的第二氧化物半导体层、以及与所述第二氧化物半导体层接触地设置于其上的第二沟道保护层，所述第二氧化物半导体层与所述第二栅电极重叠；第三晶体管，所述第三晶体管包括第三栅电极、在所述第三栅电极上的栅绝缘层、第三氧化物半导体层、以及与所述第三氧化物半导体层接触地设置于其上的第三沟道保护层，所述第三氧化物半导体层与所述第三栅电极重叠；第一导电层，所述第一导电层包括在所述第三氧化物半导体层上并且与其电接触的第一部分和在所述第二氧化物半导体层上并且与其电接触的第二部分；以及第二导电层，所述第二导电层与所述第二氧化物半导体层和所述第二栅电极电接触，其中，所述第二导电层通过所述栅绝缘层的接触孔与所述第二栅电极直接接触，在所述第二晶体管的沟道长度方向上，所述第二氧化物半导体层的宽度小于所述第二栅电极的宽度，其中，所述第二栅电极包括在所述第二晶体管的所述沟道长度方向上延伸超过所述第二氧化物半导体层的端部的区域，以及其中，所述接触孔与所述区域重叠。2.一种显示装置，包括像素部和驱动电路，其中，所述像素部包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅电极、第一氧化物半导体层、以及与所述第一氧化物半导体层接触地设置于其上的第一沟道保护层，所述第一氧化物半导体层与所述第一栅电极重叠，以及其中，所述驱动电路包括：第二晶体管，所述第二晶体管包括第二栅电极、在所述第二栅电极上的栅绝缘层、在所述栅绝缘层上的第二氧化物半导体层、以及与所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，秋元健吾，梅崎敦司，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP