一种新型高压变频器功率单元制造技术

技术编号:10400813 阅读:122 留言:0更新日期:2014-09-09 03:08
本实用新型专利技术公开了一种新型高压变频器功率单元,该功率单元包括箱体,固定在箱体外侧壁上的熔断器组,以及固定在箱体内的三相整流桥、电容组和逆变回路,熔断器组由两个快速熔断器串接而成,电容组由六个电容三串两并而成,各电容通过绝缘防护板固定,并通过短接铜带相连接,逆变回路采用全桥逆变结构,三相整流桥的一端连接熔断器组,另一端连接逆变回路,电容组通过正负铜带连接逆变回路。本实用新型专利技术具有抗干扰和散热效果好、单元运行稳定、生产成本低的特点。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种新型高压变频器功率单元,该功率单元包括箱体,固定在箱体外侧壁上的熔断器组,以及固定在箱体内的三相整流桥、电容组和逆变回路,熔断器组由两个快速熔断器串接而成,电容组由六个电容三串两并而成,各电容通过绝缘防护板固定,并通过短接铜带相连接,逆变回路采用全桥逆变结构,三相整流桥的一端连接熔断器组,另一端连接逆变回路,电容组通过正负铜带连接逆变回路。本技术具有抗干扰和散热效果好、单元运行稳定、生产成本低的特点。【专利说明】一种新型高压变频器功率单元
本技术涉及一种高压变频器功率单元。
技术介绍
大功率高压变频器广泛地应用于石油化工、电力、冶金、城市建设等行业的各种风机、泵类设备。目前,高压变频器的整体方案已经相当成熟,但是高压变频器的故障问题也开始凸显,并逐渐成为整个行业所有的病痛。高压变频器采用级联结构,单元数量多,单元故障率也最大。功率单元的故障在很大程度上是由于单元内部杂散电感太大导致的,杂散电感问题导致Uce和Uge震荡,并最终引起IGBT误导通或者单元驱动故障。为解决以上问题很多公司采用叠层母排,但是叠层母排的应用增加了高压变频器的成本。
技术实现思路
本技术的目的就是提供一种既节省成本又减少功率单元杂散电感的功率单元,其所采取的技术方案为:该功率单元包括箱体,固定在箱体外侧壁上的熔断器组,以及固定在箱体内的三相整流桥、电容组和逆变回路,熔断器组由两个快速熔断器串接而成,电容组由六个电容三串两并而成,各电容通过绝缘防护板固定,并通过短接铜带相连接,逆变回路采用全桥逆变结构,三相整流桥的一端连接熔断器组,另一端连接逆变回路,电容组通过正负铜带连接逆变回路。本技术改变单元功率单元主板和驱动板承接板结构,在更大的程度上节省成本,更改功率单元铜带走形,在电容上侧和igbt连接处形成类似叠层母排的结构,从根本上减少功率杂散电感。因此本技术具有抗干扰和散热效果好、单元运行稳定、生产成本低的特点。【专利附图】【附图说明】图1为本技术的结构示意图;图2为本技术的结构立体图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术进一步说明。如图1和图2所示,熔断器组I固定在箱体外侧壁上,三相整流桥2、电容组3和逆变回路7固定在箱体8内。熔断器组I由两个快速熔断器串接而成,它们作为输入保护,电容组3由六个电容三串两并而成,它们作为直流支撑,各电容通过绝缘防护板4固定,防止铜带受力,并通过短接铜带5相连接,短接铜带5镀镍处理,宽度增加,一致结构方便替换和节省材料。逆变回路7采用全桥逆变结构,配有吸收电容,主板和驱动板负责解码和pwm实现。三相整流桥2的一端连接熔断器组1,另一端连接逆变回路7,电容组3通过正负铜带6连接逆变回路7,正负铜带6走线类叠层母排结构,从根本上减少回路面积,从而减少系统内杂散电感。经过移相变压器降压后的三相交流电压进入该功率单元,通过熔断器组I能够在单元高过流或短路情况下将单元和变压器进行隔离。后进入三相整流桥2被整流成为直流。经过电容组3滤波后通过正负铜带6到达igbt逆变回路7。【权利要求】1.一种新型高压变频器功率单元,包括箱体(8),固定在箱体(8)外侧壁上的熔断器组(I),以及固定在箱体(8 )内的三相整流桥(2 )、电容组(3 )和逆变回路(7 ),其特征在于:熔断器组(I)由两个快速熔断器串接而成,电容组(3)由六个电容三串两并而成,各电容通过绝缘防护板(4)固定,并通过短接铜带(5)相连接,逆变回路(7)采用全桥逆变结构,三相整流桥(2)的一端连接熔断器组(1),另一端连接逆变回路(7),电容组(3)通过正负铜带(6)连接逆变回路(7)。【文档编号】H02M5/42GK203813647SQ201420189813【公开日】2014年9月3日 申请日期:2014年4月18日 优先权日:2014年4月18日 【专利技术者】刘树雨, 郭兆静, 李凯, 李万伟, 岳海路, 单鹏 申请人:山东泰开自动化有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型高压变频器功率单元,包括箱体(8),固定在箱体(8)外侧壁上的熔断器组(1),以及固定在箱体(8)内的三相整流桥(2)、电容组(3)和逆变回路(7),其特征在于:熔断器组(1)由两个快速熔断器串接而成,电容组(3)由六个电容三串两并而成,各电容通过绝缘防护板(4)固定,并通过短接铜带(5)相连接,逆变回路(7)采用全桥逆变结构,三相整流桥(2)的一端连接熔断器组(1),另一端连接逆变回路(7),电容组(3)通过正负铜带(6)连接逆变回路(7)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘树雨郭兆静李凯李万伟岳海路单鹏
申请(专利权)人:山东泰开自动化有限公司
类型:新型
国别省市:山东;37

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