一种配对晶体电光Q开关的测试支架制造技术

技术编号:10367535 阅读:239 留言:0更新日期:2014-08-28 11:18
本实用新型专利技术提出一种配对晶体电光Q开关的测试支架,解决了现有技术中由于电光Q开关封装简单、电极外露而引起对测试人员安全性差的问题,一种配对晶体电光Q开关的测试支架,包括支架本体,所述支架本体设有顶端面、两侧端面、底端面,所述支架本体内设有空腔,便于放置电光Q开关,所述顶端面上设有圆孔和2个导线插孔,所述圆孔、导线插孔分别位于所述顶端面的中心处、边缘处,所述支架本体的底端面上设有凹槽,所述凹槽的中部设有通孔,紧邻所述导线插孔的侧端面上固定有2个标准电极,测试支架内部中空,电光Q开关放置在支架内部,这种四周封闭设计,避免了在测试、调节的过程中,测试人员与裸露电极的误接触,导线由圆孔引出,放入导线插孔内,并固定,避免了在调节过程中,由于导线不固定引起的晃动、接触导致的短路。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
—种配对晶体电光Q开关的测试支架
本技术涉及激光元器件的脉冲激光调Q器件领域,特别是指一种配对晶体电光Q开关的测试支架。
技术介绍
电光Q开关是激光器中非常重要的一个组成部分,电光调Q技术是利用在晶体上施加电压改变晶体的折射率,从而达到改变通过晶体激光的偏振态,与偏振片一起使用可以实现对激光的开关作用,利用了电光Q开关的脉冲激光,脉宽窄,峰值功率高。当前加工电光Q开关的晶体材料,有DKDP (磷酸二氘钾),LN(铌酸锂),RTP (磷酸氧钛铷),KTP (磷酸氧钛钾)等。而针对RTP,KTP类双轴晶体制作的电光Q开关,需两片晶体配对使用,以便抵消单片晶体产生的对激光的自然双折射,通用电极封装形式如图1所示,1、2为配对使用的第一晶体、第二晶体,3为第一电极、4为第二电极,此两部分电极在电路中并联,5为两晶体的第三电极,起到固定开关,施加电压的作用,电极5的两侧底角为45°的燕尾形,6为各部分电极引出的导线,在电极的底面设有螺纹孔,用于固定配对晶体电光Q开关,晶体与电极之间通过导电胶进行粘接。此种形式的封装结构,电极和导线接头部分都裸露在外,而且电光Q开关在测试和使用过程中,施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种配对晶体电光Q开关的测试支架,包括支架本体,所述支架本体设有顶端面、两侧端面、底端面,其特征在于: 所述支架本体内设有空腔,便于放置电光Q开关, 所述顶端面上设有圆孔和2个导线插孔,所述圆孔、导线插孔分别位于所述顶端面的中心处、边缘处, 所述支架本体的底端面上设有凹槽,所述凹槽的中部设有通孔, 紧邻所述导线插孔的侧端面上固定有2个标准电极。

【技术特征摘要】
1.一种配对晶体电光Q开关的测试支架,包括支架本体,所述支架本体设有顶端面、两侧端面、底端面,其特征在于: 所述支架本体内设有空腔,便于放置电光Q开关, 所述顶端面上设有圆孔和2个导线插孔,所述圆孔、导线插孔分别位于所述顶端面的中心处、边缘处, 所述支架本体的底端面上设有凹槽,所述凹槽的中部设有通孔, ...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵海泉贾玉昌王世武
申请(专利权)人:青岛海泰光电技术有限公司
类型:新型
国别省市:山东;37

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