单层触摸屏及其制作方法和触摸屏显示器技术

本发明专利技术公开了一种单层触摸屏，包括：基板，屏蔽铟锡氧化物层，设置于基板上的黑矩阵边框，设置于黑矩阵边框上方的金属布线，形成于触摸感应区内的金属桥，形成于所述金属桥上的绝缘层，设置于所述金属布线、金属桥和绝缘层上的铟锡氧化物电极层以及设置于铟锡氧化物电极层上的钝化层；至少在所述黑矩阵边框的上方且在所述金属布线的下方，设有绝缘保护层。本发明专利技术还同时公开了一种单层触摸屏的制作方法和触摸屏显示器，本发明专利技术可在触摸屏的制作过程中，在其他各层和金属布线进行对位制作时，防止金属对BM的溅射，保证腔室的洁净。

【技术实现步骤摘要】
单层触摸屏及其制作方法和触摸屏显示器
本专利技术涉及液晶显示
中的触摸屏技术，尤其涉及一种单层触摸屏(OneGlass Solution Touch Panel)及其制作方法和触摸屏显示器。
技术介绍
目前，由于触摸屏显示器的迅速发展，其已经逐渐发展成为主流平板显示器。从出现至今，触摸屏显示器按照结构划分主要分为如下三种类型:外挂式触摸屏(Out CellTouch Panel)、外嵌式触摸屏(On Cell Touch Panel)以及内嵌式触摸屏(In Cell TouchPanel)。当前主流触摸屏大部分都采用外挂式结构设计。随着触摸屏显示器所要求的光学特性和电学特性不断提高，以及消费者对薄化显示器的不断需求，在有限的空间里，且在显示效果不变的情况下，设计出具有高性能、低成本、超薄的薄膜晶体管逐渐成为各大厂商的主要目标。图1为现有外挂式单层触摸屏的剖面结构示意图，如图1所示，包括:基板1、设置于基板I上的BM(黑矩阵)边框2和ITO (铟锡氧化物)桥5，设置于ITO桥5上的绝缘层4，设置于基板1、BM边框2、ITO桥5以及绝缘层4上的ITO电极层3、设置于IT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单层触摸屏，包括：基板，屏蔽铟锡氧化物层，设置于基板上的黑矩阵边框，设置于黑矩阵边框上方的金属布线，形成于触摸感应区内的金属桥，形成于所述金属桥上的绝缘层，设置于所述金属布线、金属桥和绝缘层上的铟锡氧化物电极层以及设置于铟锡氧化物电极层上的钝化层；其特征在于，至少在所述黑矩阵边框的上方且在所述金属布线的下方，设有绝缘保护层。

【技术特征摘要】
1.一种单层触摸屏，包括:基板，屏蔽铟锡氧化物层，设置于基板上的黑矩阵边框，设置于黑矩阵边框上方的金属布线，形成于触摸感应区内的金属桥，形成于所述金属桥上的绝缘层，设置于所述金属布线、金属桥和绝缘层上的铟锡氧化物电极层以及设置于铟锡氧化物电极层上的钝化层；其特征在于，至少在所述黑矩阵边框的上方且在所述金属布线的下方，设有绝缘保护层。2.根据权利要求1所述的单层触摸屏，其特征在于，所述屏蔽铟锡氧化物层与黑矩阵边框设置在基板的同一侧。3.根据权利要求2所述的单层触摸屏，其特征在于，在黑矩阵边框上方至少设有所述铟锡氧化物电极层与所述屏蔽铟锡氧化物层中的一种。4.根据权利要求3所述的单层触摸屏，其特征在于，所述铟锡氧化物电极层和所述金属布线隔着所述绝缘保护层而设置于所述黑矩阵边框上方。5.根据权利要求3所述的单层触摸屏，其特征在于，所述黑矩阵边框与屏蔽铟锡氧化物层的图案形状相同。6.根据权利要求3所述的单层触摸屏，其特征在于，所述钝化层与黑矩阵边框的图案形状互补，或所述钝化层与屏蔽铟锡氧化物层的图案形状互补。7.根据权利要求6所述的单层触摸屏，其特征在于，所述钝化层上形成有与该钝化层图案形状相同的屏 蔽铟锡氧化物层。8.根据权利要求1所述的单层触摸屏，其特征在于，所述单层触摸屏还包括:设置于铟锡氧化物电极层上的柔性印刷电路。9.一种触摸屏显示器，其特征在于，所述触摸屏显示器包括权利要求1至8中任一项所述的单层触摸屏。10.一种单层触摸屏的制作方法，包括:在基板上形成黑矩阵边框；其特征在于，该方法还包括: 在形成有黑矩阵边框...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英明，王海生，杨盛际，邓立广，段亚锋，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11