【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术涉及一种物体(product:包括机器(machine)、产品(manufacture)及组件(composition of matter))以及方法(process:包括单纯方法及生产方法)。尤其是,本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、它们的驱动方法或制造方法。尤其是，本专利技术的一个方式例如涉及一种显示装置或其驱动方法。此外，显示装置是指包括显示元件的装置。另外，显示装置有时包括驱动多个像素的驱动电路等。此外，显示装置或显示模块有时包括配置在其他衬底上的触摸传感器、控制电路、电源电路、彳目号生成电路等。
技术介绍
近年来随着技术革新，以液晶显示装置为代表的显示装置的商品化不断进展。因此，积极地提出了附加能够检测被探测体的接近或接触的传感器(以下称为触摸传感器)功能等的、附加价值更高的产品。例如，专利文献I公开了如下结构:除了显示功能之外还通过使用显示装置的布线的一部分而兼备触摸传感器功能，从而实现显示装置的薄型化。在专利文献I中，通过与显示期间分开地设置触摸感知期间，实现显示功能及触摸传感器功能。[现有技术文...
【技术保护点】
一种显示装置，包括：第一衬底上的晶体管；所述第一衬底上的滤色片；所述晶体管和所述滤色片上的像素电极，该像素电极与所述晶体管的端子电连接；所述像素电极上的第二衬底；以及所述第二衬底上的触摸传感器。
【技术特征摘要】
2013.02.22 JP 2013-0327511.一种显示装置，包括: 第一衬底上的晶体管； 所述第一衬底上的滤色片； 所述晶体管和所述滤色片上的像素电极，该像素电极与所述晶体管的端子电连接； 所述像素电极上的第二衬底；以及 所述第二衬底上的触摸传感器。2.根据权利要求1所述的显示装置， 其中所述晶体管的沟道形成区包含氧化物半导体。3.根据权利要求1所述的显示装置， 其中所述滤色片包括黑矩阵。4.一种显示装置，包括: 第一衬底上的晶体管； 所述第一衬底上的滤色片； 所述晶体管和所述滤色片上的像素电极，该像素电极与所述晶体管的端子电连接； 所述像素电极上的液晶层； 所述液晶层上的取向膜； 所述取向膜上的第二衬底；以及 所述第二衬底上的触摸传感器。5.根据权利要求4所述的显示装置， 其中所述晶体管的沟道形成区包含氧化物半导体。6.根据权利要求4所述的显示装置， 其中所述滤色片包括黑矩阵。7.一种显示装置，包括: 第一衬底上的晶体管； 所述第一衬底上的滤色片； 所述晶体管和所述滤色片上的像素电极和公共电极，该像素电极与所述晶体管的端子电连接； 所述像素电极和所述公共电极上的液晶层； 所述液晶层上的取向膜； 所述取向膜上的第二衬底；以及 所述第二衬底上的触摸传感器。8.根据权利要求7所述的显示装置， 其中所述晶体管的沟道形成区包含氧化物半导体。9.根据权利要求7所述的显示装置， 其中所述滤色片包括黑矩阵。10.一种显示装置，包括: 第一衬底上的晶体管； 所述第一衬底上的滤色片； 所述晶体管和所述滤色片上的像素电极，该像素电极与所述晶体管的端子电连接；所述像素电极上的第二衬底； 所述第二衬底上的第一电极、第二电极和第三电极； 所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极上的绝缘层；以及 所述绝缘层上的第四电极， 其中，所述第一电极通过所述第四电极与所述第二电极电连接， 并且，所述第三电极与所述第一电极、所述第二电极和所述第四电极电隔离。11.根据权利要求10所述的显示装置， 其中所述晶体管的沟道形成区包含氧化物半导体。12.根据权利要求10所述的显示装置， 其中所述滤色片包括黑矩阵。13.一种显示装置，包括: 第一衬底上的晶体管； 所述第一衬底上的滤色片； 所述晶体管和所述滤色片上的像素电极，该像素电极与所述晶体管的端子电连接； 所述像素电极上的液晶层； 所述液晶层上的取向膜； 所述取向膜上的第二衬底； 所述第二衬底上的第一电极、第二电极和第三电极； 所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极上的绝缘层；以及 所述绝缘层上的第四电极， 其中，所述第一电极通过所述第四电极与所述第二电极电连接， 并且，所述第三电极与所述第一电极、所述第二电极和所述第四电极电隔离。14.根据权利要求13所述的显示装置， 其中所述晶体管的沟道形成区包含氧化物半导体。15.根据权利要求13所述的显示装置， 其中所述滤色片包括黑矩阵。16.一种显示装置，包括: 第一衬底上的晶体管； ...
【专利技术属性】
技术研发人员：福留贵浩，田边融，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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