【技术实现步骤摘要】
检测碲化物半导体探测器内建电场的装置
[0001 ] 本技术涉及一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置。
技术介绍
检测碲化物半导体探测器由于外加电场作用下，在探测器工作中很难获得实际电场的作用，而在探测器工作中，假设是匀强电场，其实内部的电场是非线性的，从而引起了碲化物半导体探测器的收集效率和能量分辨率收到影响。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置。为实现上述目的，本技术采取的技术方案为:一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置，包括卤钨灯、980nm滤波片、透镜、碲化物半导体探测器、三维平移台、起偏器、检偏器、物镜和相机，所述碲化物半导体探测器横放在所述三维平移台上，所述碲化物半导体探测器上设有直流电压表，所述三维控制平台和相机均通过数据线连接有电脑，所述卤钨灯上设有开关，所述相机为红外相机。所述卤钨灯为低能量卤钨灯。其中，所述齒钨灯、980nm滤波片、碲化物半导体探测器、起偏器、检偏器、无连接关系，所述物镜和相机相连。其中，本技术应用了泡克耳斯效应(Pockels)，泡克耳斯效应(Pockels):偏振光沿着处在外电场内的压电晶体的光轴传播时发生双折射现象，且两个主折射率之差与外电场强度平方成正比，这种电光效应即为泡克耳斯效应。其原理是:某些晶体在外加电场方向与入射光传播方向垂直时，在施加电场时，电场将改变晶体的各向异性的性质，产生感应双折射。本技术由于双折射的产生，导致光在不同振动方向上的折射率不同。因为折射率决定了光在介质中的传播速度，导致了光程差从而引起了相位差，从而改变了光的偏振状态。本技术可以根据相机...
【技术保护点】
一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置，其特征在于，包括卤钨灯(1)、980nm滤波片(9)、透镜(10)、碲化物半导体探测器(4)、三维平移台(5)、起偏器(8)、检偏器(6)、物镜(2)和相机(7)，所述碲化物半导体探测器(4)横放在所述三维平移台(5)上，所述碲化物半导体探测器(4)上设有直流电压表，所述三维控制平台(5)和相机(7)均通过数据线连接有电脑(3)，所述卤钨灯(1)上设有开关，所述相机(7)为红外相机。
【技术特征摘要】
1.一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置，其特征在于，包括卤钨灯(I)、980nm滤波片(9)、透镜(10)、碲化物半导体探测器(4)、三维平移台(5)、起偏器(8)、检偏器(6)、物镜(2)和相机(7)，所述碲化物半导体探测器(4)横放在所述三维平移台(5)上，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗翔祥，介万奇，查钢强，王涛，徐亚东，谷亚旭，席守智，张文珑，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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