声波装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种声波装置。在本文中所描述的实施例可以提供一种声波装置、一种制造声波装置的方法以及包括声波装置的系统。该声波装置可以包括在基板上的变换器，并且接触件与变换器耦接。声波装置还可以包括在该变换器周围限定封闭开口的壁层和帽部。通孔可以在接触之上穿过该帽部和壁层来设置，并且顶部金属可以设置在该通孔中。顶部金属可以在通孔中形成支柱并且在通孔上的帽部上形成焊点。支柱可以在焊点和接触件之间提供电连接。在一些实施例中，声波装置可以形成为基板晶片上的晶片级封装件。

【技术实现步骤摘要】
声波装置
本公开的实施例总体涉及电子电路的领域，更具体地涉及声波装置。
技术介绍
诸如表面声波(surfaceacousticwave,SAW)装置和体声波(bulkacousticwave,BAW)装置等声波装置用于例如射频(radiofrequency,RF)滤波器和变换器等许多应用。声波装置通常包括在基板上的一对变换器，其中焊点提供与变换器的电连接。由于设计和制造的限制，焊点通常紧挨着基板结构放置。这需要基板在形成声波装置的焊点之前被切割，并且这引起装置的较大足迹。
技术实现思路
本公开涉及一种用于形成声波装置的方法，包括：在压电基板的第一表面上形成壁层，所述压电基板具有形成在所述第一表面上的声波变换器和接触件，其中所述壁层形成在所述变换器周围并且具有在所述变换器之上的开口；在所述变换器之上形成在所述壁层上的帽部以封闭所述开口；形成穿过所述帽部的通孔，其中所述通孔在所述接触件上方延伸穿过所述壁层；以及在所述通孔中沉积顶部金属，其中所述顶部金属在所述通孔中形成支柱并且在所述帽部上形成焊点，以在所述焊点和所述接触件之间提供电连接。本公开还涉及一种声波装置，包括：具有第一表面的压电基板；设置在所述第一表面上的声波变换器；与所述声波变换器耦接的接触件；在所述第一表面上的壁层，所述壁层设置在所述变换器周围并且在所述变换器之上限定开口；在所述壁层上的帽部，所述帽部封闭在所述变换器之上的开口；在所述接触件上方的、穿过所述帽部和所述壁层的通孔；在所述通孔上方的、所述帽部上的焊点；以及支柱，所述支柱设置在所述通孔中以在所述焊点和在所述接触件之间提供电连接。附图说明结合附图通过以下的详细描述将容易理解实施例。为了便于描述，相同的附图标记指代相同的结构元件。在附图的各个图中，出于示例而不是出于限制的目的示出了实施例。图1示意性地示出了根据各个实施例的声波装置的侧面横截面视图。图2示意性地示出了根据各个实施例的另一声波装置的侧面横截面视图。图3是根据各个实施例的制造声波装置的方法的流程图。图4A-4L示意性地示出了根据各个实施例的、在图3的方法中的各个操作之后的声波装置。图5示出了根据各个实施例的具有外罩的声波装置。图6示意性地示出了根据各个实施例的具有与连接器对准的支柱的声波装置的顶部横截面视图。图7示意性地示出了根据各个实施例的具有偏离连接器的支柱的声波装置的顶部横截面视图。图8示意性地示出了根据各个实施例的具有与多个支柱耦接的焊点的声波装置的顶部横截面视图。图9示意性地示出了根据各个实施例的具有与多个连接器耦接的焊点的声波装置的顶部横截面视图。图10示意性地示出了根据各个实施例的包括声波装置的示例性系统。具体实施方式本公开的实施例提供声波装置的技术和配置。在以下的详细描述中，引用构成该描述中的一部分的附图，在各个附图中相同的附图标记指明相同的部件，其中以说明可以实践本公开的主题的实施例的方式进行图示。要理解的是，在不脱离本公开的范围的情况下可以使用其它的实施例并且可以做结构上的或者逻辑的变化。因此，以下详细描述没有限制的意思，并且实施例的范围由附加的权利要求和它们的等效例来限定。出于本公开的目的，词组“A和/或B”意思指(A)、(B)或者(A和B)。出于本公开的目的，词组“A、B和/或C”意思指(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或者(A、B以及C)。本说明书可以使用词组“在实施例中（inanembodiment）”或者“在实施例中（inembodiments）”，其可以指代相同或者不同实施例中的一个或更多个实施例。此外，如对于本公开的实施例所使用的术语“包括(comprising)”、“包括(including)”、“having(具有)”等是同义的。术语“耦接”可以指代直接连接、间接连接或者间接通信。术语“与...耦接”以及它的派生词可以在本文使用。“耦接”可以表示以下的一个或更多个含义。“耦接”可以表示两个或更多个元件处于直接的物理接触或者电接触。然而，“耦接”也可以表示两个或更多个元件彼此间接接触，但是仍彼此协作或者交互，并且可以表示一个或更多个其它元件耦接或者连接在被认为彼此耦接的元件之间。在各个实施例中，词组“第一层形成，设置或者配置在第二层上”可以表示第一层形成、设置或者配置在第二层上方，以及第一层的至少一部分可以与第二层的至少一部分直接接触(例如直接物理和/或电接触)或者间接接触(例如在第一层和第二层之间具有一个或更多个其它层)。图1示意性地示出了根据各个实施例的集成声波装置100的截面图。声波装置100可以是例如表面声波(SAW)装置或者体声波(BAW)装置。声波装置100可以包括具有设置在基板104的表面112上的一个或更多个声波变换器108a-b的压电基板104。在一些实施例中，声波变换器108a-b可以是叉指式变换器。变换器108a-b可以包括诸如钛(Ti)和/或铝(Al)的任何合适的材料。在一些实施例中，声波变换器108a-b可以包括通过延迟线116隔开的输入变换器108a和输出变换器108b。输入变换器108a可以将输入电信号转换为声波(例如表面声波或者边界声波)。声波可以越过延迟线116到输出变换器104b。输出变换器104b可以将声波转换为输出电信号。其它实施例可以包括其它数量或者配置的变换器108a-b。在一些实施例中，声波装置100可以形成射频滤波器以接收输入电信号并且基于该输入信号来生成经滤波的输出电信号。在其它实施例中，声波装置100可以是诸如声波感测器等另一类型的声波装置。在各个实施例中，声波装置100还可以包括耦接到变换器108a-b中的一个或更多个变换器的接触件120a、120b以及120c。接触件120a-c可以促进与变换器108a-b的电连接和/或提供用于声波装置100的层的结构支撑(例如使得另一个层不直接耦接到变换器108a-b)。接触件120a-c可以是由凸块下(under-bump)金属形成。在声波装置100中接触件120a-c可以具有任何合适的配置。例如，接触件120a可以是耦接到输入变换器108a的输入接触件，接触件120c可以是耦接到输出变换器108b的输出接触件和/或接触件120b可以是耦接到输入和输出变换器108a-b两者的接地接触件。其它实施例可以包括比图1中所示出的那些更多或者更少的接触件。另外或者替换地，其它实施例可以包括与图1中所示出的那些不同的接触件的配置或者布置。此外，图1示出了声波装置100的截面图，并且在一些实施例中，声波装置100可以包括可以位于装置100的不同截面中的附加接触件(未示出)。在各个实施例中，声波装置100还可以包括壁层124，该壁层124设置在变换器108a-b周围的第一表面112上并且在各个变换器108a-b上限定出开口128a-b。尽管在图1的截面图中未示出，壁层124可以包围变换器108a-b。壁层124还可以包括在各个接触件120a-c上方的孔132a-c，该孔132a-c可以形成通孔136a-c的一部分。在各个实施例中，声波装置100还可以包括在壁层124上的帽部140，该帽部140可以封闭在变换器108a-b上方的开口128a-b。帽部140还可以包括在壁层124的孔13本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成声波装置的方法，包括：在压电基板的第一表面上形成壁层，所述压电基板具有形成在所述第一表面上的声波变换器和接触件，其中所述壁层形成在所述变换器周围并且具有在所述变换器之上的开口；在所述变换器之上形成在所述壁层上的帽部以封闭所述开口；形成穿过所述帽部的通孔，其中所述通孔在所述接触件上方延伸穿过所述壁层；以及在所述通孔中沉积顶部金属，其中所述顶部金属在所述通孔中形成支柱并且在所述帽部上形成焊点，以在所述焊点和所述接触件之间提供电连接。

【技术特征摘要】
2013.03.08 US 13/791,6001.一种声波装置，包括：具有第一表面的压电基板；设置在所述第一表面上的声波变换器；与所述声波变换器耦接的接触件；在所述第一表面上的壁层，所述壁层设置在所述声波变换器周围并且在所述声波变换器之上限定开口；在所述壁层上的帽部，所述帽部封闭在所述声波变换器之上的开口；在所述接触件上方的、穿过所述帽部和所述壁层的通孔；在所述通孔上方的、所述帽部上的焊点；支柱，所述支柱设置在所述通孔中以在所述焊点和所述接触件之间提供电连接；以及设置在所述支柱和所述接触件之间的具有导电材料的种子层。2.如权利要求书1所述的装置，其中所述帽部由光可限定的干膜材料形成，该光可限定的干膜材料具有至少160摄氏度的玻璃转化温度。3.如权利要求1所述的装置，还包括设置在所述壁层和所述基板之间以将所述壁层粘接到所述基板的粘附层，其中所述粘附...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏珊娜·库姆，库尔特·斯坦纳，艾伦·S·陈，查尔斯·E·卡彭特，扬·耶，让·布里奥，乔治·格拉马，
申请(专利权)人：特里奎恩特半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国;US