【技术实现步骤摘要】
低温漂较窄带声表面波滤波器
本技术涉及一种声表面波滤波器，尤其是低温漂较窄带声表面波滤波器。
技术介绍
声表面波滤波器是利用特定晶体的压电效应和声表面波传播特性而设计的一种滤波器件，其功能是允许某一频带宽度的信号通过而抑制其它频率的信号，其选频特性决定于压电基片的材料参数和滤波器金属电极图形的结构参数。目前，一般采用横向耦合声表面波谐振滤波器结构实现窄带滤波功能。但现有横向耦合声表面波谐振滤波器因其横向耦合结构设计的不完善，带宽很窄，难以满足相关应用中带宽介于宽带和窄带之间的较窄带(3dB相对带宽>3%。)信号的滤波要求，且现有声表面波窄带滤波器的频率特性存在较大的温度漂移。
技术实现思路
本技术的目的是为克服目前声表面波窄带滤波器的上述缺点。为实现上述目的，本技术采用的技术方案如下:提供一种低温漂较窄带声表面波滤波器，包括压电单晶基片，还包括制作于压电单晶基片之上的两个并列的声表面波谐振通道和设于这两个声表面波谐振通道之间的声表面波横向耦合结构；每个声表面波谐振通道包括叉指换能器、分列于叉指换能器两侧的金属短路指反射阵列以及信号电极和地电极。所述声表面波横向耦合结构为短路指和开路指复合的金属条栅结构，其金属化t匕，即结构图形中金属指部分和非金属部分面积之比，与叉指换能器的金属化比相当。所述压电单晶基片为宽温度范围内低频率温度系数切型的石英单晶基片。本技术在宽温度范围内低频率温度系数切型的石英单晶基片上实现较窄带声表面波滤波器，能在较大的工作温度范围内保持器件频率特性参数较小的温度漂移；声表面波横向稱合结构的金属化比与叉指换能器的金属化比基本一致，可...
【技术保护点】
一种低温漂较窄带声表面波滤波器，包括压电单晶基片，其特征在于：还包括制作于压电单晶基片之上的两个并列的声表面波谐振通道和设于这两个声表面波谐振通道之间的声表面波横向耦合结构；每个声表面波谐振通道包括叉指换能器、分列于叉指换能器两侧的金属短路指反射阵列以及信号电极和地电极。2.根据权利要求1所述的低温漂较窄带声表面波滤波器，其特征在于：所述声表面波横向耦合结构为短路指和开路指复合的金属条栅结构，其金属化比为金属指部分和非金属部分面积之比，与叉指换能器的金属化比相同。3.根据权利要求1所述的低温漂较窄带声表面波滤波器，其特征在于：所述压电单晶基片为宽温度范围内低频率温度系数切型的石英单晶基片。
【技术特征摘要】
1.一种低温漂较窄带声表面波滤波器，包括压电单晶基片，其特征在于: 还包括制作于压电单晶基片之上的两个并列的声表面波谐振通道和设于这两个声表面波谐振通道之间的声表面波横向耦合结构；每个声表面波谐振通道包括叉指换能器、分列于叉指换能器两侧的金属短路指反射阵列以及信号电极和地电极。2.根据权利要求1所述的低...
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