【技术实现步骤摘要】
焚光体、发光装置及焚光体的制造方法 相关申请的交叉引用 本申请基于在2013年3月18日提交的日本专利申请No. 2013-055455并要求其 优先的利益，该申请的全部内容通过引用的方式包含于此。
本公开的实施方式涉及荧光体、发光装置和荧光体的制造方法。
技术介绍
白色发光装置包括例如蓝色LED、通过蓝光的激励而发射红光的荧光体和通过蓝 光的激励而发射绿光的另一荧光体的组合。但是，如果包含通过蓝光的激励而发射黄光的 荧光体，那么可通过使用更少种类的荧光体来制造白色发光装置。作为黄色发光荧光体，例 如，已知Eu激活的正娃酸盐突光体（orthosilicate phosphor)。 已针对各种应用研究了这些黄色发光荧光体，并且，越来越要求改善荧光体的温 度特性、量子效率和它们的发光光谱的半宽度（half-width)。
技术实现思路
本专利技术的实施方式的目的在于解决如上的技术问题。 根据实施方式的荧光体通过在250nm?500nm的波长范围内具有峰值的光的激励 而发射在500nm?600nm的波长范围内具有峰值的突光，...
【技术保护点】
一种荧光体，该荧光体通过在250nm～500nm的波长范围内具有峰值的光的激励而发射在500nm～600nm的波长范围内具有峰值的荧光，并且该荧光体由下式（1）表达：(M1‑xCex)2yAlzSi10‑zOuNvCw (1)其中，M是包含Sr的金属元素，x、y、z、u、v和w分别满足以下的条件：0<x≤1，0.8≤y≤1.1，2≤z≤3.5，0<u≤1.5，0.01≤w≤0.1，13≤u+v+w≤15。
【技术特征摘要】
2013.03.18 JP 2013-0554551. 一种荧光体，该荧光体通过在250nm?500nm的波长范围内具有峰值的光的激励而 发射在500nm?600nm的波长范围内具有峰值的荧光，并且该荧光体由下式（1)表达： (MhCeXAlzSiio-ANvC； (1) 其中， Μ是包含Sr的金属元素， x、y、z、u、v和w分别满足以下的条件： 0<x ^ 1, 0· 8 彡 y 彡 1. 1， 2. z ^ 3. 5, 0〈u 彡 1. 5， 0· 01 彡 w 彡 0· 1， 13. u+v+w < 15。2. 根据权利要求1的荧光体，其中，Μ还包含选自包含Ba、Ca和Mg的组的至少一种元 素。3. 根据权利要求1的荧光体，其中，Ba、Ca和Mg的量单独地为基于Μ的总量的10at. % 或更少。4. 根据权利要求1的荧光体，所述荧光体具有晶格常数从Sr2Al3Si70N 13的晶格常数改 变最多±15%的晶体结构。5. 根据权利要求1的荧光体，所述荧光体具有M-N和M-0的化学键长度分别从 Sr2Al3Si70N13中的Sr-N和Sr-Ο的化学键长度改变最多±15%的晶体结构。6. 根据权利要求1的突光体，在根据Bragg-Brendano方法通过Cu-Κα线放射的X射线 衍射测量中，在11.1-11.3。、15.0-15.2。、18.25-18.45°、19.75-19.95°、23.0-23.2。、 24. 85-25. 05 °、25. 55-25. 75 °、25. 95-26. 15...
【专利技术属性】
技术研发人员：福田由美，阿尔贝萨惠子，三石岩，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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