【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及脉冲氙灯,特别是一种。
技术介绍
脉冲氙灯的封接技术有多种,但大功率脉冲氙灯的制备封接技术主要分为两类: 过渡玻璃封接技术和金属封接技术。 过渡玻璃封接技术主要分为直表式和潜藏式。过渡玻璃的直表式封接方法具有结 构简单、承受电流密度好等优点,但存在抗张强度差、易炸灯等缺点。潜藏式过渡玻璃封接 方法(上海光学精密机械研究所专利:)有许多优点:气密性好、过电流密度大、稳定性好、 强度较高,使用此方法研制的大功率脉冲氙灯大量运用在神光系列大功率激光装置上,但 此方法存在制备过程过于依赖于制造人员的技术水平,产品一致性和可靠性难以保证等缺 点,不适应产品的标准化和批量化生产。 金属封接技术主要也分为两种:低温封接技术和高温封接技术。脉冲氙灯的低温 封接技术多采用铅、铟等低温焊料将金属与石英玻璃进行封接,但由于低温焊料熔点低、与 玻璃之间主要为物理结合等原因,易慢漏气,造成氙灯的总体性能差,寿命短。目前在激光 装置上已经不大使用了。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种。本专利技术 摈弃了过渡玻璃封接技术而采用高温封接技术将金属与石英玻璃进行封接制备出大功率 脉冲氙灯,本专利技术高温金属封接大功率脉冲氙灯具有电极强度高、气密性好、可靠性高,承 受电流密度大等优点,由于封接工艺参数采用设备控制,对于标准化批量生产大功率脉冲 氙灯产品提供了保证。 本专利技术的技术解决方案如下: -种高温金属封接大功率脉冲氙灯,包括灯管和灯管两端对称分布的结构完全相 同的灯头,其特点在于所述的灯头包括带引出线的金 ...
【技术保护点】
一种高温金属封接大功率脉冲氙灯,包括灯管(10)和灯管两端对称分布的结构完全相同的灯头(D1),其特征在于所述的灯头(D1)包括带引出线(11)的金属封接过渡环(T)、电极(81)、保护套(41)、陶瓷环(61)和金属套筒(71),所述的金属封接过渡环(T)包括电极引线帽(31)、过渡环(2)、金属薄壁套筒(4)和石英接管(5),在所述的石英接管(5)一端外套设所述的金属薄壁套筒(4),电极引线帽(31)与过渡环(2)之间采用激光焊接,过渡环(2)、金属薄壁套筒(4)和石英接管(5)采用钎焊封接,焊料为Ag基焊料(3),所述的电极引线帽(31)经导线连接件(21)与所述的引出线(11)相连接,所述的石英接管(5)的另一端与所述的灯管(10)一端的尾管(101)相接,所述的电极(81)穿过所述的石英接管(5)与所述的电极引线帽(31)相连接,在所述的金属封接过渡环(T)外依次是所述的保护套(41)、陶瓷环(61)和金属套筒(71),在所述的金属封接过渡环(T)、保护套(41)、陶瓷套(61)和金属套筒(71)之间有硅胶层(51),所述的引出线(11)、金属封接过渡环(T)、电极(81)、 ...
【技术特征摘要】
1. 一种高温金属封接大功率脉冲氙灯,包括灯管(10)和灯管两端对称分布的结构完 全相同的灯头(D1),其特征在于所述的灯头(D1)包括带引出线(11)的金属封接过渡环 (T)、电极(81)、保护套(41)、陶瓷环(61)和金属套筒(71),所述的金属封接过渡环(T)包 括电极引线帽(31)、过渡环(2)、金属薄壁套筒(4)和石英接管(5),在所述的石英接管(5) 一端外套设所述的金属薄壁套筒(4),电极引线帽(31)与过渡环(2)之间采用激光焊接,过 渡环(2)、金属薄壁套筒(4)和石英接管(5)采用钎焊封接,焊料为Ag基焊料(3),所述的 电极引线帽(31)经导线连接件(21)与所述的引出线(11)相连接,所述的石英接管(5)的 另一端与所述的灯管(10) -端的尾管(101)相接,所述的电极(81)穿过所述的石英接管 (5)与所述的电极引线帽(31)相连接,在所述的金属封接过渡环(T)外依次是所述的保护 套(41)、陶瓷环(61)和金属套筒(71),在所述的金属封接过渡环(T)、保护套(41)、陶瓷套 (61)和金属套筒(71)之间有硅胶层(51),所述的引出线(11)、金属封接过渡环⑴、电极 (81)、保护套(41)、陶瓷环(61)和金属套筒(71)与所述的灯管(10)的中心轴同轴。2. 根据权利要求1所述的高温金属封接大功率脉冲氙灯,其特征在于所述的电极(81) 的材料是钨、或其他掺杂稀土材料的钨合金。3. 根据权利要求1所述的高温金属封接大功率脉冲氙灯的制备方法,其特征在于该方 法包括下列步骤: ① 根据需要制备的大功率脉冲氙灯的灯管(10)两端的尾管(101)的尺寸选取一段相 匹配的石英管(5),先对外管壁进行研磨抛光,加工到与所述的尾管(101)相同的尺寸; ② 将所述的石英管(5)在浓度为5%的HF溶液中进行清洗,去除杂质,然后进行退火, 消除应力; ③ 在退火后的石英接管(5) -端的外表面进行金属Ti离子注入,使管壁外表面形成一 个Ti离子注入层,注入过程中注意将不需要注入的部位进行遮挡; ④ 在形成Ti离子注入层的部位镀制金属膜层,膜层根据需要选择,但一般最外层选择 Ni层; ⑤ 将镀制了金属层的石英接管(5)的金属层部位与金属薄壁套筒(4)进行配合套封, 填装Ag基焊料(3),同时将所述的金属簿壁套筒(4)与所述的过渡环(2)进行配合对封,配 合面放置Ag基焊料(3),将配合好的石英接管(5)、金属簿壁套筒(4)和过渡环(2)放入真 空钎焊炉中进行钎焊,钎焊过程使用工装夹具保证它们之间的同心度,钎焊完成构成金属 封接过渡头...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭向朝,李海兵,蒋宝财,毛伊荣,崔新强,陈佳,
申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所,
类型:发明
国别省市:上海;31
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